国家知识产权局宣告“一种半翻转两轴线性磁电阻传感器”专利无效

近日，由北京三聚阳光知识产权代理有限公司、北京易聚律师事务所联合代理请求人与江苏多维科技有限公司的一件专利无效宣告结案。国家知识产权局作出第562137号无效决定，宣告多维公司拥有的第201510541985.3号“一种半翻转两轴线性磁电阻传感器”发明专利权全部无效。

观点列举

专利法第 22 条第 3 款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。

本专利权利要求 1 要求保护一种半翻转两轴线性磁电阻传感器，证据 5 公开了一种磁检测元件及使用其的磁传感器，与本专利同属于磁电阻传感器技术领域。

将本专利权利要求 1 与证据 5 公开的内容相对比，区别技术特征包括：（1）本专利是一种线性磁电阻传感器，推挽式磁电阻传感单元电桥为线性磁电阻传感单元电桥；（2）本专利中的线性磁电阻传感单元为椭圆形形状，其铁磁参考层磁化方向为椭圆短轴方向而自由层磁化方向为沿椭圆长轴方向；没有外加磁场时，所述线性磁电阻传感单元电桥通过永磁偏置、双交换作用、形状各向异性或者他们的任意结合来使铁磁自由层的磁化方向来与铁磁钉扎层的磁化方向垂直。

关于如上区别技术特征（1），证据 1 给出了将推挽式磁电阻传感单元电桥设置为线性磁电阻传感单元电桥从而构造线性磁电阻传感器的技术启示，本领域技术人员在证据 1 公开内容的启示下，容易想到可以将推挽式磁电阻传感单元电桥设置为线性磁电阻传感单元电桥，从而构造一种线性磁电阻传感器。

关于如上区别技术特征（2），证据 3 公开了一种单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器，证据 4 公开了一种单片双轴桥式磁场传感器，本领域技术人员在证据 5 公开内容的基础上，基于如何构造一种线性磁电阻传感器及如何设置线性磁电阻传感单元的易磁化轴以及如何初始偏置自由层的磁化方向的技术需求，容易想到结合证据 1、证据 3或证据 4 之一及本领域公知常识，从而得到本专利权利要求 1 所要求保护的技术方案。

因此，本专利权利要求 1 相对于证据 5、证据 1、证据 3 和本领域公知常识的结合，或相对于证据 5、证据 1、证据 4 和本领域公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第 22 条第 3 款的规定。