近期,吉盛微(武汉)新材料科技有限公司(以下简称吉盛微)武汉碳化硅(SiC)制造基地启用仪式在武汉经开区综保区工业园举行。
资料显示,吉盛微成立于2023年3月,为盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司(以下简称盛吉盛半导体)在武汉投资成立,公司主要从事半导体及泛半导体设备用CVD SiC原材料及 SiC部件、SiC Epi Wafer、CVD SiC设备的研发及生产制造。
目前,吉盛微已经完成了刻蚀、扩散、外延、快速热处理等多个工艺的零部件、耗材开发工作,部分产品填补了国内空白,初步具备稳定的生产供货能力。
值得一提的是,8月25日,长飞先进与武汉东湖高新区签约半导体合作项目,该项目总投资预计超过200亿元,项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线,建设完毕后将形成年产36万片6英寸SiC衬底及外延、年产6100万个功率器件模块的能力,该项目预计2025年建设完成,或将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。
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