Netsol MRAM非易失存储芯片是数据记录应用的优选

  netsol基于在内存相关领域的丰富开发经验以及低成本、超小型和低功耗内存解决方案设计的专业知识、为工业自动化、网络系统、医疗、游戏、企业数据中心和物联网设备等广泛领域的各种应用程序，提供最优化的定制内存解决方案。在下一代存储器半导体领域，尤其是STT-MRAM领域，处于翘楚。

  数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。

  –系统内外部发生的事件

  –使用历史

  –环境参数

  –机器状态

  –用于分析目的的其他数据

  因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。英尚微提供的非易失性存储芯片NETSOL MRAM的主要优势包括:与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座；与nvSRAM不同，无需电容器；写入速度快；近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）；断电即时数据备份。

  Netsol MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，是最合适的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。