降本提效利器！光刻级精度缺陷检测光学元件终极方案

文章导读：本方案整合Moxtek、Acktar、On-Trak三家光学元件产品，覆盖“光路控制-杂散光抑制-定位测量”等方面检测需求，为28nm以下晶圆缺陷检测技术提供关键光学元件支撑。

技术背景与行业痛点

半导体制造进入纳米级工艺时代，晶圆缺陷检测面临三大挑战：1）深紫外波段光学噪声干扰：传统偏振片在200-400nm波段透光率不足，导致缺陷信号被噪声掩盖；2）真空腔体污染风险：杂散光吸收材料释气率超标引发EUV光刻系统稳定性下降；3）套刻误差测量精度不足：位置探测器线性度误差＞0.5%时，28nm以下图形套刻偏差难以控制。

本方案整合Moxtek、Acktar、On-Trak三家光学元件产品，覆盖“光路控制-杂散光抑制-定位测量”等方面检测需求，为28nm以下晶圆缺陷检测技术提供关键光学元件支撑。

核心光学元件技术解析

Moxtek金属线栅紫外偏振片

型号：UVT240A / UVX240A / UVD240A / UCMNATC0

● 技术突破：200-400nm波段＞80%透光率：采用纳米线栅刻蚀技术，在266nm典型波长下透过率＞80%，消光比＞1000:1；可升级193nm偏振片。250℃耐热镀膜：满足半导体检测设备高温工况需求，镀膜层无热变形。● 应用场景：

用于晶圆缺陷检测设备，可有效提高缺陷检测尺度；光刻胶曝光，可有效提供曝光分辨率

●关键性能参数：

Acktar杂散光吸收膜：消除晶圆缺陷检测设备光路中杂散光

型号：Magic Black / Vacuum Black / Fractal Black / Ultra Blac k/ Metal Velvet

●技术突破：非金属无机涂层：100%无机物构成，CVCM释气率＜0.001%，RML释气率＜0.2%；EUV-VIS-IR全波段吸收：工作波长覆盖EUV-FIR（极紫外至远红外），涂层厚度很薄，完全由非金属和氧化物构成，不含有机物质，涂层厚度3-25μm可控。●广泛适用性：

气体释放量极低，与蚀刻和剥离工艺完全兼容，适用于真空、低温和洁净室环境。

●应用场景：

消除晶圆缺陷检测设备光路中杂散光，可有效提高缺陷检测尺度。●关键性能参数：

On-Trak位置灵敏探测器：纳米级套刻误差测量仪

型号：PSM2-4 / PSM2-10 / PSM2-20 / PSM2-45

● 技术突破：0.1%线性度误差：采用双横向硅探测器结构，PSM2-4型号位置分辨率达100nm；5nm位置分辨率：PSM2-10G针垫式四横向锗探测器在800-1800nm波段实现5μm分辨率。●应用场景：

在半导体应用中，位置灵敏探测器因其能够精确测量光点、粒子束或辐射的位置信息而发挥着关键作用，主要应用于需要高精度定位、对准、测量和控制的设备和工艺环节。●关键性能参数：

PRO紫外反射镜组：复杂光路紧凑化设计

型号：PRO#120/  PRO#160 / PRO#190

● 技术突破：120-320nm定制波长：反射/透射率＞40%，支持EUV光刻机对准系统设计；紧凑化光路设计：直径25.4-50.8mm可选，适配不同检测设备空间需求。●应用验证：

适用于晶圆表面的缺陷检测，光刻机（对准和监控系统），套刻误差测量仪； ●关键性能参数：

结论

本方案通过整合国际领先的光学元件，构建了28nm以下晶圆缺陷检测的“光学基准元件”方案。其核心价值在于突破深紫外波段光学控制、真空环境兼容性、纳米级测量三大技术壁垒，为中国半导体制造向14nm、7nm工艺跃迁提供关键检测技术关键元件支撑。

让每一颗芯片的缺陷无所遁形——这是光学技术的极限挑战，更是中国半导体制造的精度宣言。