集微网消息,据韩媒报道,三星电子正在加速进军下一代功率半导体市场,在组建与SiC和GaN器件开发相关的功率半导体TF后,目前正积极投资研发和原型生产所需的设施。
报道称,三星电子正试图引进更先进的8英寸碳化硅工艺设备。据了解,迄今为止完成的投资约在1000亿至2000亿韩元(6-12亿人民币)之间。投资规模足以实现原型的量产,而不仅仅是简单的工艺开发。
SiC和GaN被认为是下一代功率半导体材料。与传统的硅相比,它具有出色的耐高温和高电压耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好,以电动汽车为代表的汽车市场对它的需求不断增加。由于开关速度快,GaN被评价为更适合高频环境下的无线通信。
报道显示,除了三星电子DS部门内的主要部门外,LED业务团队和三星高级技术研究所也参与了前述TF。TF的具体目标是开发8英寸SiC、GaN工艺。
一位知情人士表示,“我了解到三星电子决定推动一项计划,将用于SiC和GaN开发的LED工艺中使用的部分8英寸设备混合使用,以提高开发效率。”
报道还透露,三星电子内部对下一代功率半导体业务抱有相当大的热情。一位业内人士暗示说:“随着 Gyeong Kyung-hyeon总裁负责DS部门,功率半导体业务正在蓄势待发。”
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