SK海力士公布AI NAND战略，将推三大产品系列

SK海力士在2025年全球峰会上公布了其AI NAND战略以及针对人工智能应用的AIN存储产品。以往，人工智能系统一直使用为企业服务器设计的存储设备，但SK海力士认为，为AI服务器和集群量身定制的基于NAND的存储解决方案AIB P、AIN B和AIN D将更好地满足其需求，并实现更高的性能效率。

展望未来，SK海力士将推出三种针对AI集群和服务器特定需求的不同产品系列：AIN D用于高密度存储，AIN P用于高性能存储，基于高带宽闪存（HBF）技术的AIN B，用于可与HBM内存一起安装的新兴超高性能存储设备。每个产品系列都旨在针对其工作负载，运用自身的技术，同时平衡能力与成本，以改善AI的各个阶段，从数据摄取和归档到训练和推理。

SK海力士的AIN D（密度）解决方案将使用3D QLC NAND，在NAND闪存中以最低的每比特成本存储海量AI数据集。该公司预计AIN D将被设计为达到PB级密度，远远超过当今TB级的固态硬盘，同时保留固态硬盘的关键优势，如快速访问时间和高吞吐量。SK海力士计划用这些产品取代近线硬盘（HDD）。

相比之下，AIN P（性能）将通过重新设计的固态硬盘控制器和3D NAND闪存来满足人工智能推理应用的性能需求，以512字节的粒度最大化输入输出操作（IOPS），适用于人工智能工作负载，例如向量数据库搜索和细粒度随机读取。SK海力士预计，其AIN P固态硬盘的样品到2027年能够通过PCIe 6.0接口实现大约5000万次512字节IOPS，通过PCIe 6.0接口实现高达1亿次IOPS，比传统PCIe Gen6企业级固态硬盘高出七倍。

SK海力士的AI NAND家族中最先进的元素将是AIN B（带宽），基于由SanDisk开发并由SanDisk和SK海力士共同标准化的HBF（高带宽闪存）技术的固态存储设备。该架构有望结合类似HBM（高带宽存储器）的带宽和NAND的密度，使AI系统能够在不增加AI加速器或HBM的情况下处理更多的推理批次或更长的标记序列。

由于目前还没有HBF标准，SK海力士并没有谈及实际的性能数字，也没有提及预计AIN B何时能够上市。