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iPhone也要上2TB版本了!但寿命和性能可能更低

据国外媒体报道称,苹果可能会在2026年的iPhone上启用预计2TB的更大存储,据爆料,苹果正在加速推进QLC NAND换代,从而将内置存储上限提高到2TB。

此前有消息称,苹果可能会改变存储容量(iPhone 16上启用),不再使用三层单元(TLC)NAND 闪存,而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。

至于为何使用QLC,可能还是跟苹果控制成本有关。与TLC相比,QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据,在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据,这意味着在同样的物理空间内,QLC闪存可以存储更多的数据,从而提高了存储设备的容量,使用更少的单元储存更多的数据,而这可以降低生产成本。

但也有缺陷所在,QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠,写入数据的耐久性会降低,因为每个单元写入的次数更多,因为每个单元多包含一个位。QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平,而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时,由于电荷量增加,裕量减少,这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。OLC闪存是一个更加经济的选择,但对于追求性能和耐用度的用户来说,TLC可能更合适。

如果苹果继续执行这一计划,一些版本的iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。

编辑点评:QLC的耐用性虽然不比TLC的好,但就手机的使用寿命来说其实并不明显。但苹果未来可能启用的QLC的数据写入性能,与TLC相比会较差。这一特点可能是会在手机使用当中感受更加明显的一点,iPhone用户能否习惯这一点才是需要考虑的。

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