君普新航申请一种抗辐照器件及其制备方法专利，减少电子和空穴在器件内部积累

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，西安电子科技大学;陕西君普新航科技有限公司申请一项名为“一种具有辐照电荷抽取层的P-GaN栅HEMT抗辐照器件及其制备方法”的专利，公开号CN120603303A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，为解决现有技术抗单粒子烧毁能力低的问题，提出一种具有辐照电荷抽取层的P-GaN栅HEMT抗辐照器件及其制备方法。本发明的器件从下至上包括：衬底、缓冲层、辐照电荷抽取层、沟道层、势垒层、P-GaN层；势垒层上表面的两端分别连接有一号源极和漏极；在一号源极的下侧面设有二号源极；在P-GaN层上方设置有栅极；栅极与一号源极和漏极之间设置有钝化层。本发明的方案有助于抽取因高能粒子辐照而电离出的电子和空穴，减少电子和空穴在器件内部积累，避免器件由于产生大量的热而烧毁，降低了器件的单粒子烧毁的风险，增强抗单粒子效应的能力。并且，能够实现对所有单粒子入射位置进行加固，不局限于单一位置，实现全局抗辐照加固。