云南中科鑫圆等申请VB法制备超高纯锗单晶方法专利，生长出的超高纯单晶体是等径的

国家知识产权局信息显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司申请一项名为“一种VB法制备超高纯锗单晶的方法”的专利，公开号CN 120608317 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了一种VB法制备超高纯锗单晶的方法，包括以下步骤：步骤1，清洗；步骤2，安装；步骤3，装料；步骤4，熔料；步骤5，引晶接种；步骤6，单晶生长；步骤7，冷却退火；步骤8，出炉脱模。通过本方法生长出的超高纯单晶体是等径的，单晶直径是按要求受控制生长的。且本发明VB法的加热方式为高频感应加热区别于传统VB法的电阻加热方式。

天眼查资料显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司，成立于2008年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本22645.804万人民币。通过天眼查大数据分析，云南中科鑫圆晶体材料有限公司参与招投标项目20次，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可14个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯