光刻机技术再突破！打破西方国家的垄断

高端光刻机和航空发动机可以说是目前制造业中技术难度最大的,也是我国一直以来没有突破的方向。近年来，我国科技发展迅速，一些西方国家认为我们发展起来对他们有威胁，所以联合了其他西方国家对我们进行各方面的制裁。其中就包括了光刻机。

而美国对华为的芯片制裁也更是坚定了我们要自主研发光刻机的决心，毕竟想要自己生产芯片就离不开光刻机。

其实我国现在也有光刻机生产，不过不属于高端系列，做不到更精细化的生产，没有办法达到手机芯片的制作要求。光刻机为什么在芯片制造中不可或缺？

光刻机的工作原理是利用光通过模板去除晶圆表面的保护膜，在晶圆上雕刻电路，最后让芯片包含上百亿个晶体管。所以其最核心的就是光源，主要是：

可见光：g线：436nm

紫外光（UV），i线：365nm

深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm

极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm

可以看出，EUV是最精细的，也是最难的，可以生产7nm或5nm的芯片。目前全球只有荷兰的ASML能够生产EUV光刻机。

但EUV光刻机的制造复杂，需要许多精密的零件仪器，所以ASML制造的EUV光刻机的许多零件是由其他国家的公司提供，大约有5000家。而在2018年，中芯国际就向ASML订购了一台用于生产7nm芯片的EVU光刻机，但因为受部分零件提供者——美国的禁止出口条例影响，该设备至今也没有交付。ASML现任CEO温彼得（Peter Wennink）也曾公开表示：并没有向中国出售EUV光刻机的打算。

温彼得

不过好在我们从来没有放松对光刻机的研究。近日，上海微电子正式推出28nmDUV光刻机，这是我国光刻机技术从90nm到28nm的大突破。据了解，目前上海微电子生产的光刻机已经可以投入到8寸线或12寸线的批量生产中。对EUV光刻机我们也有一些技术上的突破。

这些成果非常喜人，但还远远不够。但我相信在科研人员的努力下、在国家的支持下，我们离自主生产EUV光刻机的那一天越来越近。总有一天，我们会打破ASML的市场垄断。