首页
学习
活动
专区
工具
TVP
发布
精选内容/技术社群/优惠产品,尽在小程序
立即前往
  • 您找到你想要的搜索结果了吗?
    是的
    没有找到

    MOS管及其外围电路设计

    常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要回答的问题就是对于一个确定的功率管,如何合理地设计其对应的驱动电路(如驱动电阻阻值的计算,驱动芯片的选型等等)。 注1:图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响,因此在后文分析mos的开关瞬态时,均忽略Rpd的影响。 注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三个电容的影响至关重要。

    01
    领券