可生产3nm！中国研发出固态DUV光源技术，西方拦不住了！

国产光刻机突破速度之快，已经让西方拦不住了。

根据可靠消息，中科院成功研发出了全固态的DUV光源技术。

用这项技术制造芯片，可以造出3nm芯片。

而且成果得到了国际光电工程学会的认可。

此前，光刻机巨头阿斯麦CEO曾说过，“美对华出口限制，将推动中国成功研发自己的技术”。

这下，预言成真了。

光刻机，这个被西方称为至高无上的神话，如今已到神话破灭的地步了。

如果说，光刻机是人类半导体工业皇冠上的明珠。

那么，阿斯麦就相当于握着最亮明珠的那个人。

光刻机的作用是在硅片上刻出集成电路图案，而光源是最关键的组成部分之一，其性能更是直接决定了制程的精度。

放眼全球，只有阿斯麦掌握了最先进的EUV极紫外光技术，可以制造7纳米以下制程的芯片。

由于EUV光刻机采用了极紫外光源，在芯片制作过程中，只需要一次曝光就能完成。

比DUV光刻机需要曝光多次相比，大大减少了步骤。

据悉，EUV光刻机有10万多个精密零件，90%来自超过40多个国家的5000多家供应商，而且各个都是顶尖水平。

比如，镜头是德国蔡司的，特殊复合材料是日本的，精密机床是瑞典的，控制软件跟光源是美国的。

如此庞大的技术体系，也造就了其不可复制的地位。

阿斯麦正是凭借“集全球最顶尖技术”这一法宝 ，能够在光刻机领域一骑绝尘。

更关键的是，由于阿斯麦的大股东是美国，因此在对华芯片出口管制方面，不得不言听计从。

但现在，西方估计要慌了。

因为中科院成功研发出了全固态的DUV光源技术。

别看只是DUV光源，但其背后的含金量不容小觑。

阿斯麦的EUV光刻机采用的光源，是一项名叫氟化氙(ArF)的准分子激光技术。

该系统不仅结构复杂，而且大量专利长期被美日企业垄断。

而这次，中科院另辟蹊径，使用固态晶体产生光源。

不同于EUV系统对极紫外线和高能等离子体光源的依赖，基于固态晶体激发的DUV光源，在一定条件下可实现媲美EUV精度的曝光效果。

并且，核心技术完全自主可控，绕开了西方相关的专利约束。

这意味着，西方想要通过光刻机的禁售，来锁死中国芯片发展，这条路已经行不通了。

除此以外，中科院这种方案让光刻结构更简单，整体体积可以缩小30%以上。

不仅让国产光刻机更容易建成，能耗方面也能下降很多。

更重要的是，一旦中国掌握了某种民用科技，相关设备的制造成本便会腰折，到时候清一色Made in China。

此前，如果想要生产5nm芯片，不好意思，要用到阿斯麦EUV光刻机。

而这款光刻机，目前来说还是对中国禁售的。

但现在，中科院全固态的DUV光源技术的突破，让生产3nm芯片变成可能。

西方就等着看好了，曾经一个个高不可攀的山头，注定会被我们攻克。

中国不仅将在高端芯片领域，逐步摆脱对EUV光刻机的依赖，更能以“性价比优势”重塑全球半导体市场格局。

阿斯麦CEO曾指出，物理定律在全世界都是一样的，中国没有理由造不出光刻机。

现在再回头看，真不愧是预言家。

虽然中科院这项突破还处在实验室阶段，离量产还有一定距离，但对芯片行业来说，无疑是一颗重磅炸弹。

正所谓，星星之火可以燎原。

如果中国在最尖端的光刻机上突破了，那么高端芯片变成白菜价，将指日可待。