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Linux - How to use LVM in Linux

无论在Linux或者其他类似的系统,都是非常的好用。传统分区使用固定大小分区,重新调整大小十分麻烦。但是,LVM可以创建和管理“逻辑”卷,而不是直接使用物理硬盘。...partition 1 Hex code (type L to list codes): 8e ## LVM 的分区代码 Changed system type of partition 1 to 8e (Linux...这里我们可以看到Linux LVM的ID 8e。 写入修改并退出fdisk。 重复以上步骤,为另外2个磁盘sdb和sdc创建新分区。然后重启机器,使用fdisk命令来验证分区表。...# vgs 这将使用上面创建的3个物理卷创建名为tecmintaddvg的卷组,PE大小为32MB。...# vgcreate -s 32M tecmint_add_vg /dev/sda1 /dev/sdb1 /dev/sdc1 接下来,再次运行vgs命令来验证卷组。

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工程师必须知道的PMOS LDO工作原理

工作流程 当Vout由于负载变化或其他原因电压下降时,两个串联分压电阻两端的电压也会下降,进而A点电压下降,A点的电位和Vref电位相比较,误差放大器会减小它的输出,使得G电位下降,Vs电压不变,进而使得|Vgs...|的压差增加(我们用Vgs和Vds的绝对值描述PMOS更直观),输出电流Isd会增加,输出电流Isd增加就会使得Vout上升,完成一次反馈控制,使得Vout又回到正常电位。...顺着下图绿色箭头指示方向|Vgs|逐渐上升,Ids跟着|Vgs|上升而上升,而这段区域内不管Vds怎么变Id基本不变,换句话说,恒流区内,Ids受Vgs控制,因此基于MOS的放大器有时也被叫做跨导放大器...紧接着反馈回路开始发挥作用,由于Vout下降,则Va降低,运放会使得Vg下降,Vg-Vs=Vg-Vin=Vgs,|Vgs|也上升(|Vgs|<0),在Vgs驱动下Iout会慢慢上升,在输出特性曲线恒流区内体现为由...Iout=Id,随着Vgs上升时,Vds慢慢减小,最终Vout又上升回来,完成了一次完整的反馈控制。 5.

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pmos开关电路原理_高频开关电源电路图

电路分析 如下图所示R5模拟后级负载,Q1为开关,当R3端口的激励源为高电平时,Q2饱和导通,MOS管Q1的VGS<VGSth导通,R5负载上电,关断时负载下电。...一直到t1时刻,Vgs上升到阈值开启电压Vg(th)在t1时刻以前,MOS处于截止区。 t1—t2阶段 t1时刻,MOS管开始导通,Id开始上升了。...t2—t3阶段 从t2时刻开始,进入米勒平台时期,米勒平台就是Vgs在一段时间几乎维持不动的一个平台。此时漏电流Id最大。...且Vgs的驱动电流转移给Cgd充电,Vgs出现了米勒平台,Vgs电压维持不变,然后Vds就开始下降了。...t3~t4阶段 当米勒电容Cgd充满电时,Vgs电压继续上升,直至MOS管完全导通。 从上述周期看出MOS管开启过程主要受Cgs和Cgd共同影响。

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Linux - How to ExtendReduce LVM’s (Logical Volume Management) in Linux

系列 How to use LVM in Linux How to Extend/Reduce LVM’s (Logical Volume Management) in Linux How to Take...# pvs # vgs # lvs ? 在物理卷和卷组中没有空闲空间可用了,所以,现在我们不能扩展逻辑卷的大小。...输入8e来将分区类型修改为Linux LVM。 使用p来打印创建的分区(这里我们没有使用该选项)。 按w写入修改。 验证LVM分区 使用fdisk列出并检查我们创建的分区。...# vgs ? 我们甚至可以看到哪个PV用于创建使用中的特定卷组。 # pvscan ? 这里,我们可以看到卷组所处的物理卷。我们已经添加了一个pv,而且它完全空着。...# pvs # vgs # lvs ? 添加的新物理卷。 卷组vg_tecmint从17.51GB扩展到了35.50GB。 逻辑卷LogVol01从16.51GB扩展到了34.50GB。

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全面认识MOS管,一篇文章就够了

VGSVGS(th),且VDS>VGS-VGS(th),MOS管进入恒流区: 恒流区在输出特性曲线中间的位置,电流ID基本不随VDS变化,ID的大小主要决定于电压VGS,所以叫做恒流区,也叫饱和区,当...VGS>VGS(th) ,且VDS < VGSVGS(th),MOS管进入可变电阻区: 可变电阻区在输出特性的最左边,Id随着Vds的增加而上升,两者基本上是线性关系,所以可以看作是一个线性电阻,...当VGS不同电阻的阻值就会不同,所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。...1、VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。...MOS管的导通条件 MOS管的开关条件: N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通; P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。

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MOS管电平转换电路学习

图1 图2 电路原理很简单,分两种情况: 1.从A到B A为高电平时,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平; A为低电平时,MOS管内的体二极管导通,使MOS管的S极被拉低,从而使Vgs=...3.3V>Vgs(th)=1.6V,MOS管导通,B端被拉低,输出低电平; A为高阻态时,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平。...MOS管里的体二极管把A端拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V>Vgs(th)=1.6V,MOS管导通,A端被彻底拉低,输出低电平; B为高阻态时,MOS管关断,A端通过上拉,输出高电平。...进一步分析,在上电瞬间B点电压确实为0,但是也因此导致Vgs=3.3V,MOS管导通,R3又和上拉电阻R1形成了分压关系,导致B点无法拉到低电平。

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MOSFET 数据手册,试试这样看!

VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。...VGS(th)表示的是MOS的开启电压(阀值电压),对于NMOS,当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时,NMOS就会导通。...IDSS表示漏源漏电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源漏流,一般在微安级。...MOS数据手册上一般会画出当VGS=10V时的导通电阻随温度变化的曲线。...可以看到,MOS管的相关参数其实有很多,其实,在一般应用中,我们主要考虑漏源击穿电压VDS、持续漏极电流ID、导通电阻RDS(ON)、最大耗散功率PD、开启电压VGS(th),开关时间,工作温度范围等参数就可以了

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