明年将有5G智能手机搭载SK海力士的128层NAND闪存芯片

智能手机用样品已发给客户…“明年5G手机市场规模2亿台”

搭载SK海力士(SKhynix)的存储半导体芯片128层1Tb 4D Nand Flash产品的5G智能手机预计将于明年下半年开始上市。

20日，根据SK海力士消息，公司于本月将128层基础的移动端使用的1TB UFS 3.1样品，发送给了主要智能手机的厂商。

消息中说明“1TB UFS 3.1是超薄型智能手机的最佳解决方案”，“预计搭载此产品的5G智能手机将于明年下半年生产”。

之前，在6月SK海力士方面发布了全球首个128层4D Nand Flash，并表示预计将有产品利用这个解决方案后上市。

使用这个捷径方案，会比使用512Gb Nand 所需的芯片数量减少一半，可实现更薄的智能手机结构。

SK海力士128层1Tb 4D Nand.[图片来源于网络]

经过这次样品提供，那么预计SK海力士对应5G智能手机市场的增长将更加活跃。

SK海力士今年3季度业绩报告电话会议中曾经预测，中国政府的补助扩大，中低端智能手机的普及扩大等会带动有关Memory半导体的需求。

之后称“如果说今年的5G智能手机市场规模只有几千万台，那么预测明年将达到2亿台”。

SK海力士的消息中称，128层1Tb 4D Nand 用于PC的产品 2TB cSSD，和数据中心用的产品E1.L 16TB eSSD等 样品也在最近发送给了客户。

供应的产品，如果通过了客户的认证，那么SK海力士将正式进入有关产品的量产。预计PC用在明年上半年，数据中心用会在明年下半年采用。

另一边，三星电子在过去7月开始了100层以上的存储单元结构，6代(1xx) V Nand和SSD 的量产。

128层1Tb 4DNAND基础的产品[图片来源于网络]

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