英伟达与三星秘密洽谈开发新型人工智能内存芯片

英伟达凭借其人工智能加速器占据了市场。这些芯片需要大量高带宽内存，目前大部分此类内存由 SK 海力士供应，而三星仍在努力争取其 HBM3E 芯片获批。

在这一过程持续推进之际，据报道，两家公司都在秘密商讨将一种名为 SOCAMM（片上系统先进内存模块）的新型先进人工智能内存芯片商业化。据说英伟达也在就这种内存芯片与 SK 海力士进行谈判。

谈判围绕将这一新内存标准商业化展开。业内认为，相较于构成如今人工智能加速器核心的现有高带宽内存芯片，它是一种进步。

这些芯片旨在显著提升人工智能超级计算机的性能。SOCAMM 具有更高的性价比，其模块设计拥有更多端口，有助于减少数据瓶颈，而数据瓶颈仍是人工智能计算领域面临的一项挑战。

SOCAMM 也是可拆卸的，这将使数据中心运营商能够更换和升级内存模块，实现性能的持续提升。鉴于其体积紧凑，在相同空间内可以安装更多 SOCAMM 模块，以提升高性能计算能力。

业内人士强调，英伟达以及三星等内存公司目前正在研发 SOCAMM 原型产品，并在预计于 2025 年底前开始的大规模生产之前进行性能测试。这可能为三星提供又一次机会，收复其在高带宽内存领域输给 SK 海力士的部分失地。