本次演讲来自Video Services Forum,主题是“NMOS是什么?”,主讲人是来自Nextera Video的CEO,Jed Deame。
上图中,SDA1/SCL1,SDA2/SCL2为I2C的两个信号端,VDD1和VDD2为这两个信号的高电平电压。电路应用限制条件为:
以前文章介绍了PMOS结构线性电源的基本工作原理,今天结合仿真介绍大电流LDO使用的NMOS 架构基本工作原理,以及其他一些重要的LDO参数,包括PSRR、Dropout Voltage等。
NMOS(Networked Media Open Specification)是AMWA(Advanced Media Workflow Association)开发的规范,用于在具有AMWA开放规范形式的网页上分发内容。NMOS为SMPTE的ST2110D的传输层规范上补充了控制层与管理层,从而将ST 2110本身复杂的操作抽象为提供接口以便于与任何控制系统交互的软件层,将本来复杂的底层操作变为简单的操作。
主讲人讲到,他们所做的事情的目的是真正实现更好的互操作性,而良好的互操作性需要满足两个条件:
这篇演讲来自AIMS NABNY 2020,演讲者是Nextera Video的CEO Jed Deame,主持人是来自LearnlPvideo.com的Wes Simpson,演讲的主题是对于ST 2110 IP的控制系统NMOS。
从用户的角度看,上述的这些工作是自动完成的。这要归功于元数据交换技术 —— EDID 和 InfoFrames 。
complementary metal oxide semiconductor 互补式金属氧化物半导体
机器之心报道 编辑:泽南 5 纳米制程之后的晶体管应该是什么样?英特尔展示了真正的技术。 两种晶体管一起造——英特尔正在研究的晶体管堆叠技术将大幅度提高芯片的计算密度。 目前我们所熟知的台积电、三星、英特尔、格芯、中芯国际等芯片代工厂量产的先进工艺普遍采用基于多栅鳍型场效应晶体管(FinFET)结构。在 5 纳米及以下的制程时,更先进的技术节点面临的发热和漏电将变得难以控制,人们必须寻找全新的工艺,堆叠晶体管设计正在成为重要方向。 NMOS 和 PMOS 组件通常是并列出现在芯片上的。英特尔现在已经找到了
这段时间涉及到了IO-PAD,在IO-PAD的RTL的时候注意到了pullup和pulldown,对这个知识比较好奇,就研究了一下,顺便记录下来,IO-PAD的内容等我再研究研究再考虑记录吧 >_<
如果只看一个芯片的外观,是无法区分TTL和CMOS的。因为它们是按照芯片的制作工艺来分类的。 CMOS内部集成的是MOS管,而TTL内部集成的是三极管。
AV-OVER-IP正在飞速发展,这是替代传统音视频的基础架构新选择。它带来了一系列的好处,更少的电缆以及双向特性带来了复杂度的降低,更简单的配置和简化的流程提高了灵活性的同时也降低了成本。
NMOS MS-05-01 定义了用于设备配置、管理和监控的一系列 API,使功能相近的组件共用接口,并支持手动扩展。简单来说,NCA(NMOS Control Architecture, NMOS 控制架构)使用 WebIDL 对一些设备组件(e.g. 传感器、仪表、控制器)进行了类定义,类之间有层次体系和继承关系,并且可以扩展。其中,控制器可以实时侦查系统中所有设备 API,并在运行时动态地重新配置设备。
反相器,是数字集成电路最基本的电路之一。由一个pmos和一个nmos组成,输入信号IN接到pmos和nmos的栅极,输出信号OUT由漏极引出,如下图。
集成电路是由硅晶圆(wafer)切割出来的芯片(die)组成的。每个晶圆可以切割出数百个芯片。
版图识别题是CMOS课的必考题。但每年很多同学都做不对,其实版图识别考试内容很简单,只要掌握以下几点就可以了。
虽然我把MOS管归结为基础知识一大类,但是迟迟没有更新,正好最近博客专栏《电路小课堂》分享总结的一些电路还比较受欢迎,而其中 MOS 管都是关键元器件,那么正好借此机会来好好的理一理 MOS管。
002. 反相器的速度与哪些因素有关?什么是转换时间(transition time)和传播延迟(propagation delay)?
家里用了七八年的电动牙刷,前两天突然罢工。先尝试一下野蛮的修复方法(摔摔打打),这种独家绝技屡试不爽,曾经修好过收音机,电视机,电子手表… 等等。不过这次,没有成功!这周末终于有点儿时间,准备一展身手。小样儿,还治不了你了?
当两个mos有相同的W和L时,由于有源区长度的不同造成一些电气参数的不同,所产生的效应称为LOD效应。
电源防反接,也即是防止电源的正负极搞反而导致电路损坏,例如你采用的是标准的DC口,那么没什么必要加入此种电路。而如果采用的是非常规的,如自定义的接插件等,那么就很有必要了。
---- 新智元报道 编辑:David 桃子 【新智元导读】3D堆叠CMOS将是把摩尔定律延伸到下一个十年的关键。 晶体管,被誉为「20世纪最伟大的发明」。 它的出现为集成电路、微处理器以及计算机内存的产生奠定了基础。 1965年,「摩尔定律」的提出成为半导体行业几十年来的金科玉律。 它表明,每隔 18~24 个月,封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍,芯片的性能也会随之翻一番。 然而,随着新工艺节点的不断推出,晶体管中原子的数量已经越来越少,种种物理极限制约着摩尔定律的进一步发展。 甚至有
The TX61C series devices are a set of three terminal low power voltage detectors implemented
MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。
本文来自AIMS(Alliance for IP Media Solutions)的演讲,主讲人是来自索尼的首席工程师Jonathan Thorpe。主要内容是“NMOS系统中的安全”。
G极(gate)—栅极,不用说比较好认; 封装上左下角为G极; S极(source)—源极,P沟和N沟均交汇处; 封装上右下角为S极; D极(drain)—漏极,P沟和N沟单引线;
本文来自The Broadcast Knowledge,主题是大规模分布式ST 2110部署的案例研究。
本文来自VSF秋季会议2020的一篇演讲,演讲者是来自CBC/Radio-Canada的Felix Poulin和来自VRT的Willem Vermost。
本文来自Leader America的网络研讨会,Steve Holmes主持了第1部分,内容是关于连接IP视频以及日常操作需要了解的知识。
本文是来自SMPTE 2019的演讲,演讲者是来自于Riedel Communications GmbH & Co.KG的系统咨询经理Richard Seegull。本文的标题是”GPIO Over IP - AMWA NMOS IS-07 as a General-Purpose API that easilyscales”。
十进制数转化为R进制数:整数部分,除R取余法,除到商为0为止。小数部分,乘R取整法,乘到积为0为止。
本文来自5G-MAG Workshop - Media Production over 5G NPN ,主题是技术格局和向IP的转变,作者是来自BBC的 Peter Brightwell。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。
电平转换电路在电路设计中会经常用到,市面上也有专用的电平转换芯片,专用的电平转换芯片主要是其转换速度较快,多使用在速度较高的通讯接口,一般对速度要求不高的控制电路,则可使用此文介绍的分立器件搭建的电平转换电路。
1958年,第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。而今天的芯片包含超过10亿个晶体管,这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。
AP5153 仅需要外接一个电阻和一个 NMOS 管就可以构成一个完整的 LED 恒 流驱动电路,
AP5153 是一种 PWM 调光的、低压 差的 LED 线性降压恒流驱动器。 AP5153 仅需要外接一个电阻和一个
今天给大家讲解一款广泛应用于智能硬件产品中的一键开关机电路。首先,我们先定义需要实现的功能:长按开机、长按关机、短按功能切换。接下来我们就对照如下电路图做详细讲解吧。
特别说明:以下文章中相关专有名词均以TSMC家为例说明,不同厂商对应的名称叫法会存在差异,请知悉!
如下图,一个高速接口的端口电路示意图,要求D端发送数字0/1, DQ端收到相同的数字0/1. VREF电压为比较器数字输出0/1的判决电压。
本篇演讲来自于AIMS ALLIANCE公司,演讲者为Andre Testa,ASIC/FPGA工程师。演讲的主要内容是介绍IPMX的设计理念与目标。
N区的电子(多数载流子)通过扩散运动,向P区注入;反之,P区的空穴(多数载流子)向N区注入;
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【硬件科普】带你认识CPU第00期——什么是MOSFET_哔哩哔哩_bilibili
MOS管,是MOSFET的缩写,全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管,根据导电沟道的不同,MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。
本次演讲者是来自matrox video研发部门的执行副总裁David Chiappini,他同时也是AIMS ProAV Working group的主席,演讲的题目为Why should I care about IPMX?
CMOS门电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)是指利用P沟道MOS管、N沟道MOS管的互补特性设计的门电路。
大侠好,欢迎来到FPGA技术江湖,江湖偌大,相见即是缘分。大侠可以关注FPGA技术江湖,在“闯荡江湖”、"行侠仗义"栏里获取其他感兴趣的资源,或者一起煮酒言欢。
1.通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护。如下图1示:
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