刚刚，长江存储宣布将在第三代3D NAND中应用Xtacking 2.0架构

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继今天早上宣布已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存后，今天下午，长江存储又宣布：将在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking2.0架构，相关技术概念将在IC China 2019紫光展台首次公开介绍。

据悉，Xtacking 2.0架构将充分利用Xtacking架构优势，带来更多价值，包括：进一步提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等。

在今年在5月举行的GSAMemory+论坛上，长江存储联席首席技术官汤强做了题为《三维闪存技术发展的展望》的主题演讲，并透露将在今年8月正式推出Xtacking 2.0技术。

为了追求更高的存储容量，存储技术正从MLC向TLC向QLC等发展，但是这会带来越来越多的系统成本。

另外，对于越来越多、越来越复杂的各种应用场景的需求，实际上是需要越来越多的定制化的存储方案来与之对应。但是一项新的存储解决方案的开发往往需要12-18个月的周期。

对应以上三大挑战所带来的问题的根源，汤强将其归结为存储的I/O接口速度、容量密度和上市周期。

对此，去年长江存储推出了Xtacking技术，不仅提高了I/O接口速度，而且还保证了3D NAND多层堆叠可达到更高容量以及减少上市周期。

Xtacking是可以在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(VerticalInterconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

根据长江存储此前公布的数据显示，在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，这也使得芯片的存储密度大幅降低。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。而Xtacking技术则可将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

目前，Xtacking技术已经成功应用于长江存储的第二代3D NAND产品（64层堆叠）。而新一代的Xtacking 2.0技术也将在本周正式亮相，相信这将会把长江存储的3D NAND闪存提升到一个新的高度。拭目以待吧。