手机空间不够用，射频组件迎大整合时代

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射频前端芯片主要应用于智能手机等终端装置上，其技术创新推动行动通讯技术的发展，是现代通讯技术的基础。

射频前端模块 (RFFEM) 是手机通讯系统的核心组件，RFFEM 的性能直接决定手机可以支持的通信模式，及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指针，直接影响通讯质量。

而 5G 手机今年开始渗透整个手机产业，其支持 sub-6GHz、毫米波等频段。而 5G NR 新频段的加入，将带动射频前端芯片产值的提升。

这只要来自于手机的频段不断增加，智慧手机需要接收更多频段的信号。根据 Yole 的统计，2G 手机中射频前端芯片的价值为 0.9 美元，3G 智慧手机则上升至 3.4 美元，至于高阶 LTE 智慧手机则达 15.30 美元，是 2G 手机的 17 倍。

进入到 5G 世代，智慧手机所需的天线开关、PA、LNA、滤波器、双工器等数量将更进一步的提升，带动未来全球射频前端市场规模再出现一波明显的增长。

Yole 预计 2023 年全球射频前端市场规模将成长至350 亿美元，而 2018 年至 2023 年射频前端市场 CAG 达14%。

芯片整合为射频前端发展趋势

射频前端芯片数量的提升及全屏幕对手机内部空间的压缩，将使得射频前端芯片出现整合，并进行模块化封装。

但制造成本及是否易于实现芯片整合，则是取决于半导体原料，故既能满足高频需求，制造成本有优势，且易于呈现整合芯片的半导体原料，将是未来射频前端芯片发展的趋势。

因此 SOI、SiGe 等原料在射频前端芯片领域的应用越来越广泛，既能实现芯片的高频特性，又与 Si 的 CMOS 工艺兼容是其最大优势。

根据芯片整合度，手机射频前端模块可以分为高、中、低整合模块。高整合的产品主要有PAMiD 和 LNA DivFEM，主要用于中高阶手机；中度集成产品主要有 FEMiD、PAiD、SMMB PA 及 MMMB PA 等。

苹果、三星、华为等高阶智能手机就大量使用整合模块。举例来看，iPhoneX 中采用 Qorvo 的 PAMiD，Avago的 PAMiD，及 Epcos 的 FEMiD。

PAMiD 属于高整合产品，主要结合多模多频的 PA、RF 开关及滤波器等，FEMiD则属于中度集成产品，主要结合天线开关和滤波器等。