武汉再增一个SiC项目！

近期，吉盛微（武汉）新材料科技有限公司（以下简称吉盛微）武汉碳化硅（SiC）制造基地启用仪式在武汉经开区综保区工业园举行。

资料显示，吉盛微成立于2023年3月，为盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司（以下简称盛吉盛半导体）在武汉投资成立，公司主要从事半导体及泛半导体设备用CVD SiC原材料及 SiC部件、SiC Epi Wafer、CVD SiC设备的研发及生产制造。

目前，吉盛微已经完成了刻蚀、扩散、外延、快速热处理等多个工艺的零部件、耗材开发工作，部分产品填补了国内空白，初步具备稳定的生产供货能力。

值得一提的是，8月25日，长飞先进与武汉东湖高新区签约半导体合作项目，该项目总投资预计超过200亿元，项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产36万片6英寸SiC衬底及外延、年产6100万个功率器件模块的能力，该项目预计2025年建设完成，或将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。