暂无搜索历史
摘要:本文研究白光干涉仪在芯片晶圆沟槽 3D 轮廓测量中的应用,分析其工作原理及适配沟槽结构的技术优势,通过实际案例验证其测量精度,为芯片晶圆沟槽制造的质量控制...
摘要:本文探讨白光干涉仪在金属刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用,分析其工作原理及适配金属材料特性的技术优势,通过实际案例验证其测量精度,为金属刻蚀工艺的质量控制...
摘要:本文研究白光干涉仪在 ICP 刻蚀后的 3D 轮廓测量应用,阐述其工作原理与技术优势,通过实例验证其对刻蚀后表面形貌的精准检测能力,为 ICP 刻蚀工艺的...
摘要:本文探讨白光干涉仪在感性耦合等离子体刻蚀法(ICP)后的 3D 轮廓测量中的应用,分析其工作原理及适配 ICP 刻蚀特征的技术优势,通过实际案例验证其测量...
摘要:本文探讨白光干涉仪在高深宽比刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用,分析其工作原理及适配高深宽比结构的技术特性,通过实际案例验证其测量效能,为微纳制造中高深宽比...
摘要:本文研究白光干涉仪在微流控芯片刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用,分析其工作原理及针对微流控结构的技术适配性,通过实际案例验证其测量精度,为微流控芯片的制造...
摘要:本文研究白光干涉仪在碳膜沉积与刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用,解析其工作原理与技术特点,通过实际案例验证其对碳膜表面复杂形貌的精准测量能力,为碳膜相关器...
摘要:本文聚焦白光干涉仪在晶圆玻璃刻蚀后的 3D 轮廓测量应用,阐述其工作原理与技术特点,结合实际案例说明其在获取刻蚀后晶圆玻璃表面精准 3D 轮廓数据上的作用...
摘要: 本文阐述了白光干涉仪在晶圆化学蚀刻后 3D 轮廓测量中的应用。介绍了白光干涉仪的工作原理与技术优势,通过实际案例分析其在获取蚀刻后晶圆表面精确 3D 轮...
晶圆湿法刻蚀工艺通过化学溶液对材料进行各向同性或选择性腐蚀,广泛应用于硅衬底减薄、氧化层开窗、浅沟槽隔离等工艺,其刻蚀深度均匀性、表面平整度、侧向腐蚀量等参数直...
晶圆干法刻蚀工艺通过等离子体或反应离子对材料进行 anisotropic(各向异性)腐蚀,形成高精度三维结构(如栅极沟槽、通孔、FinFET 鳍片等),其刻蚀深...
芯片刻蚀工艺通过干法或湿法腐蚀将光刻图形转移至晶圆表层材料(如硅、氧化物、金属等),形成沟槽、通孔、鳍片等三维结构,其深度、线宽、侧壁倾角等参数直接决定器件的电...
纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography, NIL)作为低成本、高分辨率的纳米制造技术,通过模板物理压印将纳米级图形转移至聚合物或金属薄膜,...
EUV(极紫外)光刻技术凭借 13.5nm 的短波长,成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺,其光刻后形成的三维图形(如鳍片、栅极、接触孔等)尺寸通常在...
浸没式光刻(Immersion Lithography)通过在投影透镜与晶圆之间填充高折射率液体(如超纯水,n≈1.44),突破传统干法光刻的分辨率极限,广泛应...
步进扫描光刻(Step-and-Scan Lithography)作为先进集成电路制造的主流技术,通过分步移动与扫描曝光结合的方式,实现大尺寸晶圆上纳米级图形的...
步进重复光刻(Stepper Lithography)作为集成电路制造的核心技术,通过分步重复曝光将掩模图形转移至晶圆不同区域,形成阵列化纳米级三维结构(如芯片...
光学投影光刻(Projection Lithography)作为大规模集成电路制造的核心技术,通过投影透镜将掩模图形缩小转移至光刻胶层,形成纳米至微米级三维结构...
接触式光刻(Contact Lithography)作为低成本、高分辨率的微纳加工技术,广泛应用于 MEMS、光学元件等领域,其光刻后形成的三维图形(如微透镜、...
EBL(电子束光刻)技术凭借纳米级加工精度,广泛应用于 IC 芯片原型、纳米光电器件等领域,其光刻后形成的三维图形(如纳米线、光栅、孔阵列等)尺寸通常在 10n...
暂未填写公司和职称
暂未填写个人简介
暂未填写技能专长
暂未填写学校和专业
暂未填写个人网址
暂未填写所在城市