中国即将制造自己的存储芯片

中国领先的存储芯片制造商长江存储将从明年开始使用国内公司的所有设备而不是国外资源进行生产。

长江存储科技公司（YMTC）在制造 3D NAND 存储芯片方面取得了新进展，使用国内合作伙伴制造的设备替代国外设备。与此同时，英国《金融时报》报道称，长江存储的尖端芯片将于明年在一家配备中国供应商工具的新工厂开始生产。

2017年，中国第一颗3D NAND存储芯片由长江存储成功设计制造。

3D NAND 存储芯片是一种闪存，其中存储单元垂直堆叠以增加存储密度。据伯恩斯坦称，长江存储是中国在该领域最大的希望，去年全球市场份额达到6%。该公司还以名为 X3-9070 的 232 层存储芯片挑战了三星、SK 海力士和美光科技等行业巨头。

然而，长江存储的努力后来因美国的制裁而中断。禁止 KLA 和 Lam Research 等芯片制造设备供应商与该公司开展业务。在市场对存储芯片需求下降的背景下，该公司也不得不裁员和设备投资。在从包括中国国家集成电路产业投资基金在内的许多投资者那里获得约 70 亿美元的资金后，长江存储的情况再次向好。

长江存储最近加大了与国内供应商的合作，生产基于其Xtacking 3.0架构的存储芯片。以武当山命名的武当山项目“走上正轨”。该公司的战略合作伙伴之一是 Naura——中国领先的雕刻工具制造商，是 Lam Research 的竞争对手。

据说长江存储已要求国内供应商去除设备上的标识和识别标记，以降低美国制裁的风险。

长江存储和Naura尚未对这些报道发表评论。

据专家介绍，尽管有许多大型科技公司，但中国在存储芯片制造过程中仍然存在瓶颈。他们没有可以替代西方设备的国产仪器，例如 KLA 测量仪器或 ASML 光刻系统。在最近的半导体行业风险投资活动上，北京的一位投资者表示“中国正在努力解决瓶颈”，并寻找有潜力的公司进行投资。

“中国企业必须首先获得先进的芯片制造设备和技术，然后再考虑扩大生产，”穆迪高级分析师陆晨义表示，预计中国至少需要5年时间才能赶上芯片行业的大玩家。