Everspin率先将MRAM技术投入商用

MRAM己经成为存储芯片行业的一个技术热点.Everspin MR2A16A是首款商用MRAM产品。该芯片基于Toggle写入模式，并与采用铜互连技术的CMOS相集成。Everspin的MRAM单元采用单个晶体管和磁性隧道结构，结合其受专利保护的体系，以保证磁数据的可靠写入。在MRAM研发领域，Everspin展示了ToggleMRAM的可扩展性和可靠性，同时还在开发嵌入式MRAM，研究用于未来几代技术的新架构、材料和设备，从而继续保持其在MRAM研发方面的行业领导地位。

首款商用MRAM-MR2A16A

MR2A16A特性:

·单个3.3V电源

·商用温度范围(0～70°)

·对称高速读写功能，存取访问时间短(35ns)

·灵活的数据总线控制,8位或6位存取

·相同的地址和芯片支持存取次数

·带有低压抑制电路的自动数据保护功能可防止电源中断时写入数据

·所有输入和输出都兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)

·完全静态的操作

·全面的非易失性操作，数据至少可保存0年

MR2A16A可以实现非常灵活的系统设计而不会导致总线竞争。MR2A16A带有单独的字节支持控制.各字节均可独立写入和读取。它的运行电压为3.3V,读写周期为35ns。MR2A16A经济而又可靠，适用于多种商业应用，包括网络、安全、数据存储、游戏机等。在需要永久存储和快速检索关键数据的应用中，MR2A16A都是理想的存储器解决方案。

不难发现,MRAM的魅力在于兼具DRAM大容量与SRAM速度快的优点，且与Flash同属于非易失性存储，因此即使关机断电后，数据仍旧存在，而它比Flash的使用寿命更长、存取速度更快。在今日消费者需要大量且高速读写存储媒体的需求推动下，MR2A16A将有更广泛的应用前景。