一文了解原子层沉积（ALD）技术的原理与特点

什么是原子层沉积技术 原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。

20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术（1974年，由 Tuomo Suntola 教授申请专利）。在俄罗斯，它过去和现在都被称为分子层沉积，而在芬兰，它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”，而术语“原子层外延”现在保留用于（高温）外延 ALD。

Part 01.原子层沉积技术基本原理

一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤：

1. 脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附

2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体

3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料

4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物