韩系存储厂加速开发3D DRAM

据闪德资讯获悉，

三星电子与SK海力士正加速3D DRAM的研发工作。

据报道两家公司计划最早于今年开发并启动初始原型"4F² DRAM"的验证工作，该技术将DRAM结构从水平排列改为垂直堆叠。

4F² DRAM是通过将面临微缩化极限的平面DRAM结构改为垂直配置，从而提升性能、数据传输速度和能效的产品。

据悉，三星电子和SK海力士计划先基于4F² DRAM改变DRAM结构，继而开发3D DRAM。

DRAM以存储单元为基本单位存储数据，每个单元可保存一条数字信息，其占用面积用F²表示。

传统6F²存储单元的结构通常为：用于读写数据的垂直线（位线）占3个单位，水平线（字线）占2个单位。

但为了缩小DRAM尺寸并提高集成密度，业界正计划通过将位线和字线各缩减至2个单位，并将作为DRAM开关的晶体管排列成垂直结构，从而开发4F² DRAM。

随着DRAM结构发生重大变革，预计制造过程中采用的工艺、材料及设备也将发生变化。

三星电子、SK海力士等企业正与应用材料等全球半导体设备公司合作开发新工艺。

由于工艺复杂度提升，据悉这些企业不仅在推进产品开发，更在探索确保稳定制造及量产的方法。

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