事关EUV！大陆突破全新光刻胶，外媒：日企垄断被打破了

光刻机被誉为“工业皇冠上的明珠”，EUV更是这颗皇冠上最为璀璨的明珠。一直以来，EUV被荷兰ASML垄断，又被美方限制。那么，我们国产EUV进展如何呢？

相关人士给出了判断，国产EUV或许已处在黎明前的关键时刻！今年以来，随着国产EUV光刻机的好消息不断传出，近日光刻胶也传出全新突破，日企垄断要打破了。

光刻机从诞生发展到现在的EUV，其技术已经进行了6次主要的迭代，按技术进步路线进行分类的话，这6代光刻机的工艺分别是g线、i线、KrF、ArF、ArFi、EUV。

光刻机的光刻是芯片制造过程中的核心工艺，其过程中又离不开配套光刻机的辅助。

因此，光刻胶又被称为半导体材料皇冠上的明珠。与光刻机技术相对应，按曝光波长的不同，光刻胶也有相应配套类型，分为g线、i线、KrF、ArF和EUV五种类型。

从上图中可以看出，一瓶一瓶的光刻胶并不起眼，但你恐怕想不到，一小瓶就要5万元之多，而这就是真实的存在。因此，光刻胶还被誉为芯片制造的“黑色黄金”。

光刻胶之所以价格高昂，一方面是源于其稀缺性，另一方面是因为技术难度较大，长期被国外企业把控，但又是芯片制造不可或缺的关键材料，没有它就造不出芯片。

在芯片制造过程中，光刻机的作用是负责将电路设计图纸转化为硅片上的实际电路。

然而，光刻机要完成这个工艺，就必须要用到光刻胶，要将光刻胶先均匀涂抹在硅片上，形成一层薄薄的光刻胶膜，接着经过光刻机进行精准曝光，再显影、刻蚀等。

经过多个程序，最终才能形成正确的芯片图案。由此可以看出，光刻胶在芯片制造过程中的核心地位有多重要，其直接影响着芯片制造结果的性能、良率以及可靠性。

但光刻胶市场一直被日美企业垄断，尤其是日企，其化工四巨头垄断80%市场份额。

日本企业JSR、东京应化、信越化学、富士电子等主导全球光刻胶市场，控制着全球约70%-90%的光刻胶供应，，在高端ArF和EUV光刻胶领域垄断程度超过90%。

光刻胶的制作相当复杂，需要融合多种材料，需要突破很多技术难关，再加上国外企业建立的技术壁垒等，即使近年来我们一直在努力，但光刻胶依然主要依赖进口。

用于成熟制程的g线和i线光刻胶国产化率已达到80%，难点主要还是高端光刻胶。

目前，KrF和ArF光刻胶已经实现突围，只是市场份额还不大。其中，彤程新材的KrF光刻胶占到国内40%的市场份额，南大光电的ArF光刻胶已经能覆盖28nm制程。

然而，28nm以下制程的ArF光刻胶和EUV光刻胶，我们依然空白，急需进行突破。

不过，我们并没有放弃，相关部门和企业一直在努力研发高端光刻胶。近日好消息传来，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展。

该团队开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型EUV光刻胶，解决了当前主流EUV光刻胶多个缺陷，在吸收效率、反应机制、缺陷控制等方面更出色。

不过，该技术目前还处于实验室阶段，距离量产商用还需一定时间。但这个成果为构建下一代EUV光刻胶提供了清晰而可行的路径，有助于加速实现国产EUV光刻胶。

随着国产EUV光刻机越来越近，届时必将能够用上国产EUV光刻胶，不受国外限制。

对此，有外媒直接表示，日企的光刻胶垄断要被打破了！由于光刻胶的重要性，近年来日本积极配合美方实施芯片限制，美方也不断施压，让其限制光刻胶对华出口。

因此，我们不仅要加速实现国产EUV光刻机，还要实现高端EUV光刻胶的国产，这样才能彻底摆脱对国外的依赖，实现半导体产业链自主化，解决高端芯片国产问题。