异质结光伏电池片交流纪要

高效电池是最终会胜出的，异质结电池的效率今年不断创纪录，世界最高效的达到了25.54%，是迈为的电池，电流达到40.23（破纪录），由澳大利亚的公司镀铜之后提效，而这还不是迈为最好的电池，在新的技术导入后，异质结电池达到25%以上不成问题。

现在发展渐渐明朗，从平均产线效率看，大于24%的电池已经超过了93%，表明异质结大规模量产，技术上达到25%以上还是比较容易的，良率能达到96%-97%，产线平均效率24.5%，下一步再提升0.5%可以通过做微晶硅等技术形成多层结构、增加透光性来提升效率。达到25%之后，p型的做成纳米硅也是进一步提高效率的方法，能达到25.5%，今年底或明年新建产线基本已经布局效率25%的，金刚玻璃可能要在新建的产线上试验微晶硅，明年华晟也在预留做微晶硅的产线，目标效率25%，直接拉开和PERC电池效率差距，和TOPCon对比，也有1%的领先差距。

微晶硅的难度：在三四十年前已经有做过很多工作，并不是新的东西，已经有人利用现有设备做微晶硅，现在产业化的东西不是完全新的，已有在其他领域的积累，通过调节氢和硅烷的比例，可以提微晶硅，问题在于提高层积频率时，均一性会变差，在提高层积速度和保持均一性上有一定挑战。

层积微晶硅达到25.5%之后的发展：把topcon做到背表面变成tbc，把异质结做到背表面变成hbc，这些会在电池上升级，像日本公司在hbc做到了26.7%，tbc最高做到25.2%，但hbc不一定是下一代，两个电极都挪到背面后没办法双面发电，在未来电站发电时，双面的异质结发电量可能比单面的hbc要高，hbc目前只是选项，不是替代。

异质结电池的理论极限：隆基更新了理论，以前认为topcon比异质结效率高一点，但今年隆基发表文章认为异质结的最高效率和topcon一样（但从现有异质结来看，这个理论最高效率都不可达到）。Topcon和异质结可能同时存在， topcon的理论效益是正背表面都做成多晶硅，但实际上国内只在背表面做了多晶硅，所以是达不到理论效益的，应该是一个过渡，要么过渡到异质结，要么过渡到双面都是多晶硅的topcon。

Topcon有两个问题：掺杂N型微晶硅，需要高温900-1000度，而温度一高就会有外面的原子透入里层，开压（开路电压）下降；高温银浆烧透氮化硅，但也能腐蚀硅，可能也跑到里层去，金属钝化效应可能消失，背表面这个问题还不算很大，但如果正表面要做多晶硅，就会造成短路，风险非常大。所以产线没人试过把二氧化硅和多晶硅做正表面，或者说就是做不成功。如果把多晶硅做厚防止烧穿问题，就会吸光，形成死层，不能导电，这块矛盾很深，无法解决。德国提出的解决方案是像异质结一样加上ito，如果在硬要做全表面，实验室也给了方案，但这些只是理论可行，没有做过实际的实验，难度非常大，目前看topcon是有技术天花板的。不管未来是改良Topcon还是工艺改造的异质结，未来的生产线仍然使用的异质结的生产线，未来叠层技术发展也是异质结最合适。

降本路径：设备降本，银浆降本，工艺降本，高效化。成本主要是bom和制造，设备在逐渐降本，而bom主要牵扯到银浆，通过主栅技术降低银浆使用量，甚至用铜替代。对所有电池都成立的是规模效应，扩大单机规模（单线产能），产能不断增大的同时，设备成本也不断降低，明年能从4亿降到3.5亿。

薄片化：PERC正负都有金属，会很容易受到薄片化影响效率，但异质结的效率对薄片化不敏感；铜栅电阻更小，银包铜等可能实现bom降本，华晟目前银浆的用料就在不断下降，另外也可用镀铜，但镀铜技术类似半导体光刻技术的改良，很复杂，涉及曝光显影电镀感光胶等步骤，增加了工艺成本，也会导致成品率下降。

产业链匹配：需要硅片的不同厚度和尺寸匹配，要求做薄硅片又能保证效率不下降的技术，以及存在做大硅片的切片问题，能否焊好等等，另外在封装上也要做匹配。配合连续拉晶比较好，但连续拉晶目前没有批量使用，在结合组件技术匹配的同时，电站也要做相应的匹配，需要配异质结的产业生态，才会让异质结成为主流技术。

Q：从度电成本看？

A：现在在电池组件这块，异质结贵2毛5左右，很多企业生产良率有差别，从现在看异质结度电成本还是比PERC高的。不过异质结的优点不是能直接比较的，不同的环境下，比如中午温度高的时候PERC发电少，但对异质结就没什么影响的，也和背面闪烁光强不强，还有光衰问题对两者不同的影响，这些都没办法马上比较出来的，现在直接能看出的只有它效率高，在系统成本端差异没那么大。后续在发电过程中的对比，要用大的电站进行比较，厂家很难直接给出比较的。

Q：设备成本降低原因？

A：PVD做一万片和1w2k片没什么问题，受限的是PECVD，量如果做上来，很多集成制造，大批量加工的价格会下降。国产化设备家数变多，有些企业在做设备的时候没有很精确的计算设备成本，现在这个价格还是有一定水分的，后面企业变多，价格会往下砸。但微晶硅设备要求更高，可能会贵一点。

Q：电站温度对异质结效用影响？bom降本的两个方案不可行的话，有第三个解决方案吗？

A：异质结虽然是低温工艺，但仍旧200度左右，而一般使用温度最多70-80度，在电站端温度这块不会有任何问题。银包铜和铜电镀都出不来的话，国外有个专利可以解决，但存在专利的壁垒。

Q：导入激光技术？

A：非常想用激光注入但是目前没有提供样机，从实验效果看不错，没有做大规模的实验来做成组件进行可靠性验证，这块应该是个比较好的方案，如果比LED高出非常多的价格，也就不一定会用激光，但如果激光设备价格低、效果又好，还是会倾向于用激光。

Q：TBC可以用p型做？

A：Tbc可以做n型也可以做p型，但要求硅片质量很高，p型的肯定做不好。

Q：CCz技术要求？

A：RCz（多次装料拉晶）可以通用n型和p型，但是CCz（连续拉晶）可以拉晶过程中控制溶液内浆料浓度控制头尾的电阻率，但目前CCz难度很大。颗粒硅在节电上有优势，拉颗粒硅的时候不影响热容量，连续拉晶中有特殊好处，如果未来用CCz，投料大部分是用颗粒硅的。

Q：组件配套问题？

A：异质结电池在组件封装上遇到很多问题，华晟很多精力就是在解决组件问题，切损大导致一切片高效率又给降低了，还有过程中的一些衰减，以后会渐渐显现出来，这些问题都有一定的解，得益于异质结电池在全球的科技力量和过去的理论基础，如果只做电池不管组件的话，卖给的组件厂肯定会面临很多问题。

Q：设备机会？

A：组件厂的设备机会：串焊机，目前没有一家企业能做到低温12主栅，像这种串焊机就是机会。另外热处理技术，相当于电池端接尾，激光后处理修复等等，这些看来可能有些机会，激光也好LED也好。高阻水的密封材料，密封胶，还有背板都有机会。迈为第一批串焊机没做好，第二代很快又会出来，迈为还是想把这个做好，然后宁夏小牛和奥特维也开始着手做12主栅。

Q：大规模替代时间点？

A：真正的替代，还要几年，如果50%以上算替代的话，需要两三年或者三四年，认为到年底能出来6GW投入量产，但投的过程中就会出现很多匹配的问题，原来推动起来很难，但6GW的规模足以让产业链动起来主动去匹配，这是联动的，不是等全产业链匹配完才建产能，是同时的一个过程。明年开始是微晶化的提效，这个过程要持续到后年，2023年左右能达到比较高效的，到后面会快速增加普及。

Q：异质结销售？

A：异质结销售价格高一点没什么问题，目前量还小，占比也低，还是能销售得出去，还是有得到市场认可的，但如果性价比不够，大规模推也推不起来。

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