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吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片

IT之家 3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微电子近期宣布,其自主设计研发的首款车规级 IGBT 产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。

晶能自主研发 IGBT 流片晶圆

该款 IGBT 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术,通过优化表面结构和 FS 结构,兼具短路耐受同时实现更低的导通 / 开关损耗,功率密度增大约 35%,综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定,采用工艺共创方式持续提升芯片性能。

晶能表示,一辆典型的新能源汽车芯片用量超过 1200 颗。功率半导体占比接近 1/4。公司将围绕动力总成系统中的开发需求,不断研制性能优越的芯片和模块产品。

晶能自主研发 IGBT HP Drive 模块

IGBT 是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的 CPU。近期,也有行业开发者讨论将 Si IGBT 和 SiC MOS 封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。

晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司,聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制与创新,发挥“芯片设计 + 模块制造 + 车规认证”的综合能力,为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。

IT之家注:

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT 是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT 模块是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与 FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上。

IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20230316A02UK900?refer=cp_1026
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