三安光电：美国释放缓和信号，第三代半导体研发何去何从？

3月11日，我国半导体行业协会发布称，中、美两国半导体行业协会经过多轮讨论磋商，今天宣布共同成立“中美半导体产业技术和贸易限制工作组”，将为中美两国半导体产业建立一个及时沟通的信息共享机制，交流有关出口管制、供应链安全、加密等技术和贸易限制等方面的政策。

工作组计划每年两次会议，分享两国在技术和贸易限制政策方面的最新进展。根据双方共同关注的领域，工作组将探讨出相应的对策建议，并确定需要进一步研究的内容。今年的工作组会议将在线上举行，今后视疫情缓解情况，将召开面对面会议。

第三代半导体搅局芯片市场

作为览富财经网长期关注领域，年前连载四篇《第三代半导体：“弯道超车论”》探究第三代半导体是否能助推我国科技产业实现弯道超车，最后认为终究能帮助我国科技产业突破核心技术被“卡脖子”的窘境。

年后，王志刚3月8日对外公布，实现科技自立自强必须提升基础创新能力，“十三五”期间中央财政科技投入增长70%，基础研究投入翻了一倍。未来将把基础研究摆在更加重要的位置，争取“十四五”时期基础研究占全社会研发投入比重达到8%左右。

在这种背景下，我国卡脖子技术研发进程有望继续加速。再次以第三代半导体为例。以GaAs、GaN和SiC为代表的化合物半导体主要应用于射频通信、电力电子和光电子领域。

在射频通信方面，以功率放大器（PA）、异质结双极性晶体管（HBT）和滤波器等器件形式应用于通讯基站、手机终端、卫星等场景中；在电力电子方面，以高电子迁移率晶体管（HEMT）、肖特基二极管（SBD）、金属化合物半导体场效应管（MOSFET）等功率器件形式应用于消费电子、新能源汽车、光伏等场景；在光电子方面，除了传统LED外，亦可作为垂直腔面发射激光器（VCSEL）应用于消费电子（人脸识别、传感器），汽车以及数据中心等场景。

三安光电专注化合物半导体技术平台

三安光电（600703）2014年设立三安集成，投资300亿元规划建设30万片/年砷化镓（GaAs）和6万片/年氮化镓(GaN)外延片生产线，并于2015年开始实施试生产。

2018年12月三安集成宣布推出6英寸SiC晶圆代工制程，2020年2月公司氮化镓产能达到2000片/月，2020年12月已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造，首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，目前多家客户处于样品测试阶段。公司产品逐渐向高端化成熟化发展。

在微波射频器件方面，产品应用于2G-5G手机射频功放WiFi、物联网、路由器、通信基站射频信号功放、卫星通讯等市场。当前已推出具有国际竞争力的GaAsHBT、pHEMT等面向射频应用的先进制程工艺，已建成专业化、规模化的4寸、6寸化合物晶圆制造产线，2020年上半年砷化镓射频出货客户累计将近100家。

在HBT工艺开发上提供完整不同应用领域之产品满足多样性的无线通信需求。在GaAs pHEMT工艺开发上，应用频率覆盖至Ka波段，0.1/0.15/0.25μmpHEMT工艺均已实现量产，已达到先进水平。BiHEMT则是将各元件整合在单一GaAs芯片中。可以提高芯片整合度，降低芯片尺寸，从而降低材料与制造成本。

除此之外，三安光电还在电力电子、光通讯、光通讯技术领域重点布局，关于公司第三代半导体全产业链布局，敬请期待下篇文章。