首页
学习
活动
专区
工具
TVP
发布

半导体功率器件之绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及对应的IGBT测试座socket

根据鸿怡电子多年针对半导体功率器件IGBT测试座socket的经验,总结出此类客户的测试条件要求以及相关的物理知识(仅供参考),欢迎大家一起讨论.....

1、MOSFET具有开关速度快,电压控制的优点,缺点是导通电压降稍大,电流、电压容量不大;双极型晶体管却与它的优点、缺点互异。因而产生了使它们复合的思想;控制时有MOSFET管的特点,导通时具有双极型晶体管特点,这就产生IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)管研制的动机,该管称为绝缘栅双极晶体管,但因为有晶体管的特性,他的工作频率大大降低。

  2、N沟道VDMOSFET与GTR组合形成N沟道IGBT(N-IGBT)IGBT比VDMOSFET多一层P 注入区,形成了一个大面积的P N结。使IGBT导通时由P 注入区向N基区发射少子,从而对漂移区电导率进行调制,使得IGBT具有很强的通流能力。

3、结构、符号及工作原理。

IGBT结构

  IGBT的开通和关断是由门极电压来控制的。当门极加正电压时,MOSFET内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,从而使IGBT导通。因此IMOS为IGBT总电流的主要部分。此时,空穴P 区注入到N-区,从而在N-区内产生高浓度的电子,减小了N-区的电阻Rd值,使高耐压的IGBT也具有低的通态压降。

当门极加负电压时,MOSFET内的沟道消失,PNP晶体管的基极电流被切断,IGBT即被关断。由于注入到N-区的空穴是少子,存在少子存储现象。N-区的少子需要时间复合消失,因此IGBT的开关速度比MOSFET慢。

IGBT开关过程

IGBT开关过程

最后汇总下半控型和全控型功率器件的特性,见下表。

IGBT功率器件特性

IGBT功率器件测试座案例参考(由鸿怡电子提供案例)

SOT227封装IGBT老化座

老化测试温度:-40°~+150°

老化测试时长:1000小时

IGBT测试座socket

  • 发表于:
  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20230519A067A500?refer=cp_1026
  • 腾讯「腾讯云开发者社区」是腾讯内容开放平台帐号(企鹅号)传播渠道之一,根据《腾讯内容开放平台服务协议》转载发布内容。
  • 如有侵权,请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。

相关快讯

扫码

添加站长 进交流群

领取专属 10元无门槛券

私享最新 技术干货

扫码加入开发者社群
领券