8英寸SiC外延领域又一强强合作！

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近日，意大利SiC/Si外延设备厂商LPE S.p.A及新加坡科技研究局A*STAR的下属全球性研究机构微电子研究所IME宣布达成研究合作，双方将通过开展模拟研究支持的试验活动，共同开发高质量8英寸SiC及专业外延工艺。

Source：拍信网

根据合作协议，双方将充分结合LPE在SiC CVD反应器技术及SiC外延生长领域的专业知识以及IME的研究能力与设备、8英寸试产线和材料特性化设备，目标是开发生长效率更高、外延层均匀性更好、致命缺陷密度更低的8英寸外延工艺。

具体合作内容包括：验证LPE用于生长6/8英寸晶圆的PE1O8 SiC外延设备、增强8英寸SiC外延层均匀性、开发生长效率更高的8英寸SiC外延工艺、在8英寸SiC衬底上开发专业SiC外延工艺。

据介绍，IME投建8英寸SiC试产线，目的是在实现量产之前，以试产线的规模测试验证8英寸SiC生产制程和设备的可行性。并且，IME计划建设一个8英寸创新项目，本次IME与SiC外延设备厂商LPE达成战略合作也是该计划的一部分。

实际上，在此之前，IME今年1月还联合了法国半导体材料商Soitec共同开发用于电动汽车及高压电子产品的SiC。合作研究过程中，IME的8英寸SiC试产线将导入Soitec的Smart Cut等专有技术，对SiC MOSFET创新工艺及Smart Cut SiC等材料开展应用研发。

按照目前的动态来看，IME正在联合产业链不同环节的领先厂商，通过其8英寸SiC试产线，从SiC材料、设备、外延等方面入手，加速高质量SiC产品的研究和开发，助力推动SiC在电动汽车及充电桩等领域的推广和应用。（化合物半导体市场Jenny编译）