节能电子器件：具有创纪录值的氧化铝功率晶体管

具有晶体管结构和测量目的的氧化硅芯片，通过投影光刻在 FBH 处理。

费迪南德-布劳恩研究所（FBH）在基于氧化铝的晶体管（+-Ga）上取得了突破性进展。2O3).新开发的\-Ga2O3-MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）提供高故障电压和高电流电导率。

强大的电子元件对于未来的通信、社会的数字转型和人工智能应用是必不可少的。在尽可能小的占地面积中，它们应提供低能耗和更高的功率密度，从而更高效地工作。这是传统设备达到极限的地方。因此，世界各地的科学家正在研究能够满足这些要求的新材料和组件。费迪南德-布劳恩研究所（FBH）现已在基于氧化铝的晶体管（+-Ga）上取得突破。2O3).

新开发的\-Ga2O3-MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）提供高故障电压和高电流电导率。由于分解电压为1.8千伏，每平方厘米为155毫川特，因此其性能达到接近氧化铀理论材料极限的独特性能数字。同时，分解场强度明显高于已建立的宽带加普半导体，如碳化硅或氮化铀。

优化的层结构和门拓扑

为了实现这些改进，FBH 团队处理了层结构和门拓扑。基础由莱布尼茨研究所（Für Kristallzüchtung）的基材提供，具有优化的外延层结构。因此，缺陷密度可以降低，电气性能得到改善。这会导致较低的状态电阻。栅极是场效应晶体管的中心"开关点"，由栅极源电压控制。其拓扑结构已进一步优化，可降低栅极边缘的高场强度。这反过来又会导致更高的故障电压。详细结果于2019年8月26日在网上发表在IEEE 电子设备信件9月号上。