Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时,FPGA先提供Block RAM,当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAM和DRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。...5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。...否则,就可以用Distributed RAM。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线,因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时,需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM,只有一套地址总线,读和写是分开(至少不能在同一个周期内完成)。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
快速导航链接如下: 一、前言 RAM(随机存取存储器)是计算机系统中的一种主要存储器件,用于存储和读取数据。...这意味着,如果CPU需要读取RAM中的数据并将其写入另一个位置,必须先执行读取操作,然后执行写入操作。这种延迟可能会影响计算机系统的性能。单端口RAM通常用于低端计算机系统或嵌入式系统中。...这意味着,如果CPU需要读取RAM中的数据并将其写入另一个位置,必须先执行读取操作,然后执行写入操作。 2.2 verilog代码 实现一个深度为16、位宽为4的单端口RAM。...clk) begin addr = i; end end end endmodule 2.4 仿真结果 图片 图片 图片 以165ns为分界线:左侧为数据的写入,此时无法进行读取数据...;右侧为数据的读取,此时无法进行写入数据。
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
4、DRAM(Dynamic RAM)动态RAM 5、DDR SDRAM (Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...内置TureFFS仿真系统实现全硬盘仿真,如硬盘一样读写 3) 非易失性固态盘,掉电数据不丢失,低功耗 4) 支持多种操作系统(DOS、WINDOWS、QNX、VxWorks、Linux...5、FLASH存储器又称闪存 它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器...NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 ...NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。
Ram Disk,顾名思义,就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了,比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储,都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时,本来就不依赖文件系统,因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着,别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大,而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk,它还只是一个Device,一般在使用时,还要在Disk上创建块设备,并将这个块设备格式化。
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为...在异步刷新里,相当于把刷新周期内所有的存取周期等长的分成了N段,在每段的末尾只会有一个存取周期用来刷新,而等其结束后又可进行存取操作,虽然在最大刷新间隔2ms内总的刷新时间是一样的,但因为连续的不能进行读取操作的时间为
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)和输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。...采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时,可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位,输出寄存器是带有复位端口的,但仅支持同步高有效。...实验证明,只要按照该结构描述,所有的寄存器会映射到Block RAM架构中,不会消耗额外的寄存器。 ?...结论: -在使用Block RAM时,为便于时序收敛,最好使用Embedded Registers 上期内容: 查找表用作分布式RAM 下期内容: Block RAM的性能与功耗
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM,和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。...(现在用的最多,小型存储器) Flsah FLASH 存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优势...NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。...NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。
读取命令行的输入 读取命令行的输入,如下List-1所示: List-1 mjduan@dmj:/tmp$ more read.sh echo -n "Enter your name:" read...echo后面的-n表示不换行,不然光标就不会停在name后面 read后面加上一个-p,这样read命令可以显示提示,且将结果存在变量email中,如下List-2 加上一个-s就是读取密码...read.sh Enter your name:mjduan Hello mjduan Enter your email:126@mail.com Your email:126@mail.com 读取文件的内容
设计中如果大量使用Block RAM,可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例,目标芯片为UltraScale,通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度,如下图所示。 ?...;若级联高度为8,同一时间有4个Block RAM处于激活状态。...还有一个综合属性ram_decomp,可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例,采用如下图所示的四种实现方式。...结论: -使用大深度的RAM时,可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式,以获得性能与功耗的折中 上期内容: Block RAM的基本结构 下期内容: UltraRAM
简介 在之前关于 Awk 工具的系列文章中,主要探讨了如何从文件中读取数据。但如果你希望从标准输入(STDIN)中读取数据,又该如何操作呢?...在本文中,将介绍几个示例,展示如何使用 Awk 来过滤其他命令的输出,而不仅仅是读取文件内容。 首先,将以 dir 工具为例,它的功能与 ls 命令类似。...您可以随时使用另一个命令的输出作为 awk 的输入,而不是从文件中读取输入,这就像在上面的例子中所看到的那样,非常简单。
(1)单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示,只有一个时钟源CLK,WE为写使能信号,EN为单口RAM使能信号,SSR为清零信号,ADDR为地址信号,DI和DO分别为写入和读出数据信号。...单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分,分别实现两个独立的单端口RAM。...(2)简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示,图中上边的端口只写,下边的端口只读,因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM(Pseudo Dual Port RAM)。...一般来讲,在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中,能达到的最宽数据位为36比特*512,但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。...“满(FULL)”和“空(EMPTY)”的指示信号,当FULL信号有效时(一般为高电平),就不能再往FIFO中写入数据,否则会造成数据丢失;当EMPTY信号有效时(一般为高电平),就不能再从FIFO中读取数据
在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core,但从资源角度来看,可能会造成浪费。...例如,需要2个512x18的单端口RAM,若直接采用单端口RAM的配置方式,1个512x18的单端口RAM将占用1个18Kb的BRAM,这意味着将要消耗2个18Kb的BRAM。...二者地址空间没有重叠,因此互相独立,从而形成了两个独立的512x18即9Kb的单端口RAM。此外,端口A和端口B的位宽可以不一致(但不是随意的),如上图的右半区域所示。...仍将BRAM配置为双端口RAM,其中端口A为1024x18,端口B为2048x9。...二者地址空间依然没有重叠,仍相互独立,从而形成了两个独立的9Kb的单端口RAM。 思考一下: 对于URAM是否可以这么配置?
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!
定义与功能内存条,全称为Random-Access Memory(RAM),也称为随机存取存储器。它是电脑中用于暂时存储数据和程序以供CPU快速访问的部件。
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口(port) CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈: 为设备去访问RAM的瓶颈。...每个CPU访问自己的本地RAM。 ?...2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟,但SRAM贵,容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。...2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。...DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。
Android 内存管理 在Android上启动新应用程序时,Linux内核会创建一个新进程。进程是具有自己的虚拟地址空间(映射到物理内存)的执行单元。...Linux内核管理该进程所需的资源,包括在CPU上运行的时间,数据的输入和输出(通过网络或通过文件系统)以及物理内存(RAM)。 当资源丰富时,内核的工作很容易。...当您没有更多的内存时,等待更长的时间可能不会导致释放更多的RAM。这时,内核需要主动获取一些RAM。 Linux和Android以两种方式处理此问题。首先,使用zRAM进行交换。...交换是Linux在PC和服务器上使用的一种思想。如果没有足够的内存,则最早,最不常用的内存页面将被写到磁盘,并且它们占用的内存可用于其他进程。...重新加载应用程序后,这些应用程序只会读取最后的状态信息,并从上次停止的地方继续运行。 应用程序使用多少内存? 如果LMK/ULMK太频繁,则可能会影响整体用户体验。
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