HBM4生产转向无助焊剂键合设备

据闪德资讯获悉，主要客户SK海力士和美光，已决定在HBM4生产中使用无助焊剂键合设备。

韩美半导体预计HBM4键合设备销售面临困难。

美光正从荷兰BESI公司采购无助焊剂键合设备。

业内表示：“预计美光公司将从BESI订购无助焊剂键合设备，这对韩美半导体来说是一个打击，因为韩美半导体是美光第五代HBM3E设备的独家供应商。”

无助焊剂键合是三星电子、SK海力士和美光正在研究从HBM4开始应用的技术。

HBM通过将DRAM芯片堆叠在一起而制成的，随着技术不断演进，高度超过12层，降低芯片厚度正成为竞争的关键。

无助焊剂键合是一种通过在不使用助焊剂的情况下，键合DRAM芯片来减少HBM整体厚度的技术，助焊剂用于对准DRAM并去除氧化膜。由于技术难度相对较低，相比完全去除DRAM连接部分的混合键合，无助焊剂键合机受到青睐。

此外，无助焊剂键合机还有助于提高HBM良率。

这是因为12层或12层以上的HBM在制造过程中需要经过热压工艺，而芯片之间的助焊剂往往会导致问题并降低良率。

SK海力士、美光科技和三星电子都在以各种方式测试，将无助焊剂键合技术应用于HBM4。

SK海力士还在考虑将韩华半导体和ASMPT作为无助焊剂键合机的供应商。

韩华半导体今年5月重组了架构，开发无助焊剂键合机。

业界猜测，韩华半导体的首款无助焊剂键合机最早可能在下半年亮相。

此外，荷兰的BESI和新加坡的ASMPT也已开始生产无助焊剂键合机。

这两家公司最近都将无助焊剂键合机添加到产品阵容中。

韩美半导体已经推迟了无助焊剂键合机的发布时间。

最初预计将在下半年发布无助焊剂键合机，但根据披露的数据，该公司将在2028年开发用于第8代HBM6的无助焊剂键合机。

这是因为制定HBM标准的联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽了HBM4的高度标准。

高度标准的放宽，使得使用现有的混合键合设备方法生产HBM4成为可能。

由于主要客户SK海力士和美光正在测试无助焊剂键合技术，外界担心韩美半导体可能会在下一代HBM设备市场失去竞争力。

预计韩美半导体今年销售额将有40%来自SK海力士，60%来自海外市场。

主要客户正在实现设备供应商多元化，但如果拥有技术竞争力，就能有机会获得订单。

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