STM32 简单读写FLASH

对于任何一款微处理器来说，flash无疑是最重要的一个模块，这个模块承载了相关程序代码以及数据参数。一般情况下，我们在存储一些非易失数据的时候，常常会用到这部分。通常有现成的flash芯片可供我们使用，然而操作flash芯片虽然不是十分困难的事，但是新增flash芯片的成本无疑对一些有成本要求的项目会有限制。那么能够熟练操作flash就可以一定程度上减少成本支出和效率，当然考虑到各种问题，这也许不是最好的办法，但应该是一种设计思路。另外这种方案也要求一款芯片的flash可读可写。

对于stm32系列芯片来说falsh应该是一个十分方便操作的模块了

首先对于stm32 flash的认识，第一步还是需要从官方数据手册开始。

搜索官网，会看到好多相关flash手册，会有很多，找到如下编号和文件名称。

手册总共31页，如果阅读起来的话，应该不算困难，不懂的词可以直接搜索英文翻译。

关于FLAH组织结构的表格有好几张，限于篇幅原因，只将要操作的stm32f103vet6的表格截图，其他的可以用到的时候再看。stm32f103vet6属于high-density  device（高密度设备），所以只找对应这个的表格就可以。

表格中，前面几个是主内存地址，后面几个是寄存器，稍后我们操作的就是后面几个寄存器。

粗略阅读这部分，对我们最有用的大概率就是表格了。

再往下到了 读写嵌入式内存 ，这部分因为涉及到读写，所以应该是比较重要的部分。

阅读这章后，会发现最重要的其实是 如下几个点

key-values、Programming procedure、Flash memory Page Erase procedure、Flash memory Mass Erase procedure（常用的多是按页擦除）

以上程序流程图非常清晰的写明了flash编写的过程。比较重要的是，无论是擦除还是写入，第一步都是先对flah进行解锁操作，在写数据之前，必须要对flash进行擦除（当然如果说空数据的话是不用擦的）。

还有一点就是，整篇文章对于如何读flash却没有做详细的解释，但是我们都知道，手册中已经给出了flash区块的地址，那么假如我们按指针的方式直接取值的话，应该也是可以的。通过对网络资源的搜索，大部分对flash读的操作都是按指针取值的方式。

下面我们首先写出读flash的程序，非常简单几条语句

unsigned char Flash_ReadByte(unsigned int addr) ////addr为输入的地址值{return(*(unsigned short*)addr);}

这样，我们就可以通过读来验证之后flash数据的写入是否准确无误。

对于写的过程，通过表格我们知道，写之前要擦除，而且是按要擦的字节所在的页来进行擦除。由于目前我们只写入一个字节，所以就不考虑所在页的整体擦除了。另外一点需要再次注意的是无论是擦除还是写入，都需要进行解锁操作。

void Flash_ErasePage(unsigned int addr){FLASH_Unlock(); //解锁FLASH->CR |= 1FLASH->AR = addr; //Write into FAR an address within the page to erase FLASH->CR |=1while(FLASH->SR&0x01); //FLASH_SR_BSY= 1 ? FLASH->CR &= ~(1FLASH_Lock();//加锁}

以上就是擦除指定地址所在页的程序，程序一一对应了手册上的表格，其中对PER写0的操作是为了停止选取页擦除功能所以相当于将这个寄存器复位，不然后续写入的话会出现问题。

void Flash_WriteHalfWord(unsigned int addr,unsigned short data){ FLASH_Unlock();FLASH->CR |= 0x01;*(unsigned short *)addr = data; while(FLASH->SR&0x01); FLASH->CR& = ~0x01;FLASH_Lock();}

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上述就是写操作的过程，我们可以在主函数里通过开始的读程序来验证写入的正确与否了。

对于上述擦写的操作，是通过寄存器实现的，如果采用库函数的话还会更简单

擦除三句话

FLASH_Unlock();FLASH_ErasePage(addr);FLASH_Lock();

写入三句话

FLASH_Unlock();FLASH_ProgramHalfWord(addr,data);FLASH_Lock();

以上就是stm32读写flash的简单操作，不足之处还望留言建议，谢谢

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