格芯扩展硅光子路线图，满足对数据中心连接的爆炸式增长需求

光子集成技术有助于提升新一代光学互连的带宽和能效

3月14日，格芯揭示硅光子路线图的新信息，推动数据中心和云应用的新一代光学互连。格芯已经用300mm晶圆认证了行业首个90nm制造工艺，同时宣布未来的45nm技术将带来更大的带宽和能效。

格芯的硅光子技术旨在应对全球通信基础设施中的大规模数据增长。不同于利用铜线电信号传输数据的传统互连，硅光子技术使用光纤光脉冲，以更高的速度在更远距离上传输数据并降低能耗。

「带宽需求呈现爆炸式增长，现在迫切需要新一代的光学互连。」格芯ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan表示，「不管是数据中心内部芯片之间，还是相隔千里的云服务器之间，我们的硅光子技术都能让客户在前所未有的连接水平上传送大量数据。」

格芯的硅光子技术可在单个硅芯片上并排集成微小光学组件与电路。「单芯片」方案利用标准硅制造技术，提高了客户部署光学互连系统的效率，降低了成本。

现在可使用300mm晶圆

格芯的当代硅光子产品依托90nm RF SOI工艺，这项工艺充分发挥了公司在制造高性能射频(RF)芯片方面积累的一流经验。平台可以实施提供30GHz带宽的解决方案，支持客户端数据传输速率达到800Gbps，同时使数据传输距离增加到120km。

这项技术先前使用200mm晶圆工艺，格芯位于纽约州东菲什基尔的10号晶圆厂现在认证了300mm直径的晶圆。采用300mm晶圆有助于提高客户产能和生产率，让光子损失减少2倍，扩大覆盖范围，实现效率更高的光学系统。

Cadence Design Systems公司用于E/O/E、协同设计、极化、温度和波长参数的完整PDK支持90nm技术，并提供差异化光子测试能力，包括从技术认证和建模到MCM产品测试的五个测试部分。

未来路线图

格芯新一代单芯片硅光子产品将采用45nm RF SOI工艺，计划于2019年投入生产。这项技术利用更先进的45 nm节点，功耗降低，体积减小，用于光学收发器产品的带宽更高，可满足新一代兆兆位应用。