2026量产！再投171亿加码国产HBM芯片，国产HBM产业链在全球角色！

近日，韩国SK海力士宣布，计划到2028年投资高达103万亿韩元（约合748亿美元），其中80%（约为600亿美元）将用于HBM芯片的研发和生产。随后，三星、美光也表示将加大对HBM芯片的投资，尤其是三星其计划在2026 年HBM出货量达到2023年产量的13.8 倍，到 2028 年HBM年产量将进一步上升至 2023年产量的 23.1 倍。

在三巨头Sk海力士、三星、美光打得不可开交之际，国产HBM也正集中火力寻求突破，预计在2026年国产HBM将实现量产。具体情况如何呢？

一、强强联合，2026年国产HBM量产

随着人工智能热潮的到来，对于高带宽内存（HBM）的需求与日俱增；目前市场基本被三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头垄断。据市场研究公司TrendForce数据，2023年SK海力士占据53%的市场份额，紧随其后的就是，三星电子占据38%和美光占据9%。

近日，国产存储芯片大厂长鑫存储与武汉新芯宣布正在建设HBM先进制造工厂，建成后预计每月可生产3,000片12英寸晶圆。

同时，长鑫存储与封装和测试大厂通富微电已合作开发了HBM样品，并向潜在客户展示样品。

据了解，此次国内存储厂商的重点放在了HBM2，主要是为了规避HBM3中含有美国技术部分。

此次集合国产存储芯片上下游厂商，意在集中技术和资源突破国产HBM量产，根据内部消息，其目标是于2026年量产HBM2.

但HBM的研发、制造涉及复杂的工艺和技术难题，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。CoWoS为目前主流的AI处理器封装方案，包括其中集成的HBM也采用了该封装技术。目前国产CoWoS进展情况如何呢？

二、171亿建封装厂，加快国产HBM量产

目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，CoWos是一种先进的封装工艺，称为“基板上晶圆芯片”技术。其是一种高精度技术，将图形处理单元(GPU)和HBM芯片堆叠在单板上，以提高处理能力，同时节省空间并降低功耗。

为加快国产HBM的突破，近日睿力集成（长鑫存储母公司）在上海投资24亿美元（约为171亿人民币）建造一座先进封装厂。

据了解，此先进封装厂将主要专注于各种先进封装技术，如用硅穿孔（TSV）互联实现内存堆栈，预计将具备每月3万件的封装能力。新厂预计2026年中投产。

一旦先进封装厂建成，长鑫存储将负责生产HBM DRAM芯片，而睿力集成则将其进行堆栈；快速实现产能的扩充。

三、国产HBM产业链突围

从AI算力角度，我们知道AI芯片能力三个基础部件分别为：GPU、先进制程（含CoWoS先进封装），以及HBM。相比其他两大部件，目前国产HBM是“人有我无”的状态，但整个国产HBM产业链处于蓄力的过程之中。目前参与全球HBM产业链的主要为材料和封测厂商们。

具体情况如下表：

当前国产厂商在全球HBM产业链处于相对边缘的角色；而我们知道HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。单依靠一家存储芯片厂商主导突破HBM显然难度巨大。

因此，为保证2026年HBM具备量产的能力，就需要产业链上下游通力合作，将存储厂商、晶圆代工厂、封测厂商等整合一起以实现更快速的突破。而且突破HBM不仅市场国产存储芯片产业的发展，更是国产人工智能产业能否突围的重要支点之一！