美国SiTime晶振集团超薄型千赫兹系列振荡器SiT1533晶振

SiTime拥有一个世界级的模拟工程团队，该团队提供了业内最高的性能和最灵活的石英晶体振荡器。自2006年我们的第一次产品介绍以来，我们改进了频率稳定性性能250次(以性能指标衡量)，改进了抖动性能800次，改善了艾伦偏差3万次，并改善了功耗100次，同时保持了我们的产品的灵活性和可靠性。计时产品提供了所有数字电子系统的心跳。在所有主要的市场中，有超过5000个客户在200多个应用中使用SiTime产品。

SiTime正在为电子产品的小型化提供支持，它提供的时间解决方案是行业中最小的包裹——最小的1.5 x 0.8毫米——以及减少元件数量的独特功能。我们的晶振通过将同一包中的多个组件的功能组合在一起，从而减少了董事会空间。SiTime改变了时机市场。在过去的几十年里，石英晶体振荡器、时钟发生器和谐振器是电子器件中主要的参考计时元件。2.0*1.2mm晶体振荡器,千赫兹有源晶体,SiT1533晶振

一：产品说明

SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振.产品本身有两个输出电压选项。一种选择是标准的LVCMOS输出摆幅。第二个选项是NanoDrive减少摆动输出。输出摆幅是客户特定的，在200 mV和800 mV之间编程。直流耦合应用，输出VOH和VOL单独编程，以满足客户的要求。 VOH编程范围为100 mV增量，介于600 mV和1.225V之间。同样，VOL编程范围在350 mV和800 mV之间。例如; PMIC或MCU内部为1.8V逻辑兼容，需要1.2V VIH和0.6V VIL。

SiTime有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

二、产品规格参数图

三：产品尺寸图

SiT1533晶振尺寸图

四：注意事项

抗冲击

贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。

辐射

暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害，因此应避免照射。2.0*1.2mm晶体振荡器,千赫兹有源晶体,SiT1533晶振

化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶体振荡器或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。

粘合剂

请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用有源晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振

静电

过高的静电可能会损坏美国有源晶振，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。

五：产品工作条件

振荡电路的检查方法

振荡频率测量

必须尽可能地测量安装在电路上的2012贴片晶振振荡频率的真实值，

使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,

我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振

有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最

精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。

接触振荡电路。

探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过输入振荡电路的输出来测量的。

逆变器进入下一阶段。

探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。

图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。

输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。

然而，应该注意到，使用这种方法32.768K石英晶体振荡器输出波形较小，测量不能依赖于

即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。2.0*1.2mm晶体振荡器,千赫兹有源晶体,SiT1533晶振

此外，OSC晶振振荡频率与测量点不同。

1。测量缓冲输出

2。振荡级输出测量

三.通过电容器测量振荡级输出

图5示出以上1-3个测量点和所测量的

除缓冲器输出外，振荡频率较低。