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上海微电子“国产光刻机”还有很长的路要走

ASML、佳能、尼康、上海微电子,这四家光刻机企业占据了全球95%以上的份额,但这4家光刻机企业的水平差距也是非常大。ASML是唯一一个进入超高端光刻机领域的企业,它能够生产所有产品线所需要的光刻机。ASML的光刻机能够达到3nm的精度,尼康的光刻机主要在28nm以上,表现最好的水平也只有14nm,而佳能、上海微电的光刻机主要在90nm以上打打酱油。10nm以下,ASML稳占100%的市场份额,而尼康、佳能已无力追赶,更别提上海微电子了。

上海微电子注定前途坎坷

上海微电子拥有IC前道制造、IC后道封装、LED制造等等多系列光刻机,网友们经常提到的就是IC前道制造光刻机。用于封测的后道光刻机和用于LED制造的投影光刻机难度较小,上海微电子在这两类的市场占有率均是第一。就拿封测光刻机来说,上海微电子占了80%国内市场份额,在全球市场也占到了近40%的市场份额。

上海微电子IC前道制造光刻机能实现90nm芯片量产,目前在攻克28nm光刻机。也别小看了90nm的工艺制程,WiFi芯片、LCD驱动芯片、电源管理芯片、射频芯片、各种数模混合电路等等都是90nm光刻机制造。

实际上光刻机90nm到28nm技术攻克对于上海微电子来说是举步维艰的,比如光源一次曝光可以得到45nm的芯片,三次曝光最多能达到22nm左右水平。实践证明曝光反复叠加并不可行,ASML的光刻机也只能进行2次曝光,再曝光就会导致良率大幅度下降。

假如上海微电子在ASML当初的环境下,可能已经可以做到和ASML比肩了。因为ASML的光刻机有90%以上物件出自其他供应商,比如美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承、法国的阀件等等。ASML仅仅把握着高度光刻机的核心技术曝光。

曝光的精度可以通过时间来不断进行试错纠正,但可怕在于光刻机所用的光栅、镜头、轴承、阀件等等配件买不到,攻克这些技术中的每一项都需要耗费大量时间,光刻机配件供应商在各自的细分领域都是绝对王者。

《瓦纳森协议》规定28nm以下光刻机关键装备向我国禁运,这对于国内光刻机领域、芯片领域的企业来说一切都没有全球一体化的捷径可走,每完成一次微小的蜕变都需要踩下一个深刻的脚印。在这样的大环境下,上海微电子光刻机弯道超车、换道超车的可能性很小。光刻机市场也并没有想象中那么大,只要稍微技术落后一点点,市场份额就会被竞争对手占据,如此就没有稳定的资金回流,也没有太多的研发经费了。

造高端光刻机这件事要认清现实

既然造高端光刻机这件事这么难,国际形势又那么恶劣,广大网友们更不应该在获得一点小道消息时就吹上天,说“弯道超车”、“换道超车”之类的话,这跟印度三哥吹牛皮又有啥区别,也不应该将造光刻机这件事贬入地,历史告诉我们再难也总会过去,也总会守得拨云见日。不吹上天,不贬入地,等待我国光刻机领域产业链、技术、人才的完善。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20230209A08SOV00?refer=cp_1026
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