或许大家看注入机设备规格的时候，会注意到在讨论能量范围的时候，KeV注明是单电荷。...因此在一锅Plasma中，一价的离子是最多的。 一般的离子注入机都有电荷的能力，原理大家可以想象高中学的什么库仑作用力吧，带的电荷不同，电磁场中获得的动量不同。...1963年Lindhard，Scharff 和 Schiott首先确立了注入离子在靶内的分布理论。简称LSS理论。 LSS理论就是讨论离子是靶内是如何停下来的，靠靶的原子核或者核外电子。...如果我们只知道需要掺杂的剂量，和离子能量，如何计算注入离子在靶材中的浓度和深度 例如一个140KeV的B+离子，注入150mm的6寸硅片上，注入剂量Q=5*1014/cm2，衬底浓度2*1016...估算注入离子的投影射程，标准偏差、峰值浓度、结深。 如果注入时间1分钟，估算所需束流。
有A因素引起的 差异叫效应平方和SA （反应的是在因素A的不同水平下，样本均值和总体数据均值差异的平方和），随机误差引起的差异，叫做误差平方和SE （反应是在因素A的各个取值下，每组观察数据与这组数据均值的平方误差之和...， 双因素方差分析就是在因素A,B作用下试验的指标，因素A有r个水平，因素B有s个水平，在A,B的不同水平下得到的试验结果如下： 并设有条件 Xijk独立，数学模型如下： 每一个格子都有一个平均值...推进器':'B3','射程':40.7}, {'燃料':'A4','推进器':'B1','射程':75.8},{'燃料':'A4','推进器':'B1','射程':71.5}, {'燃料':'A4','...推进器':'B2','射程':58.2},{'燃料':'A4','推进器':'B2','射程':51.0}, {'燃料':'A4','推进器':'B3','射程':48.7},{'燃料':'A4','推进器...'], ylabel='射程', xlabel='燃料') 从这个图里面可以看出， (A4, B1)和(A3, B2)组合的进程最好 print(pairwise_tukeyhsd(df_t3['射程
两种BGA封装技术的特点 BGA封装内存：BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；...TinyBGA封装内存：采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。...这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。...2、封装工艺流程 圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装。...2、封装工艺流程 圆片凸点的制备->圆片切割->芯片倒装及回流焊->底部填充导热脂、密封焊料的分配->封盖->装配焊料球->回流焊->打标->分离->最终检查->测试->包装。 ?
{'燃料':'A3','推进器':'B3','射程':39.2},{'燃料':'A3','推进器':'B3','射程':40.7}, {'燃料':'A4','推进器':'B1...','射程':75.8},{'燃料':'A4','推进器':'B1','射程':71.5}, {'燃料':'A4','推进器':'B2','射程':58.2},{'燃料':'A4','推进器...':'B2','射程':51.0}, {'燃料':'A4','推进器':'B3','射程':48.7},{'燃料':'A4','推进器':'B3','射程':41.4},] df_t3=pd.DataFrame...， 我在第二个实验中尝试过改这个参数，改成1的时候发现就加了一列mean_sq， 然后其他的没变。...四、写到最后 方差分析这块到这里就结束了， 随着这篇文章的结束也意味着概率统计的知识串联也到了尾声， 简单的回顾一下本篇的内容， 这篇文章主要是在实践的角度进行的分析， 方差分析在统计中还是很常用的，
设超声波脉冲由传感器发出到接收所经历的时间为t，超声波在空气中的传播速度为c，则从传感器到目标物体的距离D可用下式求出:D = ct/2,图 2是相应的系统框图。 ?...1.4 电气参数 电气参数 HC-SR04模块 工作电压 DC5V 工作电流 15mA 工作频率 40KHZ 最远射程 4M 最近射程 2CM 测量角度 15度 输入触发信号 10uS 的 TTL 脉冲...输出回响信号 输出 TTL 电平信号，与射程成比例 规格尺寸 45*20*15mm 2、软件实现 对程设计最重要的就是模块的时序图了，一切皆时序，看明白了时序，那么驱动自然也就不难写了，分析上面时序...接下来，配置超声波模块用到的IO，PB14作为Trig引脚，配置为输出模式，PB15作为Echo引脚，配置为输入模式 ?...此时IO的状态有个默认值，可能不是我们上电初始化希望保持的状态，比如Trig引脚是需要输出不低于10us的高电平脉冲，那么Trig初始引脚配置为低电平使我们希望的，为实现这个目的，需要再配置一下 ?
基本概述 TP4054是一个完善的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片。 更值得一提的是，TP4054专门设计适用于USB的供电规格。...TP4054芯片具有CC/CV模式，可以更好地对锂离子电池进行充电管理和保护，同时能够起到很好的充电与放电保护功能。...电池接反时，内部保护电路保护VBAT的ESD二极管不被烧坏，同时GND与BAT之间形成大约0.7mA电流。 VCC（引脚4）：提供正电压输入。为充电器供电。...PROG（引脚5）：充电电流编程，充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为1%的接到地的电阻控制PROG脚。在恒定充电电流状态时，此端口提供1V的电压。...良好的 PCB 板布局可以有效减小客户在大电流充电应用中温度对电流的影响。
本文介绍如何使用枚举以及，如何将枚举类型更好的应用于项目中，看完本文可以有序的将项目中的枚举更容易的使用到每个角落。...，在项目中使用的话，一般都会将它作为某实体的一个属性，这个时候问题就来了，在页面里边我们是需要拿到与之相关的描述信息和对应的值作为一个下拉框或者checkbox让用户去选择，同时也不可以将Disable...Description; } 好像到这一步的时候问题可以得到解决，通过getdescroption()这类的方法可以去获取到与枚举相应的描述信息用于展示，但是这也仅限于在mvc模式下，...通过viewbag将枚举的类中的每一项都加到枚举集合中返回给页面，在页面里边遍历，如果枚举类型很多，那么这类型的重复逻辑就会很多，非常的心烦。...，Enum是Ftw类库下的一个文件夹，所有的枚举类都在Enum下边放着，EnumHelper是 2 中方法【GetEnumListModels】所在的类，通过反射程序集得到枚举类型，通过反射程序集将类型传入
HE4484E是一款5VUSB适配器输入，高精度双节锂离子电池充电管理芯片。具有0V充电功能，涓流充电、恒流充电、恒压充电和自动截止、自动再充等一套完整充电循环的充电管理芯片。...HE4484E标准浮充电压为8.40V，其底部带有散热片接地的ESOP8封装，极其精简的外部器件，使得HE4484E成为便携式双节锂锂电池充电应用的理想选择。...当输入电压（USB电源或AC适配器）被拿掉时，HE4484E自动进入低电流状态，将电池的漏电流降至1uA以内。...HE4484E其它特点包括：欠压闭锁、自适应适配器、自动再充以及一个LED充电状态指示引脚等。 应用： 版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。...如发现本站有涉嫌侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 举报，一经查实，本站将立刻删除。
小型等离子清洗机结构要点 传统的电容耦合式等离子清洗机结构，即内平行极板。...系统由三大部分组成包括真空系统、放电系统和控制系统 在容性耦合等离子产生装置下，电子密度与极板间距成正比例关系，平均电子温度与极板间距成反比关系，其均匀性与极板间距成正比关系即随着间距的增大均匀性变好...卧室电容耦合等离子清洗机，可以直接将工件放在下电极上，但是研究发现，等离子体密度最大区域，是在等离子区域2-8cm 之间，因此可以使用一个高度为3cm的支座，支座的放置也便于工件的取放。...因为支座要放置在极板上，极板温度在放电过程中会持续增高，所以在支座材料选择上面选择了不易氧化的材料。 为了满足不同工艺的需求，需要向反应腔体内部充入不同的气体。...电容耦合式等离子清洗机反应室本身为不锈钢管构成，电容极板位于真空室内， 因为金属本身对于辐射具有很好的屏蔽效果，所以不需要在对装置设置单独的屏蔽 装置，辐射和干扰都非常小，不会对控制系统造成干扰。
Metal3D为在计算中设计金属离子结合位点铺平了道路，无需依赖预定义的几何规则或昂贵的量子力学计算。...4 模型对比 图3 现有的金属离子预测器可以分为两类：结合位点预测器和结合位置预测器。前者仅识别结合离子的氨基酸残基，而后者预测金属离子自身的坐标。...如果工具在5Å范围内未预测到金属，则将该位点视为假阴性（FN）。假阳性（FP）预测，即在错误的位置上放置金属，按照5Å范围进行聚类，并按每个聚类计数一次。...图4 在评估工具预测的位点数量之后，另一个关键指标是预测的空间精度。对于正确识别的位点（TP），作者测量了实验位置与预测位置之间的平均绝对偏差（MAD）（图4a）。...对于人类酰基转移酶ZDHHC23（Uniprot Q8IYP9），存在一个高可信度的AlphaFold2预测，但AlphaFill无法放置金属离子，因为与最接近的PDB结构（PDB 6BMS47）的序列相似性为
等离子显示器的构成（来源：Wikipedia） 等离子的发光原理是在真空玻璃管中注入惰性气体或水银蒸气，加电压之后，使气体产生等离子效应，放出紫外线，激发荧光粉而产生可见光，利用激发时间的长短来产生不同的亮度...等离子显示器中，每一个像素都是三个不同颜色（三原色）的等离子发光体所产生的。由于它是每个独立的发光体在同一时间一次点亮的，所以特别清晰鲜明。...计算器中的LCD显示器（来源：Wikipedia） LCD 的构造是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶盒，下基板玻璃上设置TFT（薄膜晶体管），上基板玻璃上设置彩色滤光片，通过TFT上的信号与电压改变来控制液晶分子的转动方向...[3] 当对单个电极施加正或负电场时，带有相应电荷的彩色粒子将移动到囊体的顶部或底部，使电子纸显示器的表面呈现出某种颜色。...Sources： [1] 等离子显示屏_百度百科 (baidu.com) [2] LCD（电子产品）_百度百科 (baidu.com) [3] 电子纸_百度百科 (baidu.com) [4] DLP技术的工作原理及应用领域
和1.383-2.296 m），以便于在普通土地模型和社区土地模型（CLM）中使用。...+离子 K float me/100g 30 -999 Exchangeable K+,可交换的K+离子 LDE float cm 30 -999 土层深度 LDEP float cm 30 -999...30 -999 Porosity,孔隙率 R float -- 30 -999 Root Abundance Description,根系丰度 RC float cm 30 -999 到土层底部的深度(...具有多个稠度分类的土壤) RS float cm 30 -999 到土层底部的深度(具有多个结构类别的土壤) S1 int -- 30 -999 土壤结构类型 S2 int -- 30 -999 土壤结构类型...，如：AK、AL、AN……Wc、Wh、Wv .select("TK_5") //每个数据中有8个波段,此数据的波段为："TK_1"，"TK_2","TK_3","TK_4","TK_5","TK_6",
锌离子被移植到AlphaFill模型中，在催化部位和锌指图案处（图4a）。结构中的锌离子由三个组氨酸残基和一个半胱氨酸配合。...图4：移植的锌离子的例子（紫色球体）。 a, STAM结合蛋白中的一个催化型（顶部）和一个结构型（底部）锌离子。b, 人类BMI-1中的两个结构性锌离子。...c, 锌指蛋白91中转移到结构性锌结合位点的锌离子（上），同一蛋白中错误放置的锌离子（下）。...，特别是组氨酸R5（图4d）。...AlphaFill捕捉到AlphaFold和PDB-REDO模型之间的相似性，将这两个锌离子移植到ENPPs的蛋白质模型中（图4d）。
今天给大家介绍的是属于电源管理芯片中的开关型锂离子电池充电芯片，在前面介绍了一款锂离子电池充电池TP4054，相比于之前的那款芯片，这款芯片具有更强大的功能与应用。...典型应用电路 快速充电电流由ISET引脚编程决定。当电池电压达到终端电压，即4.2V时，充电路径断开SYS到BATT的连接。...引脚定义 该芯片可以应用与平板电脑、MID、智能手机和充电宝等设备。...芯片采用最新的封装ESOP8 部分电特性参数 引脚描述 典型工作条件 在应用中，与OVP芯片一起使用的典型应用电路 电池充电配置文件 充电电流转换流程 芯片的内部功能框图 ETA6002输入电压，输出电压...输出： 输入： 对于ETA6002的实际使用经验总结，相信大家在使用这款芯片时一定会有相应的启发和收获。
不同于今天的数字芯片，需在二进制、开/关信号的基础上进行计算，“芯片上的大脑”的元件将以模拟的方式进行工作，通过交换梯度信号或者“权重”信号来激活，很像神经元根据穿过突触的离子种类和数量来激活。...当对突触施加电压时，离子应该在开关介质中移动，以产生导电纤维，这类似于突触“权重”信号的变化过程。 但是在现有的设计中很难控制离子的流动。...Kim称，这是因为大多数由非晶态材料制成的开关介质有无限的可能路径，离子通过这些路径流动——有点像机械街机游戏弹球盘（Pachinko），通过一系列的引脚和杠杆将小钢球转移或引导使小球离开机器。...整个离子流随时在改变，很难控制。这就是所面临的最大问题——人工神经突触的不均匀性。...当他们对每个突触施加电压时，发现所有的突触都显示出几乎相同的电流或离子流，突触之间的差异约为4%，与由非晶质材料制成的突触相比，其性能表现更为一致。
单片机为沁恒的CH32V307VCT6，板子为TencentOS RISC-V 开发板，程序是在例程EXAM-Demo-Project中做的修改。...幸好发现在沁恒的CH32FV2x_V3x 系列应用手册中提到了重映射功能，在AFIO_PCFR1寄存器中可以将USART3映射到了PD8和PD9引脚。...图片图片程序方面实现了UART3的接收中断将收到的数据发回，task1 将接收数据的长度显示出来。...重映射程序如下： GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure={0}; USART_InitTypeDef USART_InitStructure={0};...GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN_FLOATING; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);// IO将接收中断的数据发回的代码就很容易实现了
1.飞机发射子弹型 想要实现子弹的的飞行效果，又不想在每帧Update里计算位置，最好的方法调用CCMoveTo 例在发射子弹的时机，能够ccTouchBegan时： CCMoveTo...* move = CCMoveTo::create(0.4f, ccp(_plane->getPosition().x+winSize.width/4, _plane->getPosition().y)...);//射程是屏幕的1/4,起点是飞机的位置，用0.4秒飞完射程 _bullet->runAction(CCSequence::create(move, CCCallFuncN::create(this..., callfuncN_selector(BaseLayer::bulletRemove)), NULL)); //子弹飞完记得要销毁 销毁子弹的方法看project而定，这是我自己的project写法...: void BaseLayer::bulletRemove(CCNode* spend) { CCSprite* sprite = (CCSprite*)spend;//把传过来的CCNode转换成子弹
街区通常是空白的，但有些公司在街区内放置对准靶，或测试的结构。 （3）工程试验芯片（Engineering die，test die）：这些芯片与正式器件（或称电路芯片）不同。...它包括特殊的器件和电路模块用于对晶圆生产工艺的电性测试。 （4）边缘芯片（Edge die）：在晶圆的边缘上的一些掩膜残缺不全的芯片。...气态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜。在芯片应用中，热扩散也被称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。 （2）离子注入 离子注入是一个物理反应过程。...晶圆被放在离子注入机的一端，掺杂离子源（通常为气态）在另一端。 在离子源一端，掺杂体原子被离子化（带有一定的电荷），被电场加到超高速，穿过晶圆表层。...¨ 目前，测试的设计人员在探索如何将测试流程更加简化而有效，例如，同时进行多个芯片的测试。
这些钝化液都能起到提高 GaAs 材料表面物化性质的作用，但也有各自的缺点。比如 Na2 S·9H 2 O 在溶液中引入的钠离子易污染腔面。...(NH4 )2S、(NH4 )2 Sx存在反应过程缓慢、钝化工艺可控性差等问题。硫化钝化的不足之处是在空气中不稳定，长时间放置钝化效果容易退化。工艺稳定性差。...一般而言，GaAs 在碱性(NH 4 ) 2 S 溶液中浸泡时，其表面上的自然氧化层首先被溶解在溶液中，进而 Ga 和 As 的硫化物生成与溶解并存，导致了碱性的(NH 4 ) 2 S 溶液对 GaAs...溶液中的 S-2 离子首先与 GaAs 表面上的Ga 和 As 成键，并进一步反应形成了 Ga 和 As 的硫化物，由于 Ga 和 As 的硫化物易溶于碱性的(NH 4 ) 2 S 溶液中，如果对半导体激光器腔面处理时间过长...，激光器腔面上生成的硫化物随即溶解在碱性的(NH 4 ) 2 S 溶液中；另外浸泡时间过长碱性(NH 4 ) 2 S 对 GaAs 表面形貌会有明显的刻蚀破坏作用，造成其可靠性降低、性能严重恶化。
它被销毁的时机包括：命中物体时，移出屏幕，或者超出射程，又或者固定在诞生几秒后自动移除等。...这里使用射程来对子弹进行移除，对水平发射而言，射程就是子弹在水平方向上的偏移距离，如下图蓝框所示区域： image.png ---- 2....---- 在 Adventurer 的 onLoad 方法中，指定 playing 为 false 可以在开始不会执行帧动画。...子弹的发射 如下，定义 Bullet 构建来表述子弹角色，在构造时指定图片 sprite 和最大射程 maxRange 。...这种校验的思路是：在每帧触发 update 时，校验怪物的矩形区域是否包含某点。比如说，当弓箭的中心在怪物的矩形域中，就表示命中。
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