泛林集团干式光刻胶技术通过 imec 认证，助力 2nm 及以下制程

1 月 26 日消息，泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布，其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺中实现 28nm 间距的直接图案化，能满足 2nm 及以下先进制程的需求。

目前在先进制程领域常用的光刻胶为基于化学放大原理的湿式旋涂光刻胶，而泛林的干式光刻胶则是由小于 0.5nm 的金属有机微粒单元气相沉积而来。

泛林宣称其干式光刻胶具有更优秀的光子捕获能力，同时光刻胶层的厚度也更容易调控。在具体表现方面，这一新型光刻胶可克服 EUV 光刻领域曝光剂量和缺陷率这对主要矛盾，同时较湿化学光刻胶更为环保。

▲ 光刻流程，从涂胶到制得图案

泛林干式光刻胶在后道工艺中的图案化能力目前已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻机上得到了验证，未来还可扩展至逐步投入使用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平台上。

干式光刻胶是一种用于半导体制造的光刻材料，通过气相沉积小于0.5nm的金属有机微粒单元形成。与传统的湿式旋涂光刻胶不同，干式光刻胶不依赖化学放大原理，而是通过物理沉积的方式形成光刻胶层。干式光刻胶作为一种新兴的光刻材料，凭借其出色的光子捕获能力、精确的厚度调控和环保特性，在半导体制造领域展现出巨大的潜力

其主要特点

1. 出色的光子捕获能力：干式光刻胶能够更有效地捕获光子，提高光刻效率。

2. 精确的厚度调控：干式光刻胶可以实现更精确的光刻胶层厚度控制，从而提高图案化的精度。

3. 环保：与湿式光刻胶相比，干式光刻胶在制备和使用过程中更加环保，减少了化学溶剂的使用。

4. 解决EUV光刻难题：干式光刻胶能够有效解决极紫外（EUV）光刻领域中的曝光剂量和缺陷率问题。

干式光刻胶主要应用于逻辑半导体后道工艺（BEOL，互联层制作）中，能够直接实现28nm间距的图案化，满足2nm及以下先进制程的严苛需求。目前，该技术已在0.33NA EUV光刻机上得到了验证，并有望扩展到即将投入使用的0.55NA EUV光刻平台上。

干式光刻胶优势是：

1、高分辨率：干式光刻胶能够实现非常高的分辨率，通常可以达到亚微米甚至纳米级别，适合制造高密度、高性能的集成电路和微电子器件。

2、干法工艺：干式光刻机采用干法刻蚀工艺，无需使用液体溶剂，减少了对环境的污染，同时也减少了后续清洗和处理的步骤，提高了生产效率。

3、适用于多种材料：干式光刻机可以用于刻蚀多种材料，包括硅、氮化硅、氮化铝等半导体材料，以及光刻胶、光刻树脂等有机材料。

泛林集团的干式光刻胶技术突破为半导体制造行业带来了更加高效、精准的解决方案，有望推动半导体制造技术的进一步发展。（综合IT之家等报道编辑）

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