由 上图和数据可知,三极管相当于是用小电流(Ib)控制大电流(Ic), 截止区就是Ube0.5开始,注意并不是要大于0.7V,0.7V是二极管的导通电压,在放大区里,Ube一般是大于0.5V,小于0.65V,此时Ic是Ib的线性放大倍数。
三极管在外加电压的作用下,形成基极电流、集电极电流和发射极电流,成为电流放大器件。 三极管的电流放大作用与其物理结构有关,三极管内部进行的物理过程是十分复杂的,初学者暂时不必去深入探讨。...从应用的角度来讲,可以把三极管看作是一个电流分配器。...三极管自身并不能把小电流变成大电流,它仅仅起着一种控制作用,控制着电路里的电源,按确定的比例向三极管提供 、 和 这三个电流。...不是由三极管产生的,是由电源 在 的控制下提供的,所以说三极管起着能量转换作用。...三极管的导通条件 1.饱和: 当三极管饱和时发射结和 集电结 均处于正向偏置,对NPN管 不受 的控制。
1、对于NPN型三极管来说,其功能是用基极B极小的电流去引出集电极C巨大的电流,Ibe电流大小由 Ib基极电流决定。...2、三极管相当于两个二极管组成,所以只要PN结压差大于0.7V,有电流有就导通了 3、NPN型: 截止态:Ube<0.7V 放大态:Ube>0.7V,Uc>Ub>Ue,集电极处于正向压差,基极处于反向压差...最大电流为三极管的极限电流。
它可用于电流主通道控制,芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet,肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路,并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。...我们可以看到这是一个三极管推动MOS管的电源控制电路,极管和MOS管在驱动上是有区别的,三极管是电流驱动,而MOS管是电压驱动,三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通,硅材料三极管的死区电压一般为...而MOS管就不一样了,MOS管是电压型驱动,其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通,不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的,一般为3V~5V左右,最小的也要2.5V,但这也只是刚刚导通...Q2为MOS管AO3401(根据实际电压和电流选型),Q3三极管SS8050(一般8050电流足够驱动),VCC33_PWR,就是单片机端的控制信号,由单片机的IO口控制电源的通断,如果是使用STM32...高电平打开电源导通,低电平关闭电源导通。 希望以上知识能给大家带来对硬件电路的一定性了解,电路上的骚操作,后续会带大家慢慢了解,请持续关注。 注意器件要根据实际情况选型!
请看图,假设三极管基极电流为1MA,三极管直流放大倍数为50,那么在三极管集电极就 有50MA 电流。...这时如果RL 取100Ω,那么在RL 两端分得电压5V,而另5V 就加在三极管 上,这时三极管处于正常放大状态。如果RL 取300Ω呢?根据计算。在RL 上应该分得15V 电压。...可这里电源电压只有10V, 那么这10V 电压几乎全加在了电阻上,而三极管分得电压极小。这样三极管就处于饱和状 态。这时电流等于电压除以RL 约为33MA。总结,电路是否处于放大还是饱和。...由输入电 流,三极管放大倍数,负载阻抗,和电源电压共同决定。 简单点说:只要三极管可以提供的电流(这时是50MA)大于负载提供的电流(RL 取300 时, 是33MA),三极管就饱和了。...三极管饱和有什么用?三极管饱和后CE 电压极低,功率P= I * U 电压越低,当然功耗越小了,用来当作电子开关,比如控制继电器等。
三极管基极驱动电压只要高于Ube(一般是0.7V)就能导通。 现在的大家都讲究低功耗,供电电压也越来越低,一般单片机供电为3.3V,所以它的I/O最高电压也就是3.3V。...到这可能会有硬件基础好的小伙伴要说了,MOS管也可以啊,为什么非得用三极管呢?...在半导通状态下,管子的内阻很大,驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了,内阻大,管子的功耗大,MOS管很容易就烧坏了。所以,一般选择三极管来配合单片机IO口驱动。...I/O口驱动三极管后再驱动MOS管 当I/O为高电平时,三极管导通,MOS管栅极被拉低,负载RL不工作。...当I/O为低电平时,三极管不导通,MOS管通过电阻R3,R4分压,为栅极提供合适的阈值电压,MOS管导通,负载RL正常工作。
GPIO 的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯、控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能。...当引脚电压高于VDD时,上方的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。...推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。 推挽输出和开漏输出 左侧为推挽输出,可以输出高低电平。...图中所示为三极管,也可以叫开集输出(集电极开路输出),开漏输出是当这个管子为MOS管,漏极开路输出,叫开漏输出。 推挽输出:上面三级管导通,输出高电平,下面三极管导通,输出低电平。...开漏输出:三极管导通输出低电平,三极管截止是高阻态,电平由外部上拉电阻决定。
硬件取反的方式有也有很多,最直接的方式就是使用反相器,比如74HC04D、SN74LVC1G04等,将单片机的输出口OUT1、OUT2、、OUT3、OUT4串联反相器即可。...或者可以使用三极管或MOS管来实现取反,下面以三极管为例,使用NPN型或PNP型三极管都可以实现反相的功能,具体原理如下图所示。...○NPN三极管:当输入为低电平时,三极管Q36截止,输出高电平;当输入为高电平时,三极管Q36导通,输出为低电平。...○PNP三极管:当输入为低电平时,三极管Q3导通,输出高电平;当输入为高电平时,三极管Q36截止,输出为低电平。...▲三极管设计反相器的原理 同理,使用MOS管的方法类似,除此之外还可以使用光耦、继电器等其它元件实现。 现在连焊个取反都要百度了,羞愧啊
1.1、NPN型三极管 NPN型三极管,适合集电区(c)连接负载到VCC,发射区(e)连接到GND,若此时基区(b)电压高于发射区(e)0.7V,NPN型三极管导通。...基区(b)用高电平驱动NPN型三极管导通,低电平驱动截止。 ?...基区(b)用高电平驱动PNP型三极管截止,低电平驱动导通。 ?...栅极(gate)用低电平驱动P-MOS场效应管导通,高电平时截止。 设定下图P-MOS场效应管阈值电压(Vth)为-1.5V,导通状况如下所示: ?...N-MOS场效应管用高电平驱动导通,低电平截止。 设定下图N-MOS场效应管阈值电压(Vth)为1.5V,导通状况如下所示: ?
,降低晶体管T1功耗 电阻R2使晶体管T1可靠截止/or稳定静态工作点 二极管D1反向续流,为三极管由导通转向关断时为继电器线圈中的提供泄放通路,并将其电压箝位在+12V上 集成电路驱动电路 目前已使用多个驱动晶体管集成的集成电路...具体电路如下: 原理简介 NPN 晶体管驱动时:当晶体管 T1 基极被输入高电平时,晶体管饱和导通,集电极变为低电平,因此继电器线圈通电,触点 RL1 吸合。...继电器的续流二极管1n4148 继电器线圈并联二极管的作用是什么_继电器_电工之家 继电器端并联二极管 硬件篇:继电器端并联二极管_Michael强强的博客-CSDN博客 三极管继电器驱动电路设计 –...而CE结电压约为0.3V,导通时候岂不是VC小于VB了,这么理 – 我爱研发网 52RD.com – R&D大本营 1.三极管工作在放大的条件是Uc>Ub,而饱和区则不要求满足此条件 2.三极管导通并不要求它工作在放大区...,所以导通推不出工作在放大区,所以导通是不必满足放大区才需满足的条件Uc>Ub 事实上,导通时,Ub同时大于c.e的电位,即两个二极管均正偏,要是(Ub同时大于c.e的电位)能推出–>电路是导通的,那么你也就可以接受
一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用 最近在工作中见到一种开关控制电路,MCU控制三极管,然后再控制MOS管,如下图所示: 电路解析: 当I/O为高电平时,三极管导通,MOS管栅极被拉低,1.8V...电源导通; 当I/O为低电平时,三极管不导通,MOS管不导通,1.8V电源不导通。...三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通,硅材料三极管的死区电压一般为0.6V,锗材料三极管的死区电压一般为0.3V,所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可...所以MCU先连接控制三极管; 而MOS管就不一样了,MOS管是电压型驱动,其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通,不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的,一般为3V~5V左右,最小的也要...2.5V,但这也只是刚刚导通,其电流很小,还处于放大区的起始阶段,一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。
例如,在智能开关产品中通过零点电压检测技术来实现零电压时刻导通,从而抑制开机浪涌电流,达到保护继电器触点等器件的目的;在调光开关/调光器、电机调速产品中,通过零点电压检测技术可从零点开始控制交流电导通角的大小...设计注意点: 1.比较器输入电压范围及保护电路 2.可使用一些迟滞来提高抗干扰能力 二、采用三极管的过零检测电路 通过分压电阻将交流信号衰减至三极管基极,利用三极管特性进行过零检测来改变输出状态。...设计注意点: 1.分压电阻的取值 2.三极管的工作状态、温度特性 3.图2注意交流输入与参考地的关系 三、采用光耦隔离的过零检测电路 利用二极管导通和光耦隔离特性进行过零检测来改变输出状态。...带过零检测功能的电源芯片; 2.罗姆半导体(ROHM)的过零检测IC,BM1Z系列 上述仅简单举例几种常见的过零检测电路,除此之外仍有很多电路可实现该功能检测,当然在实际工程应用中也会碰到一些细节问题,例如:硬件电路延时
一、概述 在硬件设计中有时候经常会遇到,主芯片引脚使用的1.8V、3.3V、5V等,连接外部接口芯片使用的3.3V、5V等,由于电平不匹配就必须进行电平转换。...当IN输入0V时,三极管Q1导通,OUT被拉低到接近0V 电平,实现低电平转换;当IN输入高电平VDDA时,三极管Q1截止,此时OUT被电阻R3上拉至VDDB,从而实现高电平转换。...图2右图实现原理: 当输入IN为低电平时,三极管Q2关断,三极管Q3导通,输出OUT被拉低,从而实现低电平转换;当输入IN为高电平VDDA时,三极管Q2导通,从而三极管Q3被拉低关断,从而输出OUT被电阻...当终端设备TXD接口输出0V时,三极管Q1导通,单片机RXD接口被拉低到接近0V电平,实现低电平转换;当终端设备TXD接口输出高电平5V时,三极管Q1截止,此时单片机RXD接口被电阻R1上拉至3.3V,...(2)导通后,压降比三极管小。 (3)正反向双向导通,相当于机械开关。 (4)电压型驱动,需要一定的驱动电流。
(雪崩或齐纳击穿): N区和耗尽区被碰撞电离的空穴向P区注入,P区和耗尽区被碰撞电离的电子向N区注入; 1.2 三极管相关知识 NPN和PNP导通的条件:发射结正偏,集电结反偏; NPN导通时,集电极收集电子...2.4如图1,当VSS端电位下冲小于GND 0.7V时; 由于Rpw的存在,使NPN1三极管b极电位不能瞬间变化,导致NPN1三极管发射结正偏,由于集电结反偏,所以NPN1三极管导通。...总结:从以上几种情况分析我们可以看出,寄生三极管的导通,其根本原因是由于外接电位的变化,先导致寄生PN结的正偏或反偏击穿,然后在Rpw和Rnw上形成压降,进而使寄生三极管导通形成正反馈,最终形成闩锁。...3.1.3 倒掺杂阱技术 从上面的分析中我们很容易知道,Rpw和Rnw电阻的大小决定了寄生三极管是否导通的主要原因。如图2,Rpw越大在寄生NPN三极管的基级电位就越高,导致NPN三极管越容易导通。...反之,Rnw越大在寄生PNP三极管的基级电位就越低,导致PNP三极管越容易导通。 那么我们只要尽可能降低电阻值就可以阻止寄生三极管的导通,从而阻止闩锁发生。
三极管有三个状态:截止,放大,饱和。我们在单片机电路里,用三极管基本就是用两种状态:截止和饱和状态;即把三极管用作开关来用(饱和后的压降很低,相当于开关)。...在之前我们写的 蜂鸣器解析里贴出了三极管作开关用来驱动蜂鸣器的电路,具体电路图如下图1: ? 图1 上面图一中A电路用的是PNP管,把蜂鸣器接在三极管的集电极,低电平导通,高电平截止。...B电路用的是NPN管,注意蜂鸣器接在三极管的集电极,高电平导通,电阻按照经验法可以取4.7K。...例如B电路,导通时假设为高电平5V,基极电流Ib=(5V-0.7V)/4.7K=0.9mA,可以使三极管完全饱和。以上这两个都可以正常工作,只要给对应的驱动信号蜂鸣器(有源)都会发出声音。...我们以NPN三极管为例,电路如下图2: ? 图2 假设导通时高电平5V,基极电流Ib=(5V-0.7V- UL)/4.7K,其中UL为被驱动器件上的压降,此处为蜂鸣器的压降。
图3 为第三种错误接法,三极管的高电平门槛电压就只有 0.7V,即在 BUZZER 端输入 压只要超过0.7V就有可能使三极管导通,显然0.7V的门槛电压对于数字电路来说太低了, 电磁干扰的环境下,很容易造成蜂鸣器鸣叫...图 4 为第四种错误接法,当CPU的GPIO管脚存在内部下拉时,由于 I/O 口存在输入阻抗,也可能导致三极管不能可靠关断,而且和图3一样BUZZER端输入电压只要超过0.7V就有可能使三极管导通。 ...如果删除R2,则三极管的高电平门槛电压就只有0.7V,即A端输入电压只要超过0.7V 就有可能导通,添加R2的情况就不同了,当从A端输入电压达到约2.2V 时三极管才会饱和导通,具体计算过程如下: ...则三极管刚刚达到饱和导通时的基极电流是 IB=15mA/120=0.125mA。...则三极管刚刚达到饱和导通时的基极电流 IB=80mA/ 120=0.667mA。
把三极管箭头理解成一个开关,如图1为NPN型三极管,按下开关S1,约1mA的Ib流过箭头,三极管工作在饱和状态,c极到e极完全导通,c极电平接近0V(GND),负载RL两端压降接近5V。...图1:NPN三极管 如图2为PNP型三极管,按下开关S2,约1mA的Ib流过箭头,三极管工作在饱和状态,e极到c极完全导通,c极电平接近5V,负载RL两端压降接近5V。...图5:NPN三极管驱动蜂鸣器 如图6,对于某些控制信号为低电平时,可能并不是真正的0V,一般在1V以内,为保证三极管完全截止,不得不在三极管b极加一个反向稳压管或正向二极管,以提高三极管导通的阈值电压。...图6:NPN三极管驱动继电器 如图7,为三极管延时导通,快速关断的一个仿真电路,D1、R2、C1、D2构成延时导通Q2的回路,C1的电压为12V的时候Q2导通,R3、Q1、R4、R1构成快速关断Q2的回路...,C1通过R3和Q1快速放电。
因为二极管模型比较简单,我们单纯看BE间的电压,理解成为让二极管导通的原理,就容易理解多了。 如果想让三极管打开,首先需要让这个二极管导通,则需要二极管两端的电压大于其导通电压。...三极管开关与机械式开关的比较 截至目前为止,我们都假设当三极管开关导通时,其基极与射极之间是完全短路的。...如果开关本身应导通而未导通,那就得测试 Vin 的大小了。欲保证三极管导通,其基极的 Vin 电压值就必须够高,如果 Vin 值过低,则问题就出自信号源而非三极管本身了。...假使在 Vin 的准位够高,驱动三极管导通绝无问题时,而负载却仍未导通,那就要测试电源电压是否正常了。 在导通的状态下,硅三极管的 VBE 值要根据数据手册,查看其值的离散型和范围是否符合器件资料。...左边的电路,在基射极间串接上一只二极管,因此使得可令基极电流导通的输入电压值提升了0.6 V,如此即使 Vin 值由于信号源的误动作而接近 0.6V时,亦不致使三极管导通,因此开关仍可处于截止状态。
1.首先认识清楚三极管的管脚 参考资料万用表区分mos管引脚 2.知道管脚我们也就知道NPN和PNP了,箭头朝内 PNP,导通电压顺箭头过,电压导通,电流控制。...三极管的类型和用法我给大家总结了一句口诀,大家要把这句口诀记牢了:箭头朝内 PNP,导通电压顺箭头过,电压导通,电流控制。下面我们一句一句来解析口诀。...同理,NPN 型三极管的导通电压是 b 极比 e 极高 0.7V,总之是箭头的始端比末端高 0.7V 就可以导通三极管的 e 极和 c 极。...这就是关于“导通电压顺箭头过,电压导通”的解释,我们来看图 3-7。 图 3-7 三极管的用法 我们以图 3-7 为例介绍一下。...前边讲过,三极管有截止,放大,饱和三个状态,截止就不用说了,只要 e 和 b 之间不导通即可。我们要让这个三极管处于饱和状态,就是我们所谓的开关特性,必须要满足一个条件。
三极管的内部含有两个PN结,外部有③个引脚分别是 ↓ 集电极C 基极B 发射极E 如下图所示 提示:箭头方向就是发射极的导通方向,由基极向发射极。...这样使Q2开始导通,Q2的集电极输出的电流使Q1迅速饱和导通。注意:流过Q2基极的电流是一个很小的电流,Q2导通后,发射极-集电极的电流是个稍大的电流,这才是Q1导通的关键所在!...Q1导通后,扬声器就有电流流过,使它发声,同时电容C1开始充电,充电电流回路为:Q2发射极→基极→C1→Q1集电极→发射极→电源负极。...因为Q1已经饱和导通,所以Q1的集电极和发射极近似短路,电容C1充电的过程很短暂。此时电容C1充电的电压为左正右负。 电容C1左正右负的电压使Q2的发射结反偏,Q2关断。...使Q2又开始导通,又进入下一个过程,电路就如此循环工作下去。
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