锴威特冲刺科创板，计划募资5.3亿元用于研发升级项目

松果财经获悉，据雷递网报道，苏州锴威特半导体股份有限公司日前递交科创板上会稿，准备在科创板上市。

此次，锴威特半导体计划募资5.3亿元，其中，1.45亿元用于智能功率半导体研发升级项目，8727.85万元用于SiC功率器件研发升级项目，1.68亿元用于功率半导体研发工程中心升级项目，1.3亿元用于补充营运资金。

据了解，锴威特半导体的主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。

在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，公司专注于功率驱动IC和电源管理IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已小批量出货。