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NMOS的发展近况

NMOS(Networked Media Open Specification)是AMWA(Advanced Media Workflow Association)开发的规范,用于在具有AMWA开放规范形式的网页上分发内容...NMOS为SMPTE的ST2110D的传输层规范上补充了控制层与管理层,从而将ST 2110本身复杂的操作抽象为提供接口以便于与任何控制系统交互的软件层,将本来复杂的底层操作变为简单的操作。...他从NMOS旧有的成果(IS-04与IS-05)开始介绍,引入了如今NMOS的新的发展,即新的IS-08,IS-09,BCP-002,BCP-003和IS-10规范,这些补充的规范不仅使得NMOS可以完成设备发现和注册...例如将音频,视频和元数据绑定) • BCP-003-01(安全性规范)实现了使用传输层安全性(TLS)来加密API服务器及其客户端之间的通信 • BCP-003-02(安全性规范)则涵盖NMOS...API的客户端授权 • IS-10(授权API)则随BCP-003-02规范一起限制NMOS系统中授权用户更改的内容(核心为PKI,HTTPS,REST,JSON,Oauth 2.0和JWT)

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NMOS系统中的安全技术

主要内容是“NMOS系统中的安全”。 ? 安全技术简介 将更多的IT技术带入广播领域为媒体内容的生产和发行创造了新的机会,但也使广播公司越来越容易受到大规模安全攻击,安全性问题日益突出。...NMOS 中的IS 10满足了该金字塔底部的安全要求,它允许API服务器根据客户端被授权执行的操作接受或拒绝请求。 ? 认证与授权 首先我们了解一下认证与授权的区别。...NMOS中用于身份验证和授权的技术为OAuth2.0,它是一种用于身份验证的行业标准协议,最初是为在Web应用程序中开发而开发的,因此OAuth2.0是一种保护安全资源的方法,同时为客户端应用程序提供了一种访问它们的方法...NMOS回顾 NMOS已开发用于基于IP的基础架构,以提供由SMPTE ST2110提供的传输层之外的控制和管理层。...NMOS系列规范始已经成长为包括事件和提示,音频通道映射和互操作性安全等重要主题。

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自动 NMOS 控制器测试

而之前 NMOS 控制器的测试都是由技术团队手动完成的,主讲人团队联合客户端和供应商多家企业共同研发了自动 NMOS 控制器测试,最后主讲人进行了演示工作。...而 AMWA 创建了 NMOS Testing Tool 测试工具,允许用户测试 NMOS APIs 是否被正确使用。...NMOS 测试工具 对于现在而言,一个成熟的 NMOS 测试工具应当允许供应商、用户和系统集成商测试 NMOS 注册表和节点。...并且涵盖了所有公布的 AMWA NMOS 规范,可以在 https://github.com/AMWA-TV/nmos-testing 获取到 NMOS API 测试组件。...NMOS 控制器测试 然而,到目前为止,还没有自动测试 NMOS 控制器的方法。在最近一次(2020 年 3 月)的 JT-NM 测试活动中,是通过手动完成是实现的。

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使用NMOS的IP媒体网络管理

促成NMOS的原因之一是人们不想标记IP地址来连接IP设备,所以三年前NMOS小组聚集在一起,讨论如何简化,如何让它插上电源即可工作,如何让它相比SDI尽可能简单。...这就是Jed和他们团队所做的,通过创建NMOS层,并允许它被编程到已有的按钮面板。有很多制造商把这样的按钮面板用在了SDI上,并更新了代码。他们现在可以使用NMOS控制系统,这看起来和SDI一样。...以及NMOS如何起作用,首先源自动注册到RDS,控制面板从RDS处获取设备列表,控制系统命令接收器加入新的多播流并留下前一个。...并介绍了ST2110/NMOS的网关,展示了IS-08的Demo版本音频重新映射,介绍了不同的切换方式,IGMP切换和SDN切换,以及对NMOS的安全性进行举例。...最后Jed总结,NMOS IS-04,05,08是稳定的成熟的系统,他们被部署在了大部分SMPT 2110产品中,IS-08,09和BCP-002已经超过了SDI所能提供的控制级别,NMOS是把ST-2110

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IPMX中的JPEG XS及NMOS的五个重要特性

cc8d54921919b87fdf35329ee4a2cb8e&dis_t=1598862906 第二篇演讲的演讲者是来自Macnica Americas的产品管理总监Andrew Starks ,他介绍了NMOS...首先是网络注册,NMOS的网络注册是基于NMOS IS-04的,它用于定义视频系统工作方式,以及定义这些设备如何显示在网络上,当浏览器打开您的应用程序,它可以找到RDS注册服务器并可以自动查看网络上的所有设备...第二个是网络发现,它同样是基于NMOS IS-04,即使没有进行网络注册的设备也能自动识别,它具有两种模式:Peer-to-peer mode和registration mode。 ?...第五点则是它很强的可访问性,NMOS是真正开放的API,任何人都可以根据想要制作的标准来制造任何产品,而且工程师都可以知道他们正在构建可互操作的正确的产品,因为它内置的中断以及测试能够确保你开发的产品是符合标准的

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巨详细!线性电源(LDO)原理,看完你就明白了。

以前文章介绍了PMOS结构线性电源的基本工作原理,今天结合仿真介绍大电流LDO使用的NMOS 架构基本工作原理,以及其他一些重要的LDO参数,包括PSRR、Dropout Voltage等。 1....NMOS LDO工作简介 下图是一个NMOS LDO的基本框图,NMOS LDO一般也工作在饱和区(特殊时会在可变电阻区),所以Vg要大于Vs,因此NMOS LDO除了有Vin引脚,一般还会有个Vbias...NMOS LDO详细工作原理 下图是某NMOS输出特性曲线,让我们结合上图和下图分析,当Vout下降,Vin不变,则Vds=Vin-Vout,Vds增加,MOS工作点由A转移到B;紧接着反馈回路开始工作...NMOS LDO仿真结果 下图是简单的5V转3.0V的NMOS LDO仿真图以及仿真波形结果,橙色曲线是电压,绿色曲线是电流,随着负载端滑动变阻器R4的变化,负载电流也在变,而输出电压基本稳定在3.0V

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5v3.3v电平转换电路_5v稳压二极管参数

对于3.3V和5V/12V等电路的相互转换,NMOS管选择AP2306或者SI2306即可。...NMOS管的栅极和源极都是3.3V, 所以它的Vgs 低于阀值电压,NMOS管不导通。这就允许5V部分的总线线路通过它的上拉电阻Rp上拉到5V。此时两部分的总线线路都是高电平,只是电压电平不同。...2 .2、一个3.3V 器件下拉总线线路到低电平 NMOS管的源极也变成低电平,而栅极是3.3V,Vgs上升高于阀值,NMOS 管开始导通。...2.3、一个5V 的器件下拉总线线路到低电平 NMOS管的漏极基底二极管导通,源极电压为基底二极管导通0.7V,3.3V部分被下拉直到Vgs 超过阀值,NMOS管开始导通。...NMOS管体二极管在低温下导通电压会变大! PS:二极管导通电压随着温度上升而下降。

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Verilog 99题之001-009

图1,三态非门,当~EN为1时,最上面的PMOS和最下面的NMOS管截止,所以输出为高阻态,反之输出为~A,同理可推理出图2,EN高电平有效输出。...图5,CMOS传输门,双向传输,当C=0,~C=Vdd,两个MOS管都截止,输入和输出之间呈现高阻态,当C=Vdd,~C=0,如果0 <= Vi <= Vdd – Vt(NMOS),NMOS管导通,如果...为了上升延迟和下降延迟相同,PMOS需要做成NMOS两倍多大小。   载流子的迁移率,对PMOS而言,载流子是空穴;对NMOS而言,载流子是电子。   ...PMOS采用空穴导电,NMOS采用电子导电,由于PMOS的载流子的迁移率比NMOS的迁移率小,所以,同样尺寸条件下,PMOS的充电时间要大于NMOS的充电时间长,在互补CMOS电路中,与非门是PMOS管并联...,NMOS管串联,而或非门正好相反,所以,同样尺寸条件下,与非门的速度快,所以,在互补CMOS电路中,优先选择与非门。

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pullup和pulldown在verilog中的使用方法

时,dout = 1,不再是highz3 push-pull和open-drain的介绍就拿mos管来简单介绍一下吧图片这是一个push-pull的电路,由两个mos管组成,上面的是PMOS,下面的是NMOS...当IN = 1时,NMOS导通,PMOS截止,最终OUT = 0,电流方向为OUT -> NMOS,这个过程叫挽当IN = 0时,NMOS截止,PMOS导通,最终OUT = 1,电路方向为PMOS ->...OUT,这个过程叫推这就是push-pull(推挽)图片这是open-drain,与push-pull不同的是上面的PMOS换成了电阻,这个电阻就是上拉电阻同样的,当IN = 1时,NMOS导通,OUT...NMOS截止,如果此时不接上拉电阻,那么OUT端此时的状态是不确定的(单看这个电路的情况下)当接入一个上拉电阻后,由于MOS管截止后,电阻可以看做是无穷大,此时从VDD -> GND就可以看做是一个电阻...R和一个电阻无穷大的NMOS串联,那么在OUT点的电压自然约等于VDD---OK,先这样,至于在用pullup的时候为什么不能用logic声明,下次介绍吧

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版图识别原则

2、识别接触孔 对于版图上某一列黑色的方框,一般都是接触孔,是为了将源极和漏极通过金属引线连接到上一层甚至更高层进行互联的孔,所以只有在PMOS管和NMOS管的源极和漏极才有可能会打孔,而在有源区...一般而言,对于PMOS,接电源的一端是源极;而对于NMOS管,接地的一端是源极。对于一个MOS管而言,一侧是源极,那么另一侧就是漏极。 ? 5、识别串并联关系 ?...如上图,红框区域既是NMOS管A的区域,又是NMOS管B的区域,并且该区域没有打孔,也就是没有黑色的方框,那么意味着红框对应的区域是A管和B管共用的区域,有这种共用区域的两个管子就是串联的!...也就是A管(NMOS管)和B管(NMOS管)是串联的。 再看并联,还是NMOS管区域。

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堆叠晶体管:英特尔延续摩尔定律的终极计划

NMOS 和 PMOS 组件通常是并列出现在芯片上的。英特尔现在已经找到了让它们彼此堆叠的方法,这可以大幅度降低电路尺寸。...当今几乎所有电子设备的算力本质都是两种晶体管的组合——NMOS 和 PMOS。当电压信号输入时,其中一个打开则另一个会被关闭,两者放在一起时,只有 bit 变化才有电流,这种设计显著降低了能耗。...进一步缩小的电路需要堆叠 NMOS 和 PMOS。 英特尔的工程师打算使用这些组件来构建最简单的 CMOS 逻辑电路,即逆变器(inverter)。...但是在新方法中,为了形成一个 NMOS 器件,顶部的两个 nanosheet 被连接到了磷掺杂的硅上,而底部的两个 nanosheet 被连接到了硼掺杂的硅锗上以产生 PMOS。...英特尔的电路在三个 nanosheet PMOS 上有两个 NMOS,相比之下更接近于堆叠组件的概念。

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