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简单双端口RAM设计(带下载链接)

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数字积木
发布2021-04-15 10:26:09
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发布2021-04-15 10:26:09
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文章被收录于专栏:数字积木

1,设计需求

设计一个双端口的RAM,具有独立的读写时钟,独立读写地址和数据端口,具有复位功能,并具有读和写的使能信号。

2,端口设计

写通道(write)

Wrclk

输入端口

写通道的时钟信号

Aclear

输入端口

RAM复位信号

Wren

输入端口

RAM写使能信号

Wraddr[…]

输入端口

RAM写数据的地址端口

Wdata[…]

输入端口

RAM的写数据端口

读通道(read)

Rdclk

输入端口

读通道的时钟信号

Rden

输入端口

读通道的使能信号

Raddr[…]

输入端口

要读出的数据的地址信息

Rdata[…]

输出端口

读出的数据

3,设计框图

4,代码设计

(1)参数定义

数据宽度和地址宽度

(2)输入输出端口

各个信号的含义如第二小节所示。

(3)双端口RAM定义

定义了一个位宽为 data_width,深度为 2^addr_width 的ram存储器。

4)在写时钟的驱动下,双端口RAM写数据以及复位功能设计

在本写时钟下给出写地址和写数据,在下一个写时钟周期,数据被写入到RAM中。

(5)再读时钟的驱动下,双端口RAM读数据的功能设计

本读时钟给出读地址信息,在下一个读时钟信号,输出对应地址的数据。

5,功能仿真(仿真代码

(1)信号初始化,并复位

(2)进行写数据仿真

模拟产生写地址信息以及写数据,并使写使能信号有效。

写地址和写数据在本时钟上升沿产生,并在下一个时钟的上升沿写入RAM中。

(3)进行读数据仿真

模拟产生读地址信号,并使读使能信号有效。

读地址在本时钟上升沿产生,数据在下一个时钟的上升沿从RAM中读出。

6,仿真波形

(1)写数据过程的仿真波形

可以看出,写地址和写数据在本时钟上升沿产生,并在下一个时钟的上升沿写入RAM中。

(2)读数据过程的仿真波形

可以看出,读地址在本时钟上升沿产生,数据在下一个时钟的上升沿从RAM中读出。

7,源代码下载

在公众号对话框内回复

双端口RAM

即可得到工程文件下载链接。

本工程基于 Quartus 18.2 ,联合 Modelsim 进行功能仿真。

本文参与 腾讯云自媒体同步曝光计划,分享自微信公众号。
原始发表:2019-04-29,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

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