3D X-DRAM技术问世，可生产230层128Gbit DRAM

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近日，初创公司NEO Semiconductor宣布，推出其突破性技术3D X-DRAM。

3D X-DRAM是第一个基于无电容器浮体单元 (FBC) 技术的类似3D NAND的DRAM单元阵列结构，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代2D DRAM市场。

据NEO介绍，其3D X-DRAM技术可以生产230层的128Gbit DRAM芯片——是当前DRAM密度的八倍，并预计在2030到2035年间就能实现1Tb的容量。

NEO表示，3D X-DRAM是解决由下一波AI应用（例如ChatGPT）驱动的对高性能和大容量存储器半导体的需求增长所必需的。

联合创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“3D X-DRAM将是半导体行业未来绝对的增长动力。”

NEO专注于半导体存储器并开发了X-NAND技术，NAND芯片具有多个平行平面以加速数据访问——第一代顺序写入带宽为1,600MBps，第二代为3,200MBps。

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