这篇笔记整理下硅光芯片的耦合封装方案。硅光芯片的耦合器主要分端面耦合和光栅耦合两种,对应的封装方案可谓五花八门,这里选取一些典型的方案。Intel选取了片上异质集成激光器的方案,因而不存在耦合封装这一问题。
1. 端面耦合
a) IBM方案
关于IBM的耦合封装方案,之前的笔记IBM的硅光封装方案介绍过。IBM走的技术路线是端面耦合,并结合它们自己的foundry,开发了两种对应的耦合封装方案。其一,如下图所示,
(图片来自文献1)
在硅光芯片端面处进行刻蚀,形成V型槽阵列,用于放置光纤阵列。绿色小长方体是聚合物lid, 将其压在FA上,使得FA落入V型槽中。每根光纤的位置可进一步精细调节,使光纤完全落入V型槽中,达到最优的耦合效率。
另一种方案借助于聚合物波导,如下图所示,聚合物波导充当单模光纤与硅波导之间的桥梁,光从单模光纤耦合进聚合物波导,再由聚合物波导耦入硅波导中。
(图片来自文献1)
b) Interposer方案
该方案与IBM的方案二类似,采用二氧化硅制成的PLC波导作为interposer,将光纤里较大模斑转换为较小的模斑,再耦合进硅光芯片中, 如下图所示。下图中的中间物体即为PLC interposer。
(图片来自http://www.plcconnections.com/silicon.html)
c)Lensed-fiber方案
该方案采用lensed fiber进行耦合,实验室中大都采用该方案。lensed fiber的MFD只有3um左右,可以与硅波导有效地耦合,如下图所示,
(图片来自https://fiberphotonics.com/technology/fiber-lens-coupling/)
d)Photonic wire bonding方案
采用激光直写的方式形成3维的聚合物波导,用于连接光纤和光芯片,如下图所示。关于PWB的细节,可参看光学引线键合技术 (photonic wire bonding)
(图片来自http://www.vanguard-photonics.com/project_tag/photonic-wire-bonds/)
e)Flip-chip方案
在硅光芯片边缘处刻蚀并生长几个Si柱,用于支撑DFB激光器,然后将DFB倒装到硅光芯片上,如下图所示,
(图片来自https://www.mdpi.com/2304-6732/2/4/1131/htm)
2. 光栅耦合
a)斜切光纤方案
采用斜切40度的光纤,光场经过斜面的反射,以使得光耦合进grating coupler中, 如下图所示。
(图片来自文献2)
b) Chiral Photonics方案
Chiral Photonics公司采用特殊的工艺,将pitch为127um的FA制成间距只有几十微米的二维光纤阵列,然后与芯片上的focused grating coupler进行耦合。该方案适用于需要多通道输入的情景。下图展示了37个通道,光纤pitch为40um的情况。
(图片来自文献3)
c) Micro-optical bench方案
该方案借助于微透镜、棱镜等光学元件,将DFB激光器中的光场耦合进芯片中,激光器、透镜等元件放置在一个bench上,如下图所示,
(图片来自文献4)
Luxtera公司采用的是类似的方案,如下图所示,
(图片来自http://www.uni-kassel.de/projekte/fileadmin/datas/projekte/sequoia/02_ECOC2014_WS1_-_Peter_De_Dobbelaere_-_Luxtera_ER_.pdf)
总体说来,端面耦合器需要解决的问题是模斑尺寸的匹配,而光栅耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解决光路偏折的问题。不同公司选择的技术路径各一, 各显神通。耦合封装与光芯片的设计密切相关,也需要结合EIC的封装整体考虑。成本,良率,耦合效率,是否可大规模生产,这些也都是需要考量的因素。
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参考文献: