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Block RAM与Distributed RAM

Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时,FPGA先提供Block RAM,当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAM和DRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。

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FPGA block RAM和distributed RAM区别

区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。...5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。...否则,就可以用Distributed RAM

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IP CORE 之 RAM 设计- ISE 操作工具

本系列将带来FPGA的系统性学习,从最基本的数字电路基础开始,最详细操作步骤,最直白的言语描述,手把手的“傻瓜式”讲解,让电子、信息、通信类专业学生、初入职场小白及打算进阶提升的职业开发者都可以有系统性学习的机会...后续会陆续更新 Xilinx 的 Vivado、ISE 及相关操作软件的开发的相关内容,学习FPGA设计方法及设计思想的同时,实操结合各类操作软件,会让你在技术学习道路上无比的顺畅,告别技术学习小BUG...IP CORE 之 RAM 设计 - ISE操作工具 作者:李西锐 校对:陆辉 本篇实现基于叁芯智能科技的SANXIN -B02 FPGA开发板,如有入手开发板,可以登录官方淘宝店购买,还有配套的学习视频...设计要求 设计一个深度为256,宽度为8的RAM。不需要初始化内容。 设计原理 RAM,此种存储器支持写操作,支持读操作。在存储器建造时,可以进行初始化数据,也可以不进行初始化数据。...顶层设计 顶层负责调用my_ram,例化文件在ipcore_dir -> my_ram.veo中。

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如何实现一个RAM?(单端口RAM、伪双端口RAM、真双端口RAM|verilog代码|Testbench|仿真结果)

这意味着,如果CPU需要读取RAM中的数据并将其写入另一个位置,必须先执行读取操作,然后执行写入操作。这种延迟可能会影响计算机系统的性能。单端口RAM通常用于低端计算机系统或嵌入式系统中。...伪双端口RAM可以提供并行读写操作,避免了传统单端口RAM的等待时间,因此有更快的访问速度和响应时间。...伪双端口RAM主要用于高速数字信号处理,如通讯协议、图像处理等,因为它可以实现非常快速的读/写操作。而FIFO常用于缓冲和转换两个数据流之间的数据,例如音视频捕捉、交换机队列、路由器缓存等应用场景。...这意味着,如果CPU需要读取RAM中的数据并将其写入另一个位置,必须先执行读取操作,然后执行写入操作。 2.2 verilog代码 实现一个深度为16、位宽为4的单端口RAM。...伪双端口RAM可以提供并行读写操作。 4.2 verilog代码 实现一个深度为16、位宽为4的伪双端口RAM

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ram和rom的区别_RAM和ROM各有什么特点

4、DRAM(Dynamic RAM)动态RAM   5、DDR SDRAM (Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM   6、NOR FLASH...(DOS、WINDOWS、QNX、VxWorks、Linux、pSOS等) 二、正文   1、ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access...任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,   所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。   ...● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。   ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。...NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

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ROM与RAM的区别

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用...一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的...但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表0,并把电容放电...* 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 * NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 接口差别: NOR Flash与主控芯片的连接线分为数据线和地址线,所以可以随时访问任意地址。 ?

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Block RAM的基本结构

以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)和输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。...采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时,可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位,输出寄存器是带有复位端口的,但仅支持同步高有效。...实验证明,只要按照该结构描述,所有的寄存器会映射到Block RAM架构中,不会消耗额外的寄存器。 ?...结论: -在使用Block RAM时,为便于时序收敛,最好使用Embedded Registers 上期内容: 查找表用作分布式RAM 下期内容: Block RAM的性能与功耗

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Linux基本操作&&Linux操作MySQL

Linux基本操作&&Linux操作MySQL 安装Linux系统 下载VMware虚拟机 下载CentOS-7系统 创建虚拟机 选择自定义 下一步 下一步 选择Linux 选择存放位置...系统 官网下载filezilla 设置主机ip 用户名 密码 端口号为22端口 Linux基本操作 Linux没有图形化界面,我们只能通过控制台去操作系统,我们就要使用类似DOS命令的Linux命令去操作系统...尽管在Linux上也有很多图形界面的编辑器可用, 但vi在系统和服务器管理中的功能是那些图形编辑器所无法比拟的。...log dump 线程,用来给从库 i/o线程传binlog; SQL 线程,会读取relay log文件中的日志,并解析成具体操作,来实现主从的操作一致,而最终数据一致; 主从复制实现过程 主机..., 因为每次操作数据库时这两值会发生改变 show master status; 记住这两个值 从机 Linux系统 进入从机修改配置文件 vim /etc/my.cnf 设置值 log-bin

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RAM刷新周期问题

在刷新模式中死时间应试是连续的不能进行存取操作的时间。...RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为...3、另外异步式刷新,在异步刷新里,相当于把刷新周期内所有的存取周期等长的分成了N段,在每段的末尾只会有一个存取周期用来刷新,而等其结束后又可进行存取操作,虽然在最大刷新间隔2ms内总的刷新时间是一样的,...但因为连续的不能进行读取操作的时间为2us,只能说死区是2us, 比 集中式小很多。...因为实际情况中,2ms的时间内 并不是一直有存取操作的。比如说 2ms 时间内只有一个读操作,如果正好遇到集中式的刷新时间这个操作需要等128us, 而异步只需等待一个刷新时间2us!

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RAM的Verilog HDL调用

单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分,分别实现两个独立的单端口RAM。...当读操作和写操作同时对同一个地址单元时,简单双口RAM 的输出或者是不确定值,或者是存储在此地址单元的原来的数据。...(3)真正双端口RAM 模式 真正双端口RAM模型如下图所示,图中上边的端口A和下边的端口B都支持读写操作,WEA、WEB信号为高时进行写操作,低为读操作。...同时它支持两个端口读写操作的任何组合:两个同时读操作、两个端口同时写操作或者在两个不同的时钟下一个端口执行写操作,另一个端口执行读操作。 真正双端口RAM模式在很多应用中可以增加存储带宽。...在FIFO具体实现时,数据存储的部分是采用简单双端口模式操作的,一个端口只写数据而另一个端口只读数据,另外在RAM(块RAM和分布式RAM)周围加一些控制电路来输出指示信息。

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Android 手机到底需要多少RAM

手机的RAM似乎每季度增加一次,那么手机到底实际需要多少RAM。...Android 内存管理 在Android上启动新应用程序时,Linux内核会创建一个新进程。进程是具有自己的虚拟地址空间(映射到物理内存)的执行单元。...Linux内核管理该进程所需的资源,包括在CPU上运行的时间,数据的输入和输出(通过网络或通过文件系统)以及物理内存(RAM)。 当资源丰富时,内核的工作很容易。...当您没有更多的内存时,等待更长的时间可能不会导致释放更多的RAM。这时,内核需要主动获取一些RAMLinux和Android以两种方式处理此问题。首先,使用zRAM进行交换。...交换是Linux在PC和服务器上使用的一种思想。如果没有足够的内存,则最早,最不常用的内存页面将被写到磁盘,并且它们占用的内存可用于其他进程。

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(笔记)CPU & Memory, Part 1: RAM

所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口(port) CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈: 为设备去访问RAM的瓶颈。...2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟,但SRAM贵,容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。...2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。...DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。...(成本原因) memory cell必须被单独选择才能够使用 address line的数目直接影响到内存控制器、主板、DRAM module、DRAM chip的成本 需要等待一段时间才能得到读、写操作的结果

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加载RAM磁盘编译Xcode项目

每次对Xcode iOS项目进行clean、build或者在iOS虚拟机上launch,Xcode都会在DeriveData文件夹中进行读写操作。...1024 / 512): C代码 收藏代码 hdid -nomount ram://4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字:/dev/diskN(N为数字)。...这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。...每次对Xcode iOS项目进行clean、build或者在iOS虚拟机上launch,Xcode都会在DeriveData文件夹中进行读写操作。...这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。

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