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摘要：本文研究白光干涉仪在芯片晶圆沟槽 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配沟槽结构的技术优势，通过实际案例验证其测量精度，为芯片晶圆沟槽制造的质量控制...
摘要：本文探讨白光干涉仪在金属刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配金属材料特性的技术优势，通过实际案例验证其测量精度，为金属刻蚀工艺的质量控制...
摘要：本文研究白光干涉仪在 ICP 刻蚀后的 3D 轮廓测量应用，阐述其工作原理与技术优势，通过实例验证其对刻蚀后表面形貌的精准检测能力，为 ICP 刻蚀工艺的...
摘要：本文探讨白光干涉仪在感性耦合等离子体刻蚀法（ICP）后的 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配 ICP 刻蚀特征的技术优势，通过实际案例验证其测量...
摘要：本文探讨白光干涉仪在高深宽比刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配高深宽比结构的技术特性，通过实际案例验证其测量效能，为微纳制造中高深宽比...
摘要：本文研究白光干涉仪在微流控芯片刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及针对微流控结构的技术适配性，通过实际案例验证其测量精度，为微流控芯片的制造...
摘要：本文研究白光干涉仪在碳膜沉积与刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用，解析其工作原理与技术特点，通过实际案例验证其对碳膜表面复杂形貌的精准测量能力，为碳膜相关器...
摘要：本文聚焦白光干涉仪在晶圆玻璃刻蚀后的 3D 轮廓测量应用，阐述其工作原理与技术特点，结合实际案例说明其在获取刻蚀后晶圆玻璃表面精准 3D 轮廓数据上的作用...
摘要： 本文阐述了白光干涉仪在晶圆化学蚀刻后 3D 轮廓测量中的应用。介绍了白光干涉仪的工作原理与技术优势，通过实际案例分析其在获取蚀刻后晶圆表面精确 3D 轮...
晶圆湿法刻蚀工艺通过化学溶液对材料进行各向同性或选择性腐蚀，广泛应用于硅衬底减薄、氧化层开窗、浅沟槽隔离等工艺，其刻蚀深度均匀性、表面平整度、侧向腐蚀量等参数直...
晶圆干法刻蚀工艺通过等离子体或反应离子对材料进行 anisotropic（各向异性）腐蚀，形成高精度三维结构（如栅极沟槽、通孔、FinFET 鳍片等），其刻蚀深...
芯片刻蚀工艺通过干法或湿法腐蚀将光刻图形转移至晶圆表层材料（如硅、氧化物、金属等），形成沟槽、通孔、鳍片等三维结构，其深度、线宽、侧壁倾角等参数直接决定器件的电...
纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography, NIL）作为低成本、高分辨率的纳米制造技术，通过模板物理压印将纳米级图形转移至聚合物或金属薄膜，...
EUV（极紫外）光刻技术凭借 13.5nm 的短波长，成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺，其光刻后形成的三维图形（如鳍片、栅极、接触孔等）尺寸通常在...
浸没式光刻（Immersion Lithography）通过在投影透镜与晶圆之间填充高折射率液体（如超纯水，n≈1.44），突破传统干法光刻的分辨率极限，广泛应...
步进扫描光刻（Step-and-Scan Lithography）作为先进集成电路制造的主流技术，通过分步移动与扫描曝光结合的方式，实现大尺寸晶圆上纳米级图形的...
步进重复光刻（Stepper Lithography）作为集成电路制造的核心技术，通过分步重复曝光将掩模图形转移至晶圆不同区域，形成阵列化纳米级三维结构（如芯片...
光学投影光刻（Projection Lithography）作为大规模集成电路制造的核心技术，通过投影透镜将掩模图形缩小转移至光刻胶层，形成纳米至微米级三维结构...
接触式光刻（Contact Lithography）作为低成本、高分辨率的微纳加工技术，广泛应用于 MEMS、光学元件等领域，其光刻后形成的三维图形（如微透镜、...
EBL（电子束光刻）技术凭借纳米级加工精度，广泛应用于 IC 芯片原型、纳米光电器件等领域，其光刻后形成的三维图形（如纳米线、光栅、孔阵列等）尺寸通常在 10n...
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