紫光64层NAND亮相 打破外商垄断

在2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。

一直以来，中国在NAND上一直被外商垄断，这使得外商能够轻易操纵NAND价格。在Note7接连自燃之后，NAND Flash和DRAM的价格疯涨，进而带动了内存条和固态硬盘等商品价格暴涨，出现这种情况的原因，就在于在存储芯片上，三星、SK海力士、东芝/贝恩资本、闪迪/西部数据、镁光等大厂垄断了市场。

随着大数据、云计算时代的到来，人类生产生活所产生的数据以几何倍数增长，这预示着数据的大爆发，对高速、大容量等数据存储也提出了更高的要求。而固态硬盘淘汰机械硬盘已经是大势所趋，如果在NAND上中国始终依赖三星等唯利是图的外商，那么，不仅使中国产业安全无法得到保障，还会使国内企业必须花大价钱买国外存储芯片。

本次紫光64层NAND亮相则是中国NANDFlash技术突破的阶段性胜利。此前，紫光已经完成了32层NAND的小批量量产，只不过由于技术相对落后，成本偏高，几乎是产的越多，亏的越多，因而只是小批量量产，这些NAND主要用在U盘、SD卡等产品上。紫光此前与合作伙伴共同推出的SSD，是英特尔的NAND+紫光模组+台系SSD主控。NAND并非长江存储产的NAND。

而本次的64层NAND，采用了Xtacking架构。根据紫光的宣传，长江存储还搞出的Xtacking架构可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属垂直互联通道将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

长江存储CEO杨士宁博士指出：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

还有材料指出：

紫光的64层的3D NAND得益于Xtacking技术，使得产品开发时间缩短三个月，生产周期可缩短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比传统3D NAND拥有更高的存储密度。这使得紫光的64层的3D NAND性能可以接近国际大厂的96层3D NAND。

因此，紫光的64层NAND是具备一定市场竞争力的技术。根据长江存储的规划，64层NAND计划年底正式量产，2020年逐步提升产能，年底产能可望提升至月产6万片晶圆的规模。之后，紫光会跳过96层NAND，直接研发128层NAND。

由于紫光体量巨大，产品线很全，不仅有NAND，还有PCIe NVMe SSD主控芯片，还有H3C这样的整机厂，内部可以进行垂直整合。据称，在2020年长江存储的64层NAND产能提升上来后，紫光麾下H3C的服务器、存储设备、智能终端将率先搭载长江存储的NAND，将来不排除向智能手机厂商组团推销展锐的SoC和长江存储NAND的可能性。

在看到成绩的同时，我们也应当看到不足，那就是紫光64层NAND只是阶段性胜利，和三星、SK海力士等厂商在技术上和市场份额上有很大差距。而且长江存储在原材料、设备等方面对外商有较大依赖，在实现不被卡脖子方面任重道远。

铁流期待在3至5年后，国人日常办公写的文稿，外出旅游的拍的照片，能够存储在国产的NAND里。