由 上图和数据可知，三极管相当于是用小电流（Ib）控制大电流（Ic）， 截止区就是Ube0.5开始，注意并不是要大于0.7V，0.7V是二极管的导通电压，在放大区里，Ube一般是大于0.5V，小于0.65V，此时Ic是Ib的线性放大倍数。
三极管在外加电压的作用下，形成基极电流、集电极电流和发射极电流，成为电流放大器件。 三极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。...从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。...三极管自身并不能把小电流变成大电流，它仅仅起着一种控制作用，控制着电路里的电源，按确定的比例向三极管提供 、 和 这三个电流。...不是由三极管产生的，是由电源 在 的控制下提供的，所以说三极管起着能量转换作用。...三极管的导通条件 1.饱和： 当三极管饱和时发射结和 集电结 均处于正向偏置，对NPN管 不受 的控制。
1、对于NPN型三极管来说，其功能是用基极B极小的电流去引出集电极C巨大的电流，Ibe电流大小由 Ib基极电流决定。...2、三极管相当于两个二极管组成，所以只要PN结压差大于0.7V，有电流有就导通了 3、NPN型： 截止态：Ube<0.7V 放大态：Ube>0.7V，Uc>Ub>Ue，集电极处于正向压差，基极处于反向压差...最大电流为三极管的极限电流。
它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。...我们可以看到这是一个三极管推动MOS管的电源控制电路，极管和MOS管在驱动上是有区别的，三极管是电流驱动，而MOS管是电压驱动，三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为...而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通...Q2为MOS管AO3401（根据实际电压和电流选型），Q3三极管SS8050（一般8050电流足够驱动），VCC33_PWR，就是单片机端的控制信号，由单片机的IO口控制电源的通断，如果是使用STM32...高电平打开电源导通，低电平关闭电源导通。 希望以上知识能给大家带来对硬件电路的一定性了解，电路上的骚操作，后续会带大家慢慢了解，请持续关注。 注意器件要根据实际情况选型！
请看图，假设三极管基极电流为1MA，三极管直流放大倍数为50，那么在三极管集电极就 有50MA 电流。...这时如果RL 取100Ω，那么在RL 两端分得电压5V，而另5V 就加在三极管 上，这时三极管处于正常放大状态。如果RL 取300Ω呢？根据计算。在RL 上应该分得15V 电压。...可这里电源电压只有10V， 那么这10V 电压几乎全加在了电阻上，而三极管分得电压极小。这样三极管就处于饱和状 态。这时电流等于电压除以RL 约为33MA。总结，电路是否处于放大还是饱和。...由输入电 流，三极管放大倍数，负载阻抗，和电源电压共同决定。 简单点说：只要三极管可以提供的电流（这时是50MA）大于负载提供的电流（RL 取300 时， 是33MA），三极管就饱和了。...三极管饱和有什么用？三极管饱和后CE 电压极低，功率P＝ I * U 电压越低，当然功耗越小了，用来当作电子开关，比如控制继电器等。
三极管基极驱动电压只要高于Ube（一般是0.7V）就能导通。 现在的大家都讲究低功耗，供电电压也越来越低，一般单片机供电为3.3V，所以它的I/O最高电压也就是3.3V。...到这可能会有硬件基础好的小伙伴要说了，MOS管也可以啊，为什么非得用三极管呢？...在半导通状态下，管子的内阻很大，驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了，内阻大，管子的功耗大，MOS管很容易就烧坏了。所以，一般选择三极管来配合单片机IO口驱动。...I/O口驱动三极管后再驱动MOS管 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。...当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。
GPIO 的引脚与外部硬件设备连接，可实现与外部通讯、控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能。...当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。...推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。 推挽输出和开漏输出 左侧为推挽输出，可以输出高低电平。...图中所示为三极管，也可以叫开集输出（集电极开路输出），开漏输出是当这个管子为MOS管，漏极开路输出，叫开漏输出。 推挽输出：上面三级管导通，输出高电平，下面三极管导通，输出低电平。...开漏输出：三极管导通输出低电平，三极管截止是高阻态，电平由外部上拉电阻决定。
硬件取反的方式有也有很多，最直接的方式就是使用反相器，比如74HC04D、SN74LVC1G04等，将单片机的输出口OUT1、OUT2、、OUT3、OUT4串联反相器即可。...或者可以使用三极管或MOS管来实现取反，下面以三极管为例，使用NPN型或PNP型三极管都可以实现反相的功能，具体原理如下图所示。...○NPN三极管：当输入为低电平时，三极管Q36截止，输出高电平；当输入为高电平时，三极管Q36导通，输出为低电平。...○PNP三极管：当输入为低电平时，三极管Q3导通，输出高电平；当输入为高电平时，三极管Q36截止，输出为低电平。...▲三极管设计反相器的原理 同理，使用MOS管的方法类似，除此之外还可以使用光耦、继电器等其它元件实现。 现在连焊个取反都要百度了，羞愧啊
1.1、NPN型三极管 NPN型三极管，适合集电区（c）连接负载到VCC，发射区（e）连接到GND，若此时基区（b）电压高于发射区（e）0.7V，NPN型三极管导通。...基区（b）用高电平驱动NPN型三极管导通，低电平驱动截止。 ?...基区（b）用高电平驱动PNP型三极管截止，低电平驱动导通。 ?...栅极（gate）用低电平驱动P-MOS场效应管导通，高电平时截止。 设定下图P-MOS场效应管阈值电压（Vth）为-1.5V，导通状况如下所示： ?...N-MOS场效应管用高电平驱动导通，低电平截止。 设定下图N-MOS场效应管阈值电压（Vth）为1.5V，导通状况如下所示： ?
，降低晶体管T1功耗 电阻R2使晶体管T1可靠截止/or稳定静态工作点 二极管D1反向续流，为三极管由导通转向关断时为继电器线圈中的提供泄放通路，并将其电压箝位在+12V上 集成电路驱动电路 目前已使用多个驱动晶体管集成的集成电路...具体电路如下： 原理简介 NPN 晶体管驱动时：当晶体管 T1 基极被输入高电平时，晶体管饱和导通，集电极变为低电平，因此继电器线圈通电，触点 RL1 吸合。...继电器的续流二极管1n4148 继电器线圈并联二极管的作用是什么_继电器_电工之家 继电器端并联二极管 硬件篇：继电器端并联二极管_Michael强强的博客-CSDN博客 三极管继电器驱动电路设计 –...而CE结电压约为0.3V，导通时候岂不是VC小于VB了，这么理 – 我爱研发网 52RD.com – R&D大本营 1.三极管工作在放大的条件是Uc>Ub,而饱和区则不要求满足此条件 2.三极管导通并不要求它工作在放大区...，所以导通推不出工作在放大区，所以导通是不必满足放大区才需满足的条件Uc>Ub 事实上，导通时，Ub同时大于c.e的电位，即两个二极管均正偏，要是（Ub同时大于c.e的电位）能推出–>电路是导通的，那么你也就可以接受
一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用 最近在工作中见到一种开关控制电路，MCU控制三极管，然后再控制MOS管，如下图所示： 电路解析： 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V...电源导通； 当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管不导通，1.8V电源不导通。...三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可...所以MCU先连接控制三极管； 而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要...2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。
例如，在智能开关产品中通过零点电压检测技术来实现零电压时刻导通，从而抑制开机浪涌电流，达到保护继电器触点等器件的目的；在调光开关/调光器、电机调速产品中，通过零点电压检测技术可从零点开始控制交流电导通角的大小...设计注意点： 1.比较器输入电压范围及保护电路 2.可使用一些迟滞来提高抗干扰能力 二、采用三极管的过零检测电路 通过分压电阻将交流信号衰减至三极管基极，利用三极管特性进行过零检测来改变输出状态。...设计注意点： 1.分压电阻的取值 2.三极管的工作状态、温度特性 3.图2注意交流输入与参考地的关系 三、采用光耦隔离的过零检测电路 利用二极管导通和光耦隔离特性进行过零检测来改变输出状态。...带过零检测功能的电源芯片； 2.罗姆半导体(ROHM)的过零检测IC，BM1Z系列 上述仅简单举例几种常见的过零检测电路，除此之外仍有很多电路可实现该功能检测，当然在实际工程应用中也会碰到一些细节问题，例如：硬件电路延时
一、概述 在硬件设计中有时候经常会遇到，主芯片引脚使用的1.8V、3.3V、5V等，连接外部接口芯片使用的3.3V、5V等，由于电平不匹配就必须进行电平转换。...当IN输入0V时，三极管Q1导通，OUT被拉低到接近0V 电平，实现低电平转换；当IN输入高电平VDDA时，三极管Q1截止，此时OUT被电阻R3上拉至VDDB，从而实现高电平转换。...图2右图实现原理： 当输入IN为低电平时，三极管Q2关断，三极管Q3导通，输出OUT被拉低，从而实现低电平转换；当输入IN为高电平VDDA时，三极管Q2导通，从而三极管Q3被拉低关断，从而输出OUT被电阻...当终端设备TXD接口输出0V时，三极管Q1导通，单片机RXD接口被拉低到接近0V电平，实现低电平转换；当终端设备TXD接口输出高电平5V时，三极管Q1截止，此时单片机RXD接口被电阻R1上拉至3.3V，...（2）导通后，压降比三极管小。 （3）正反向双向导通，相当于机械开关。 （4）电压型驱动，需要一定的驱动电流。
（雪崩或齐纳击穿）： N区和耗尽区被碰撞电离的空穴向P区注入，P区和耗尽区被碰撞电离的电子向N区注入； 1.2 三极管相关知识 NPN和PNP导通的条件：发射结正偏，集电结反偏； NPN导通时，集电极收集电子...2.4如图1，当VSS端电位下冲小于GND 0.7V时； 由于Rpw的存在，使NPN1三极管b极电位不能瞬间变化，导致NPN1三极管发射结正偏，由于集电结反偏，所以NPN1三极管导通。...总结：从以上几种情况分析我们可以看出，寄生三极管的导通，其根本原因是由于外接电位的变化，先导致寄生PN结的正偏或反偏击穿，然后在Rpw和Rnw上形成压降，进而使寄生三极管导通形成正反馈，最终形成闩锁。...3.1.3 倒掺杂阱技术 从上面的分析中我们很容易知道，Rpw和Rnw电阻的大小决定了寄生三极管是否导通的主要原因。如图2，Rpw越大在寄生NPN三极管的基级电位就越高，导致NPN三极管越容易导通。...反之，Rnw越大在寄生PNP三极管的基级电位就越低，导致PNP三极管越容易导通。 那么我们只要尽可能降低电阻值就可以阻止寄生三极管的导通，从而阻止闩锁发生。
三极管有三个状态：截止，放大，饱和。我们在单片机电路里，用三极管基本就是用两种状态：截止和饱和状态；即把三极管用作开关来用（饱和后的压降很低，相当于开关）。...在之前我们写的 蜂鸣器解析里贴出了三极管作开关用来驱动蜂鸣器的电路，具体电路图如下图1： ? 图1 上面图一中A电路用的是PNP管，把蜂鸣器接在三极管的集电极，低电平导通，高电平截止。...B电路用的是NPN管，注意蜂鸣器接在三极管的集电极，高电平导通，电阻按照经验法可以取4.7K。...例如B电路，导通时假设为高电平5V，基极电流Ib=（5V-0.7V）/4.7K=0.9mA，可以使三极管完全饱和。以上这两个都可以正常工作，只要给对应的驱动信号蜂鸣器（有源）都会发出声音。...我们以NPN三极管为例，电路如下图2： ? 图2 假设导通时高电平5V，基极电流Ib=（5V-0.7V- UL）/4.7K，其中UL为被驱动器件上的压降，此处为蜂鸣器的压降。
图3 为第三种错误接法，三极管的高电平门槛电压就只有 0.7V，即在 BUZZER 端输入 压只要超过0.7V就有可能使三极管导通，显然0.7V的门槛电压对于数字电路来说太低了， 电磁干扰的环境下，很容易造成蜂鸣器鸣叫...图 4 为第四种错误接法，当CPU的GPIO管脚存在内部下拉时，由于 I/O 口存在输入阻抗，也可能导致三极管不能可靠关断，而且和图3一样BUZZER端输入电压只要超过0.7V就有可能使三极管导通。 ...如果删除R2，则三极管的高电平门槛电压就只有0.7V，即A端输入电压只要超过0.7V 就有可能导通，添加R2的情况就不同了，当从A端输入电压达到约2.2V 时三极管才会饱和导通，具体计算过程如下： ...则三极管刚刚达到饱和导通时的基极电流是 IB=15mA/120=0.125mA。...则三极管刚刚达到饱和导通时的基极电流 IB＝80mA／ 120＝0.667mA。
把三极管箭头理解成一个开关，如图1为NPN型三极管，按下开关S1，约1mA的Ib流过箭头，三极管工作在饱和状态，c极到e极完全导通，c极电平接近0V(GND)，负载RL两端压降接近5V。...图1：NPN三极管 如图2为PNP型三极管，按下开关S2，约1mA的Ib流过箭头，三极管工作在饱和状态，e极到c极完全导通，c极电平接近5V，负载RL两端压降接近5V。...图5：NPN三极管驱动蜂鸣器 如图6，对于某些控制信号为低电平时，可能并不是真正的0V，一般在1V以内，为保证三极管完全截止，不得不在三极管b极加一个反向稳压管或正向二极管，以提高三极管导通的阈值电压。...图6：NPN三极管驱动继电器 如图7，为三极管延时导通，快速关断的一个仿真电路，D1、R2、C1、D2构成延时导通Q2的回路，C1的电压为12V的时候Q2导通，R3、Q1、R4、R1构成快速关断Q2的回路...，C1通过R3和Q1快速放电。
1.首先认识清楚三极管的管脚 参考资料万用表区分mos管引脚 2.知道管脚我们也就知道NPN和PNP了，箭头朝内 PNP，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。...三极管的类型和用法我给大家总结了一句口诀，大家要把这句口诀记牢了：箭头朝内 PNP，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。下面我们一句一句来解析口诀。...同理，NPN 型三极管的导通电压是 b 极比 e 极高 0.7V，总之是箭头的始端比末端高 0.7V 就可以导通三极管的 e 极和 c 极。...这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释，我们来看图 3-7。 图 3-7 三极管的用法 我们以图 3-7 为例介绍一下。...前边讲过，三极管有截止，放大，饱和三个状态，截止就不用说了，只要 e 和 b 之间不导通即可。我们要让这个三极管处于饱和状态，就是我们所谓的开关特性，必须要满足一个条件。
因为二极管模型比较简单，我们单纯看BE间的电压，理解成为让二极管导通的原理，就容易理解多了。 如果想让三极管打开，首先需要让这个二极管导通，则需要二极管两端的电压大于其导通电压。...三极管开关与机械式开关的比较 截至目前为止，我们都假设当三极管开关导通时，其基极与射极之间是完全短路的。...如果开关本身应导通而未导通，那就得测试 Vin 的大小了。欲保证三极管导通，其基极的 Vin 电压值就必须够高，如果 Vin 值过低，则问题就出自信号源而非三极管本身了。...假使在 Vin 的准位够高，驱动三极管导通绝无问题时，而负载却仍未导通，那就要测试电源电压是否正常了。 在导通的状态下，硅三极管的 VBE 值要根据数据手册，查看其值的离散型和范围是否符合器件资料。...左边的电路，在基射极间串接上一只二极管，因此使得可令基极电流导通的输入电压值提升了0.6 V，如此即使 Vin 值由于信号源的误动作而接近 0.6V时，亦不致使三极管导通，因此开关仍可处于截止状态。
三极管的内部含有两个PN结，外部有③个引脚分别是 ↓ 集电极C 基极B 发射极E 如下图所示 提示：箭头方向就是发射极的导通方向，由基极向发射极。...这样使Q2开始导通，Q2的集电极输出的电流使Q1迅速饱和导通。注意：流过Q2基极的电流是一个很小的电流，Q2导通后，发射极-集电极的电流是个稍大的电流，这才是Q1导通的关键所在！...Q1导通后，扬声器就有电流流过，使它发声，同时电容C1开始充电，充电电流回路为：Q2发射极→基极→C1→Q1集电极→发射极→电源负极。...因为Q1已经饱和导通，所以Q1的集电极和发射极近似短路，电容C1充电的过程很短暂。此时电容C1充电的电压为左正右负。 电容C1左正右负的电压使Q2的发射结反偏，Q2关断。...使Q2又开始导通，又进入下一个过程，电路就如此循环工作下去。
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