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stm32flash读写特性

在使用stm32自带的flash保存数据时候,如下特点必须知道: 1、必须是先擦除一个扇区,才能写入 2、读数据没有限制 3、写数据必须是2字节,同时写入地址以一定要考虑字节对齐, 4、一般都是在最后几页进行数据保存的...,确保数据量不超过flash的的大小,比如f103大容量是2k字节,其实一个扇区只能写入1k数量的2字节的数据。...网上是如下的解释: 先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便 flash存储器有个特点,就是只能写0,不能写1。所以如果原来的地址有数据了,意味着有一些位为0,这些位就相当于无效了。...另外每次擦除都必须擦除一个2K(随芯片大小决定)大小的扇区,这是flash的特性所决定的。

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linux nand flash驱动编写

很长一段时间,nand flash都是嵌入式的标配产品。nand flash价格便宜,存储量大,适用于很多的场景。现在很普及的ssd,上面的存储模块其实也是由一块一块nand flash构成的。...对于linux嵌入式来说,开始uboot的加载是硬件完成的,中期的kernel加载是由uboot中的nand flash驱动完成的,而后期的rootfs加载,这就要靠kernel自己来完成了。...1、nand flash驱动在什么地方,可以从drviers/mtd/Makefile来看 obj-y += chips/ lpddr/ maps/ devices/ nand/ onenand/...tests/ 2、nand在mtd下面,是作为一个单独目录保存的,这时应该查看nand下的Kconfig config MTD_NAND_S3C2410 tristate "NAND Flash...for Samsung S3C SoCs" depends on ARCH_S3C24XX || ARCH_S3C64XX help This enables the NAND flash

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linux读写

读写锁 与互斥量类似,但读写锁允许更高的并行性。其特性为:写独占,读共享。 读写锁状态: 一把读写锁具备三种状态: 1. 读模式下加锁状态 (读锁) 2. 写模式下加锁状态 (写锁) 3....不加锁状态 读写锁特性: 1. 读写锁是“写模式加锁”时, 解锁前,所有对该锁加锁的线程都会被阻塞。 2....那么读写锁会阻塞随后的读模式锁请求。优先满足写模式锁。读锁、写锁并行阻塞,写锁优先级高 读写锁也叫共享-独占锁。当读写锁以读模式锁住时,它是以共享模式锁住的;当它以写模式锁住时,它是以独占模式锁住的。...函数 以读方式请求读写锁。...return 0; } 发布者:全栈程序员栈长,转载请注明出处:https://javaforall.cn/169991.html原文链接:https://javaforall.cn

3.2K30

linux读写锁_共享内存读写

一、读写锁是什么?...读写锁其实还是一种锁,是给一段临界区代码加锁,但是此加锁是在进行写操作的时候才会互斥,而在进行读的时候是可以共享的进行访问临界区的 ps:读写锁本质上是一种自旋锁 二、为什么需要读写锁?...有时候,在多线程中,有一些公共数据修改的机会比较少,而读的机会却是非常多的,此公共数据的操作基本都是读,如果每次操作都给此段代码加锁,太浪费时间了而且也很浪费资源,降低程序的效率,因为读操作不会修改数据...,只是做一些查询,所以在读的时候不用给此段代码加锁,可以共享的访问,只有涉及到写的时候,互斥的访问就好了 三、读写锁的行为 读写之间是互斥的—–>读的时候写阻塞,写的时候读阻塞,而且读和写在竞争锁的时候...pthread_rwlock_destroy(&rwlock); return 0; } 运行结果: 发布者:全栈程序员栈长,转载请注明出处:https://javaforall.cn

6.2K10

Nand Flash驱动程序分析

来控制读写的操作 4. 当FCLE为高电平时传输的是命令, FALE为高电平时传输的是地址,当FCLE和FALE都为低电平时传输的是数据。...发出数据或者读取数据 */ /*其次,我们来分析三星公司自带的Nand Flash驱动程序。...路径: drivers/mtd/nand/s3c2410.c*/ //老套路了还是平台驱动程序,既然是平台驱动程序,就有平台设备的存在 static int __init s3c2410_nand_init...而把和硬件相关的, 经常需要变化的留给设备层,而设备层就是由我们程序员编写,因为设备层的差别各异, 很难抽象成统一的整体。...*/ /*上面的分析是对自带的程序分析: 那我们如何写驱动程序同时也能融合到内核为我们提供好的nand层*/ /* 1. 分配一个nand_chip结构 2.

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Verilog:【8】基于FPGA实现SD NAND FLASH的SPI协议读写

在此介绍的是使用FPGA实现SD NAND FLASH读写操作,以雷龙发展提供的CS创世SD NAND FLASH样品为例,分别讲解电路连接、读写时序与仿真和实验结果。...相较于EEPROM计数,下文提到的FLASH技术,具有更快的速度,工艺上可以分为NOR FLASH和NAND FLASH两种  2.NOR FLASH  NOR FLASH是一种非易失闪存技术。...其特点是芯片内执行 (XIP),应用程序可以直接在存储芯片内运行,不必再把代码读到系统 RAM 中。其传输效率较高高,在 1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益。  ...3.NAND FLASH  NAND FLASH内部采用非线性宏单元模式,这种结构能提供极高的单元密度,并且写入和擦除的速度很快。...由于NAND FLASH在大容量应用中的便利性,因此作为今天介绍的主角~  什么是SD NAND呢(以下省略FLASH)?

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M-Arch(4)第三个示例:Flash读写操作

读写的接口设计和示例,这在设计升级程序时十分重要。...一般而言,MCU的Flash包括4个部分: 主存储区(Main memory),其特点是可读可写,存放的是程序;如果空间足够,也可以用来存放数据(参数,记录等)。...Flash读写的流程和注意事项在芯片手册中写的清清白白,就不赘述了;如果大家感兴趣,可以对着厂家给的API接口比对着看,理解会更好一点。...FMC测试 FMC的操作实际上比较简单,厂家给的API都很成熟,需要注意的几个点: FMC不能“自杀”,即不能由程序自己写自己,所以FMC只能写非程序区的Flash。...主存读写测试 配置Flash程序区: flash配置 接口封装统一(io_fmc.h): #ifdef STM32 #define fmc_sector_erase FLASH_ErasePage

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