盈亚研究：存储器国产化有望进程，本土企业迎良机

6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设。该项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总体投资240亿美元。项目一期于2016年底开工建设，32层、64层存储芯片产品现已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。二期规划产能20万片/月，近日正式开工，两期项目达产后月产能共计30万片。     

     存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，几乎所有常见的电子设备都需要使用存储器。根据WSTS2019年11月估计数据，2019年全球半导体行业的整体规模在4000亿美元以上，存储器的市场规模超过1000亿，是半导体中规模最大的子行业，占比超过1/4。

     目前，全球存储器市场呈现寡头垄断格局，三星、海力士、镁光占绝大部分市场份额。近些年来，内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨，根源也在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。因此，存储器的国产替代势在必行。

     众多半导体存储器中，市场规模比较大的是DRAM和NAND Flash。其中DRAM市场占比53%左右，NAND Flash占比42%，此外还有NOR Flash，但占比极小，在3%左右。DRAM，又称之为动态随机存取存储器，主要应用于手机、个人计算机、服务器等，目前行业的领先者主要包括三星、SK海力士、美光等，市场规模为600亿-1000亿，DAND Flash是flash存储器的一种，具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，主要参与者有三星、铠侠、西数、美光、SK海力士等，市场规模仅次于DRAM，在400亿-600亿美元。NOR Flash又称之为代码型闪存存储器，常用于系统启动代码的存储，市场主要参与者包括华邦、旺宏、兆易创新、Cypress、美光等，规模在25亿-30亿美元，其市场规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低，但近年来随着新兴市场的崛起，NOR Flash的市场空间也已逐渐恢复。

      国家存储器基地项目的建设聚焦NAND Flash。在NAND Flash颗粒原厂中，主要的厂家为三星、铠侠、西数、美光等。三星处于领先地位，市占率为34%，但NAND Flash市场集中度稍微低于DRAM市场，也给了中国厂商反超的机遇。国内NAND Flash国产化核心资产为长江存储科技有限责任公司。长江存储3D NAND闪存项目于2014年正式启动，规划总投资240亿美元，预期2023年要实现每月30万片晶圆的产能，年产值有望达到千亿体量。2019年9月，长江存储官网宣布搭载Xtacking架构的中国首款64层3D NAND闪存启动量产，并计划直接跳过96层研发128层技术，与国外先进厂商的技术差距正在不断缩小。2020年4月，业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存获得研发成功，并通过多家存储终端厂商通过。

     随着国家存储器基地项目二期开工，存储器国产化进程望迎来提速，有望在中长期降低国内半导体产品成本，并促使国产产业链受益。上市公司层面，可跟踪以下标的。

     北方华创(002371):公司产品覆盖刻蚀、成膜、氧化/扩散、清洗、流量计五大类，已有30多种成熟设备在国内集成电路生产线上量产使用；12吋硅刻蚀机、金属PVD、立式氧化/退火炉、湿法清洗机等多款高端半导体设备相继进入量产阶段，8吋硅刻蚀机、金属刻蚀机、深槽刻蚀机、金属PVD、立式氧化/退火炉、湿法清洗机等设备频频获得客户重复采购订单。以长江存储为例，北方华创目前刻蚀设备\PVD\氧化扩散设备机台市占率分别约为4%/15%/33%。

     国科微(300672)：公司2019年固态存储系列芯片营收占比48.5%；今年5月份正式与长江存储正式签署长期供货协议，表明公司国产存储设备制造商定位进一步明确。根据公司官网信息，公司签约当日预发布的固态硬盘311C-Y搭载自研控制器芯片GK2302以及长江存储Xtacking架构的64层TLC3D NAND颗粒，公司原有存储控制芯片业务同样与长江存储形成业务协同。

     太极实业(600667)：旗下子公司武汉精鸿是公司ATE设备主要执行主体，以存储器芯片检测为主，2019年年底中标长江存储产品级高温老化测试机。获得长江存储ATE批量订单，标志公司ATE产品成功获得客户认可、具备推向市场的竞争实力，公司ATE业务取得重大进展。

     紫光国微(002049)：公司DRAM存储器芯片和内存模组在服务器、个人计算机、机顶盒、电视机等方面的出货稳步增加，是国产DRAM存储器的主要供应商。基于积累的多款成熟DRAM芯片产品和良好的技术支持，KGD业务成功导入多个应用领域，实现规模量产；LPDDR4、DDR4及模组等新产品也开始量产销售。此外，公司自主创新设计的高带宽存储器方案和产品完成设计，进行了流片，进展顺利。

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