虽然有注释,但是有点少.而且宏都是大写 一眼也看不出来,我处理一下 ?...与其他环境中的那一页RAM“仅存在”在固定地址空间位置的环境不同，在ESP32上，我们具有MMU（内存映射单元），可以使64K页的真实RAM映射到不同的地址位置。...如果您要运行的代码不在RAM中，那么它还能在哪里？答案是“闪存”……如果它在闪存中，则当接收到执行该代码的请求时，必须从那里执行该代码。...ESP32上的Flash比RAM访问慢得多...因此有一个内存缓存可用于解决其中的某些问题...但是我们无法确定当我们跳转到一段代码时它会存在于缓存中，因此可能需要从闪存缓慢加载。...现在我们开始讨论……如果我们要运行的代码是中断服务程序（ISR），我们总是希望尽快进入和退出它。如果我们必须在ISR中“等待”闪存中的负载，那么事情将会变得非常错误。
香农极限（Shannon Limit），在信息论和编码理论中，指的是在一个给定信道条件下，数据传输速率的最大理论值，超过这个值，就无法保证数据的无错传输。...随着NAND闪存技术的发展，单元密度增加，位错误率（BER）也随之上升，这要求更强大的错误校正机制来确保数据的完整性。...以下是详细的信息： • 当访问一个“磨损”的块并且固件（FW）ECC无法纠正该块时会发生错误。 • 需要启动软校正和/或RAID操作来恢复用户数据。...NCE与多个因素相关，包括单元的设计、制程节点、编程和擦除算法等。 NCE越低，意味着在相同的存储条件下，闪存的能耗和热量产生较少，从而提高了存储器的整体效率和可靠性。...不同厂商在NAND闪存技术上可能采用不同的架构和优化策略，从而导致NCE的差异。例如，三星、英特尔等头部厂商通过自有的控制器和算法，优化了NCE，提升了产品的性能和使用寿命。
OTA的例子 注: 本指南适用于所有ota示例 概述 ESP32应用程序可以在运行时通过Wi-Fi或以太网从特定的服务器下载新图像，然后将其闪存到某些分区中，从而进行升级。...它可以将ota_data分区擦除到初始状态. 注意: 这假设该项目的分区表是设备上的分区表....HTTPS服务器的输出 FILE:hello-world.bin ACCEPT 支持回滚 如果应用程序无法运行，此功能允许您回滚到以前的固件。...对于 native_ota_example,添加了一些代码来演示回滚是如何工作的。...故障排除 检查你的电脑是否可以在它的IP上能ping ESP32，并且在menuconfig中IP、AP和其他配置设置是否正确。 检查是否有防火墙软件在阻止PC上的传入连接。
UBI 主要功能 UBI的主要功能如下： UBI 提供可以动态创建、删除或调整大小的卷； UBI 在整个闪存设备上实现磨损均衡(您可能认为您在不断地写入/擦除UBI卷的同一个逻辑擦除块，但实际上UBI...FLASH 最小I/O单元 UBI 使用闪存的抽象模型。简而言之，从 UBI 的角度来看，闪存（或 MTD 设备）由擦除块组成，这些擦除块可能是好的也可能是坏的。...每个好的擦除块都可以被读取、写入或擦除。好的擦除块也可能被标记为坏的。 闪存读取和写入只能以最小输入/输出单元大小的倍数进行，这取决于闪存类型。...NAND闪存在OOB区域存储每个page ECC代码，这意味着必须一次写入整个NAND页来计算ECC，并且必须一次读取整个NAND页来检查ECC。 最小I/O单元大小是MTD设备的一个非常重要的特性。...W -闪存芯片上物理擦除块的总数（NB：整个芯片，不是MTD分区）； P - MTD 分区上的物理擦除块总数； SP - 物理擦除块大小； SL - 逻辑擦除块大小； BB - MTD 分区上的坏块数；
Dronebridge-基于ESP32的廉价数字遥测 这篇文章主要是写一下在ESP32这里的实现，因为是IDF下开发的，所以需要下载一下SDK....在ESP32，使用非易失性存储 (NVS) 库主要用于在 flash 中存储键值格式的数据。 第一个注解直接在代码中就有了显示 NVS 库在其操作中主要使用两个实体：页面和条目。...用户无法向写满状态下的页面写入新键值对，但仍可将一些键值对标记为已擦除。 擦除状态 未擦除的键值对将移至其他页面，以便擦除当前页面。这一状态仅为暂时性状态，即 API 调用返回时，页面应脱离这一状态。...如果设备突然断电，下次开机时，设备将继续把未擦除的键值对移至其他页面，并继续擦除当前页面。 损坏状态 页头部包含无效数据，无法进一步解析该页面中的数据，因此之前写入该页面的所有条目均无法访问。...ESP32 设备的控制模块实现。
介质：采用闪存颗粒来存储。 包括：控制单元、存储单元（DRAM芯片/FLASH芯片）。 （3）性能&外观区别 HDD是机械式寻找数据，所以防震远低于SSD，数据寻找时间也远低于SSD。...有损压缩：存在信息丢失，无法100%的保存原始信息。 ...（3）Flash寿命 Program/Erase Count 前面也已经提及到了，每个Block都是有擦除次数限制的，所以引入了寿命这个说法。...假如电容容量过大，用户只是点了个电脑重启，这时候SSD的电容会开始放电，放电还没完成的时候，电脑已经重新上电，这时无法认盘。所以电容电量应该选最时候的。 ...（3）只保存SDRAM中的映射表 再次上电后，需要先把上次NAND Flash中保存的映射表提取到SDRAM中，只是丢掉了用户断电前正在操作的数据，无法更新。
，内置平均读写算法，读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S，标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码，省去了驱动代码编程环节。...闪存则是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。...与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。 Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。...它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。...1位模式，主机也应通过RDAT上拉所有DAT0-3线。
为了存下这张图片，于是主控就把这个 Block 的所有数据读至缓存，擦除Block上的内容，再向缓存中加上这个4KB 新数据后最后写回 Block 中。...我的天啊，其实想存储的就是1个 Page 的图片内容，但是实际上确造成了整个 Block 的内容都被重新写入，同时原本简单一步搞定的事情被还被分成了前后四步执行（闪存读取、缓存改、闪存擦除、闪存写入）造成延迟大大增加...在测试的过程中，我们发现 TRIM 的触发需要操作系统、驱动程序以及闪存主控三者都支持才能真正意义上实现。...至此，我们也大致解答了项目组提出的问题，这个故事也基本可以告一段落了。...回顾整个分析问题的过程，我发现，作为一名专项测试人员，尽管我并不需要实际编写项目中的任何一句代码，但这并不意味着我不需要了解 Android 及其 Framework 的代码。
并非所有ESP32开发板上的所有引脚都裸露，并且有些引脚无法使用。...但是，你可以确定哪些引脚是UART，I2C，SPI，PWM等–只需要在代码中分配它们即可。由于ESP32芯片具有多路复用功能，因此这是可能的。 ? 这个是36脚的,国外卖的是这个板子.'...但是，这些引脚连接到ESP-WROOM-32芯片上的集成SPI闪存，不建议用于其他用途。因此，请勿在您的项目中使用这些引脚： ? ?...这意味着您可以获得的模拟读数范围为0至4095，其中0对应于0V，4095至3.3V。您还可以在代码上设置通道的分辨率以及ADC范围。 ESP32 ADC引脚没有线性行为。...所有可用作输出的引脚都可以用作PWM引脚（GPIO 34至39无法生成PWM）。 ? 要设置PWM信号，您需要在代码中定义以下参数： 信号频率 占空比; PWM通道 您要在其中输出信号的GPIO。
闪存(Flash Memory)的主要特点如下： 在写入数据之前需要擦除一个擦除块，因为向闪存写数据只能把一个位从 1 变成 0，不能从 0 变成 1，擦除的目的是把擦除块的所有位设置为 1 一个擦除块的最大擦除次数有限...，NOR闪存的擦除块的最大擦除次数是 10^4~10^3， NAND 闪存的擦除块的最大擦除次数是 10^3~10^6。...机械硬盘可以直接写入数据：NAND 闪存在写入数据之前需要擦除一个擦除块。 机械硬盘的使用寿命比 NAND 闪存长：机械硬盘的扇区的写入次数没有限制：NAND 闪存的擦除块的擦除次数有限。...分别是： NVDIMM-N 指在一个模块上同时放入传统 DRAM 和 flash 闪存，计算机可以直接访问传统 DRAM。支持按字节寻址，也支持块寻址。...NVDIMM-F 的主要工作方式本质上和SSD是一样的，因此它的延迟在 10的1次方微秒级。它的容量也可以轻松达到 TB 以上。
请确保您的系统上安装了libgcrypt ( Ubuntu 中的libgcrypt-devel, Arch 中的 libgcrypt, macOS Homebrew 中的libgcrypt )....编译ESP-IDF程序进行仿真 ESP32目标的QEMU已经准备就绪，它已经包括位于真实芯片ROM上的第一级引导加载程序，主要负责初始化外围设备，如UART，更重要的是SPI Flash。...@flash_args 这里，flash_args 是ESP-IDF构建系统在构建目录中生成的一个文件，它包含二进制文件的名称和相应的闪存地址列表。...QEMU中的ESP32目标支持大小为2、4、8和16MB的闪存，创建任何其他大小的镜像都会导致错误。...esp32 \ -drive file=flash_image.bin,if=mtd,format=raw 其中flash_image.bin是之前生成的SPI闪存镜像。
以下是ESP32的主要参数： 项目 数值 核心数 2 架构 32bit Wifi Yes 蓝牙 Yes 内存 512K 闪存 16M GPIO 36 通讯协议 SPI, IIC, I2S, UART,...CAN ADC（模数转换器） 18通道12位 DAC（数模转换器） 2通道8位 存储卡接口 1 温度传感器 1 从ESP32的芯片参数可以看出，它的功能非常强大；另外一条也也很重要：它非常便宜。...你只要在IDE中编写程序代码，将程序上传到Arduino电路板后，程序便会告诉Arduino电路板要做些什么了。...作者使用前面板上的USB端口搞了好半天都无法稳定地下载程序。 上传程序到UNO D1 R32. ? 也可以使用工具栏中的上传按钮[->]上传程序。 完成后可以看到开发板上的蓝色LED开始闪烁！ ?...参考信息 一波三折，分享我的esp32编译环境搭建arduino https://www.arduino.cn/thread-91658-1-1.html 在Arduino IDE上安装ESP32 https
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ...许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 ...NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。 NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。 ...NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。...在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
最好是能够对数据进行修改，于是，就有专家发明了EPROM（Erasable Programmable，可擦除可编程ROM）。 擦除的方式，可以是光，也可以是电。...上世纪80年代，日本东芝的技术专家——舛冈富士雄，发明了一种全新的、能够快速进行擦除操作的存储器，也就是——Flash（闪存）。 舛冈富士雄 Flash在英文里，就是“快速地”的意思。...1KB是1024个bit，比起EEPROM按bit擦除，快了几个数量级。 目前，FLASH的主流代表产品也只有两个，即：NOR Flash和NAND Flash。...NOR Flash NOR Flash属于代码型闪存芯片，其主要特点是芯片内执行（XIP，Execute In Place），即应用程序不必再把代码读到系统RAM中，而是可以直接在Flash闪存内运行。...所以，NOR Flash适合用来存储代码及部分数据，可靠性高、读取速度快，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。
固件库中的函数为： void FLASH_Unlock(void); （2）擦除将要写的页 STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是...0XFFFF），否则无法写入，在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。...STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。 也就是其最小擦除单位为1页，尽管你只需往某页里写10个字节数据或者更少的数据，你也必须先擦除该页（2*1024个字节）。...32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。...写入 8 位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。
NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。...NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统...，连纠错也无法做到 NAND Flash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。...另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现，这个模块一般在驱动程序的MTD' (Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash...在NOR闪存上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND闪存上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR闪存在进行写入和擦除操作时都需要MTD
信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。...在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。...同样，STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告...所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。...如果我们填入的起始地址不是STM32设定的某页的起始地址，那么擦除的时候，就会也把前面的一部分Flash内容进行擦除，比如STMFLASH_Erase(0X0x0800 0810,2049); 就是擦除了
EEPROM如今依然被大量使用，很多芯片、模组的固件信息依然存放在EEPROM中。 （5）Flash又称闪存，本质上也属于EEPROM的一种。...c、数据读取： 读出操作时，控制栅极上施加的电压很小，不会改变浮栅中的电荷量，即读出操作不会改变FLASH中原有的数据，也即浮栅有电荷时，D和S间存在导电沟道，从D极读到‘0’；当浮栅中没有电荷时，D和...每次写入和擦除操作都是电子进出二氧化硅绝缘层的过程，长此以往会造成绝缘层的老化，浮栅就无法很好地锁存住电子，进而造成数据丢失。...b、串联结构决定了NAND FLASH无法进行位读取，也就无法实现存储单元的独立寻址。此程序不可以直接在NAND 中运行,因此NAND是以Page为读取单位和写入单位，以Block为擦除单位。...相对应的，3D NAND 则是在二维平面基础上，在垂直方向也进行了扩展。在同样体积大小的情况下，极大地提升了闪存颗粒单 die 的容量体积。
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。 ...在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。...编程 执行任何 Flash 编程操作（擦除或编程）时，CPU 时钟频率 (HCLK)不能低于 1 MHz。如果在 Flash 操作期间发生器件复位，无法保证 Flash 中的内容。...擦除或 者编程，都必须以 32 位为基础进行，见表： STM32F4 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0XFFFFFFFF...），否则无法写入，而且擦除是按片区来擦除的。
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